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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110993630B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201910849715.7
申请日：2019-09-09
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 本申请案涉及多厚度栅极电介质。图像传感器包含：一或多个光电二极管，其安置在半导体材料中以接收图像光并产生图像电荷；及浮动扩散，其用以从所述一或多个光电二极管接收所述图像电荷。一或多个转移晶体管经耦合以将所述一或多个光电二极管中的图像电荷转移到所述浮动扩散，并且源极跟随器晶体管经耦合以放大所述浮动扩散中的所述图像电荷。所述源极跟随器包含栅电极(耦合到所述浮动扩散)、源电极及漏电极，以及在所述源电极与漏电极之间安置在所述半导体材料中的作用区。电介质材料安置在所述栅电极与所述作用区之间，并具有第一厚度及第二厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，且所述第二厚度比所述第一厚度更靠近所述漏电极安置。
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公开(公告)号：CN112397537A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010805617.6
申请日：2020-08-12
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及图像传感器的全埋入式滤色器阵列。一种图像传感器包含衬底。光电二极管阵列安置在所述衬底中。多个间隔件布置成间隔件图案。所述多个间隔件中的至少一个间隔件具有18:1或更大的纵横比。缓冲层安置在所述衬底与所述间隔件图案之间。滤色器阵列安置在所述间隔件图案中。
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公开(公告)号：CN114864616A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210656261.3
申请日：2020-08-12
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及图像传感器的全埋入式滤色器阵列。一种图像传感器包含衬底。光电二极管阵列安置在所述衬底中。多个间隔件布置成间隔件图案。所述多个间隔件中的至少一个间隔件具有18:1或更大的纵横比。缓冲层安置在所述衬底与所述间隔件图案之间。滤色器阵列安置在所述间隔件图案中。
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公开(公告)号：CN110993630A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910849715.7
申请日：2019-09-09
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本申请案涉及多厚度栅极电介质。图像传感器包含：一或多个光电二极管，其安置在半导体材料中以接收图像光并产生图像电荷；及浮动扩散，其用以从所述一或多个光电二极管接收所述图像电荷。一或多个转移晶体管经耦合以将所述一或多个光电二极管中的图像电荷转移到所述浮动扩散，并且源极跟随器晶体管经耦合以放大所述浮动扩散中的所述图像电荷。所述源极跟随器包含栅电极(耦合到所述浮动扩散)、源电极及漏电极，以及在所述源电极与漏电极之间安置在所述半导体材料中的作用区。电介质材料安置在所述栅电极与所述作用区之间，并具有第一厚度及第二厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，且所述第二厚度比所述第一厚度更靠近所述漏电极安置。
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公开(公告)号：CN112397537B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010805617.6
申请日：2020-08-12
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及图像传感器的全埋入式滤色器阵列。一种图像传感器包含衬底。光电二极管阵列安置在所述衬底中。多个间隔件布置成间隔件图案。所述多个间隔件中的至少一个间隔件具有18:1或更大的纵横比。缓冲层安置在所述衬底与所述间隔件图案之间。滤色器阵列安置在所述间隔件图案中。
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