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公开(公告)号：CN110389358B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201910319764.X
申请日：2019-04-19
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 奥利维尔·布尔蒂尔 , 艾瑞克·A·G·韦伯斯特 , 林赛·格朗
IPC: G01S17/894 , G01S7/481 , G01S7/4861 , G01S7/4865 , G01J1/44
Abstract: 本申请案涉及一种相关飞行时间传感器。飞行时间TOF传感器包含经构造以发射光的光源及多个雪崩光电二极管。所述TOF传感器还包含多个脉冲发生器，其中个别脉冲发生器耦合到所述多个雪崩光电二极管中的个别雪崩光电二极管。控制电路耦合到所述光源、所述多个雪崩光电二极管和所述多个脉冲发生器，以执行操作。操作可包含从所述光源发射所述光，和运用所述多个雪崩光电二极管接收从对象反射的所述光。响应于运用所述多个雪崩光电二极管接收到所述光，多个脉冲可从对应于接收所述光的所述个别光电二极管的所述个别脉冲发生器输出。并且，响应于输出所述多个脉冲，可当所述多个脉冲在时间上重叠时输出时序信号。
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公开(公告)号：CN112652635B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201911244647.8
申请日：2019-12-06
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括用于收集图像信息的多个图像像素单元和用于收集相位信息的多个相位检测自动聚焦PDAF像素单元。所述PDAF像素单元中的每一个包含分别被两个微透镜覆盖的两个第一图像传感器像素。所述图像像素单元中的每一个包含彼此相邻的四个第二图像传感器像素，其中所述第二图像传感器像素中的每一个被单个微透镜覆盖。涂层安置于所述第一微透镜上并且形成跨整个图像传感器像素阵列的平坦表面。PDAF微透镜形成于所述涂层上以覆盖所述第一图像传感器像素。
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公开(公告)号：CN110021614B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201811441725.9
申请日：2018-11-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 本申请案涉及一种用于经增强图像传感器性能的源极跟随器装置。一种图像传感器包含：光电二极管，其安置于半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷；及浮动扩散部，其接近于光电二极管而安置于半导体材料中。转移晶体管耦合到光电二极管以响应于施加到转移晶体管的转移栅极的转移信号而将图像电荷从光电二极管转移到浮动扩散部中。源极跟随器晶体管耦合到浮动扩散部以放大浮动扩散部上的电荷。源极跟随器晶体管包含：栅极电极，其包含具有第一掺杂剂类型的半导体材料；源极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于半导体材料中；漏极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于半导体材料中；及沟道，其具有第二掺杂剂类型，安置于源极电极与漏极电极之间。
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公开(公告)号：CN110504277B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910402023.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/40
Abstract: 本申请案涉及与垂直晶体管组合的垂直溢流漏极。图像传感器像素包含：光电二极管，其安置在半导体材料中以响应于入射在所述半导体材料的背侧上的光而产生图像电荷；以及钉扎层，其安置在所述半导体材料中并耦合到所述光电二极管。所述像素还包含垂直溢流漏极，其安置在所述半导体材料中并且耦合到所述钉扎层，使得所述钉扎层安置在所述垂直溢流漏极与所述光电二极管之间。浮动扩散部靠近所述光电二极管安置在所述半导体材料中，及垂直转移晶体管部分安置在所述半导体材料中并且耦合到所述光电二极管，以响应于施加到所述垂直转移晶体管的所述栅极端子的转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部。
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公开(公告)号：CN110993630A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910849715.7
申请日：2019-09-09
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本申请案涉及多厚度栅极电介质。图像传感器包含：一或多个光电二极管，其安置在半导体材料中以接收图像光并产生图像电荷；及浮动扩散，其用以从所述一或多个光电二极管接收所述图像电荷。一或多个转移晶体管经耦合以将所述一或多个光电二极管中的图像电荷转移到所述浮动扩散，并且源极跟随器晶体管经耦合以放大所述浮动扩散中的所述图像电荷。所述源极跟随器包含栅电极(耦合到所述浮动扩散)、源电极及漏电极，以及在所述源电极与漏电极之间安置在所述半导体材料中的作用区。电介质材料安置在所述栅电极与所述作用区之间，并具有第一厚度及第二厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，且所述第二厚度比所述第一厚度更靠近所述漏电极安置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110389358A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910319764.X
