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公开(公告)号：CN119029061B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411506999.7
申请日：2024-10-28
Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司
Abstract: 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，其中太阳电池包括硅基底、掺杂层和电极，掺杂层设于硅基底的表面，电极设于太阳电池的至少一面，电极包括主栅线、副栅线和电极延伸部；多个电极延伸部沿主栅线的长度方向依次排列；副栅线的至少部分区域覆盖电极延伸部；主栅线和电极延伸部的材料包括银，副栅线的材料包括贱金属，从而降低电极的制造成本。
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公开(公告)号：CN114709288B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210359763.X
申请日：2022-04-06
Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/223
Abstract: 本申请提供一种太阳能电池及其扩散方法，属于光伏技术领域。太阳能电池及其扩散方法，其包括：对硅片依次进行第一次预氧化处理、第一次通源处理、第二次预氧化处理、第二次通源处理和第三次通源处理。第一次预氧化处理和第二次预氧化处理的氧气通入量递增。第一次通源处理、第二次通源处理和第三次通源处理的温度和携带三氯氧磷的氮气均递增。本申请的太阳能电池的扩散方法通过两次预氧化处理和三次通源处理配合，能够制备浅结，同时改善掺杂的不均匀性，浅结能够提高太阳能电池片的蓝光响应从而提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119108440A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411562545.1
申请日：2024-11-05
Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括：硅基底；功能层，设于硅基底的表面，功能层为含氢层，功能层为减反射层或掺杂层；氢隔离层，氢隔离层的厚度为0.5 nm~5 nm；其中，氢隔离层的材料包括RZ，其中，R为Si或Cr，Z为O、C、N中的至少一种，且Z包括O时，O元素含量百分比≥20%，Z包括C时，C元素含量百分比20%~30%，Z为N时，N元素含量百分比≥80%，Z包括N和其他元素时，N元素含量比≥50%；或，氢隔离层的材料包括含氢元素的氧化铝层，氢元素在氧化铝层的元素含量≤2×1021 atoms/cm3；氢隔离层设于功能层与硅基底之间。
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公开(公告)号：CN117790622A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311742432.5
申请日：2023-12-15
Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC: H01L31/18 , C03C3/12 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01B1/22 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：在硅片的受光面或背光面上沉积隧穿层；在隧穿层背离硅片的一面上制备掺杂多晶硅层；其中，掺杂多晶硅层的厚度为50nm～100nm；在掺杂多晶硅层背离隧穿层的一面上沉积第一功能层；在第一功能层背离掺杂多晶硅层的一面上印刷浆料；其中，浆料包含IrO2‑PbO‑BeO体系玻璃的玻璃材料；烧结浆料形成第一金属电极；其中，第一金属电极穿透第一功能层后与掺杂多晶硅层形成欧姆接触；使用激光增强优化接触技术处理第一金属电极所在区域。上述浆料搭配激光增强优化接触技术，能够减少掺杂多晶硅层的破坏。
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公开(公告)号：CN115172474A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210804635.1
申请日：2022-07-08
Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种太阳电池及其制备方法，属于光伏技术领域。太阳电池的制备方法包括：提供半成品硅片，采用原子层沉积法在半成品硅片的正面和背面分别形成第一氧化硅层和第二氧化硅层。半成品硅片沿厚度方向包括依次层叠布置的至少一层氮化硅层、氧化铝层、硅层、至少一层氮化硅层、氮氧化硅层和第三氧化硅层，第一氧化硅层结合于第三氧化硅层表面，第二氧化硅层结合于氮化硅层表面。本申请的制备方法通过原子层沉积法能够在半成品硅片的正面和背面分别形成致密的氧化硅层，从而有效阻挡来自组件玻璃中的碱金属离子，防止这些金属离子透过太阳电池的膜层达到硅片内部而破坏PN结，提升太阳电池的抗PID性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114709288A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210359763.X
申请日：2022-04-06
Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/223
