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公开(公告)号:CN105990385B
公开(公告)日:2019-06-11
申请号:CN201610072734.X
申请日:2016-02-02
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/08 , H01L31/20
Abstract: 本申请案涉及用于图像传感器的光敏电容器像素。揭示一种图像传感器像素及图像传感器以及制造图像传感器像素及图像传感器的方法。所述图像像素包含光敏电容器及晶体管网络。所述光敏电容器包含电极、导电层、电介质层以及光敏半导体材料。所述导电层被安置在所述电极周围,且所述电介质层形成于所述导电层与所述电极之间。所述光敏半导体材料是用于响应于图像光产生图像信号且被安置于所述电介质层与所述电极之间。所述晶体管网络经耦合以从所述光敏电容器的所述电极读出所述图像信号。
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公开(公告)号:CN112652635B
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN201911244647.8
申请日:2019-12-06
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括用于收集图像信息的多个图像像素单元和用于收集相位信息的多个相位检测自动聚焦PDAF像素单元。所述PDAF像素单元中的每一个包含分别被两个微透镜覆盖的两个第一图像传感器像素。所述图像像素单元中的每一个包含彼此相邻的四个第二图像传感器像素,其中所述第二图像传感器像素中的每一个被单个微透镜覆盖。涂层安置于所述第一微透镜上并且形成跨整个图像传感器像素阵列的平坦表面。PDAF微透镜形成于所述涂层上以覆盖所述第一图像传感器像素。
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公开(公告)号:CN107305901B
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201710066810.0
申请日:2017-02-07
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及一种图像传感器、一种成像系统及一种图像传感器制造方法。图像传感器像素包含安置在半导体材料中的光电二极管及至少部分围绕所述光电二极管的掺杂区。所述掺杂区包含所述半导体材料的掺杂部分。深沟槽隔离结构安置在所述掺杂区中,并且至少部分围绕所述光电二极管。所述深沟槽隔离结构包含安置在所述深沟槽隔离结构的侧壁上的SiGe层、安置在所述SiGe层上的高k电介质以及填充材料。
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公开(公告)号:CN107305901A
公开(公告)日:2017-10-31
申请号:CN201710066810.0
申请日:2017-02-07
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及一种图像传感器、一种成像系统及一种图像传感器制造方法。图像传感器像素包含安置在半导体材料中的光电二极管及至少部分围绕所述光电二极管的掺杂区。所述掺杂区包含所述半导体材料的掺杂部分。深沟槽隔离结构安置在所述掺杂区中,并且至少部分围绕所述光电二极管。所述深沟槽隔离结构包含安置在所述深沟槽隔离结构的侧壁上的SiGe层、安置在所述SiGe层上的高k电介质以及填充材料。
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公开(公告)号:CN113809107A
公开(公告)日:2021-12-17
申请号:CN202110660977.6
申请日:2021-06-15
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及具有多像素检测器及部分隔离结构的图像传感器。描述一种图像传感器的多像素检测器。所述多像素检测器包含安置在半导体衬底内以形成第一像素的第一光电二极管区域,安置在所述半导体衬底内以形成相邻于所述第一像素的第二像素的第二光电二极管区域,及在所述第一光电二极管区域与所述第二光电二极管区域之间从所述半导体衬底的第一侧朝向所述半导体衬底的第二侧延伸的部分隔离结构。所述第一光电二极管区域与所述第二光电二极管区域之间的所述部分隔离结构的横向部分的长度小于所述第一光电二极管区域的横向长度。
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公开(公告)号:CN112652635A
公开(公告)日:2021-04-13
申请号:CN201911244647.8
申请日:2019-12-06
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括用于收集图像信息的多个图像像素单元和用于收集相位信息的多个相位检测自动聚焦PDAF像素单元。所述PDAF像素单元中的每一个包含分别被两个微透镜覆盖的两个第一图像传感器像素。所述图像像素单元中的每一个包含彼此相邻的四个第二图像传感器像素,其中所述第二图像传感器像素中的每一个被单个微透镜覆盖。涂层安置于所述第一微透镜上并且形成跨整个图像传感器像素阵列的平坦表面。PDAF微透镜形成于所述涂层上以覆盖所述第一图像传感器像素。
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公开(公告)号:CN107818998A
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201710749546.0
申请日:2017-08-28
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H04N5/374 , H04N9/045 , H01L27/14625
Abstract: 一种具有串扰抑制滤色器阵列的背照式彩色图像传感器包括(a)包括光电二极管阵列的硅层以及(b)在硅层的光接收表面上的滤色器层,其中该滤色器层包括:(i)滤色器阵列,该滤色器阵列与光电二极管阵列配合,以形成相应的彩色像素阵列,以及(ii)光阻挡栅,该光阻挡栅设置在滤色器之间,以抑制相邻滤色器之间的光的透射。光阻挡栅在整个滤色器层上是空间不均匀的,以考虑在整个滤色器阵列上的主射线角度的变化。
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