申请日：2019-04-19
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 奥利维尔·布尔蒂尔 , 艾瑞克·A·G·韦伯斯特 , 林赛·格朗
Abstract: 本申请案涉及一种相关飞行时间传感器。飞行时间TOF传感器包含经构造以发射光的光源及多个雪崩光电二极管。所述TOF传感器还包含多个脉冲发生器，其中个别脉冲发生器耦合到所述多个雪崩光电二极管中的个别雪崩光电二极管。控制电路耦合到所述光源、所述多个雪崩光电二极管和所述多个脉冲发生器，以执行操作。操作可包含从所述光源发射所述光，和运用所述多个雪崩光电二极管接收从对象反射的所述光。响应于运用所述多个雪崩光电二极管接收到所述光，多个脉冲可从对应于接收所述光的所述个别光电二极管的所述个别脉冲发生器输出。并且，响应于输出所述多个脉冲，可当所述多个脉冲在时间上重叠时输出时序信号。
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公开(公告)号：CN110021614A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811441725.9
申请日：2018-11-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 本申请案涉及一种用于经增强图像传感器性能的源极跟随器装置。一种图像传感器包含：光电二极管，其安置于半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷；及浮动扩散部，其接近于光电二极管而安置于半导体材料中。转移晶体管耦合到光电二极管以响应于施加到转移晶体管的转移栅极的转移信号而将图像电荷从光电二极管转移到浮动扩散部中。源极跟随器晶体管耦合到浮动扩散部以放大浮动扩散部上的电荷。源极跟随器晶体管包含：栅极电极，其包含具有第一掺杂剂类型的半导体材料；源极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于半导体材料中；漏极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于半导体材料中；及沟道，其具有第二掺杂剂类型，安置于源极电极与漏极电极之间。
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公开(公告)号：CN119584659A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410940872.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Abstract: 本申请案涉及像素电路及图像传感器。公开包含晶体管、阻挡层及输出电路的像素电路。所述晶体管包含第一掺杂区域及第二掺杂区域，其安置在靠近半导体衬底的第一表面的所述晶体管的沟道的相对侧上，使得响应于入射光在所述半导体衬底内部生成的光载流子流入所述第一及第二掺杂区域中的一个区域。所述阻挡层安置在所述第一及第二掺杂区域中的另一区域与所述半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面之间。所述阻挡层经配置以阻挡所述光载流子直接流入所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域中的所述另一区域。所述输出电路根据从所述晶体管输出的电压信号输出图像信号。
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公开(公告)号：CN111477642B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201911066767.3
申请日：2019-11-04
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 伊贤敏 , 姚敬明 , P·西泽多西欧 , E·韦伯斯特 , 毛杜立 , 林志强 , J·兰德杰夫 , 马渕圭司 , 凯文·约翰逊 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 林赛·格朗 , B·佛勒
IPC: H01L27/146 , G01S17/08
Abstract: 本申请案涉及用电感器进行栅极调制。一种传感器包含：光电二极管，其安置于半导体材料中以接收光及将所述光转换成电荷；及第一浮动扩散部，其耦合到所述光电二极管以接收所述电荷。第二浮动扩散部耦合到所述光电二极管以接收所述电荷，且第一转移晶体管经耦合以将所述电荷从所述光电二极管转移到所述第一浮动扩散部中。第二转移晶体管经耦合以将所述电荷从所述光电二极管转移到所述第二浮动扩散部中，且电感器耦合于所述第一转移晶体管的第一栅极端子与所述第二转移晶体管的第二栅极端子之间。所述电感器、所述第一栅极端子及所述第二栅极端子形成谐振电路。
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公开(公告)号：CN112652635A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911244647.8
申请日：2019-12-06
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括用于收集图像信息的多个图像像素单元和用于收集相位信息的多个相位检测自动聚焦PDAF像素单元。所述PDAF像素单元中的每一个包含分别被两个微透镜覆盖的两个第一图像传感器像素。所述图像像素单元中的每一个包含彼此相邻的四个第二图像传感器像素，其中所述第二图像传感器像素中的每一个被单个微透镜覆盖。涂层安置于所述第一微透镜上并且形成跨整个图像传感器像素阵列的平坦表面。PDAF微透镜形成于所述涂层上以覆盖所述第一图像传感器像素。
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