Abstract: 本申请提供一种太阳能电池及其扩散方法，属于光伏技术领域。太阳能电池及其扩散方法，其包括：对硅片依次进行第一次预氧化处理、第一次通源处理、第二次预氧化处理、第二次通源处理和第三次通源处理。第一次预氧化处理和第二次预氧化处理的氧气通入量递增。第一次通源处理、第二次通源处理和第三次通源处理的温度和携带三氯氧磷的氮气均递增。本申请的太阳能电池的扩散方法通过两次预氧化处理和三次通源处理配合，能够制备浅结，同时改善掺杂的不均匀性，浅结能够提高太阳能电池片的蓝光响应从而提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119108440B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411562545.1
申请日：2024-11-05
Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司
Abstract: 本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括：硅基底；功能层，设于硅基底的表面，功能层为含氢层，功能层为减反射层或掺杂层；氢隔离层，氢隔离层的厚度为0.5 nm~5 nm；其中，氢隔离层的材料包括RZ，其中，R为Si或Cr，Z为O、C、N中的至少一种，且Z包括O时，O元素含量百分比≥20%，Z包括C时，C元素含量百分比20%~30%，Z为N时，N元素含量百分比≥80%，Z包括N和其他元素时，N元素含量比≥50%；或，氢隔离层的材料包括含氢元素的氧化铝层，氢元素在氧化铝层的元素含量≤2×1021 atoms/cm3；氢隔离层设于功能层与硅基底之间。
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公开(公告)号：CN117790622B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202311742432.5
申请日：2023-12-15
Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC: H01L31/18 , C03C3/12 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01B1/22 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：在硅片的受光面或背光面上沉积隧穿层；在隧穿层背离硅片的一面上制备掺杂多晶硅层；其中，掺杂多晶硅层的厚度为50nm～100nm；在掺杂多晶硅层背离隧穿层的一面上沉积第一功能层；在第一功能层背离掺杂多晶硅层的一面上印刷浆料；其中，浆料包含IrO2‑PbO‑BeO体系玻璃的玻璃材料；烧结浆料形成第一金属电极；其中，第一金属电极穿透第一功能层后与掺杂多晶硅层形成欧姆接触；使用激光增强优化接触技术处理第一金属电极所在区域。上述浆料搭配激光增强优化接触技术，能够减少掺杂多晶硅层的破坏。
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公开(公告)号：CN117790621A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311742414.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01B1/22 , H01L31/0216 , C03C12/00 , C03C8/24
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括以下步骤：在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆；其中，银浆印刷于第一减反射层表面，银浆中铝的质量百分比低于0.3％，银浆的玻璃化转变温度为360℃～370℃；烧结银浆形成第一金属电极，使第一金属电极穿透第一减反射层和钝化层后与第一掺杂层欧姆接触；其中，烧结温度为650℃～720℃；使用激光增强接触优化工艺对表面进行处理，以在第一金属电极与第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成金属‑半导体接触结构，金属‑半导体接触结构能够改善欧姆接触。
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公开(公告)号：CN112635588A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110075085.X
申请日：2021-01-20
Applicant: 通威太阳能(成都)有限公司 , 通威太阳能(合肥)有限公司 , 通威太阳能(安徽)有限公司 , 通威太阳能(眉山)有限公司 , 通威太阳能(金堂)有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其背面电极和制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的背面电极，包括铝主栅、铝副栅和背银电极，所述铝主栅由间隔分布的环型铝主栅以及连接相邻环型铝主栅的直通型铝主栅组成，背银电极位于环型铝主栅内部并与其电性相连，所述直通型铝主栅由中心区直通铝主栅及位于中心区直通铝主栅上方的外围区直通铝主栅组成。本发明通过背面电极图形设计，并采用分步印刷工艺，从而可以在对背面遮光面积、浆料耗量无负面影响的情况下，实现背面电极对载流子收集效果的大幅提升，从而提升了电池片的效转换效率。
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