一种多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法

    公开(公告)号:CN111913083A

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN202010786658.5

    申请日:2020-08-07

    Abstract: 本发明公开了一种多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法,针对热控等薄膜材料中导电层/介质层相结合的结构特点,综合考虑了薄膜材料导电层对空间低能电子屏蔽效应、以及高能电子强穿透特性,采用蒙特卡洛方法计算获得介质层的电子沉积最小能量和最大能量值,并以此为依据分析现有的空间电子能谱环境,构建影响介质层充放电效应的有效电子能谱,最终获得模拟试验中的辐照电子能量和束流密度,采用电流探头与示波器相结合方法测试薄膜材料静电放电特性,从而建立多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法,解决了多层薄膜材料空间充放电效应的模拟试验参数的选取问题,为其空间环境适应性评价提供了一种有效方法。

    一种多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法

    公开(公告)号:CN111913083B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202010786658.5

    申请日:2020-08-07

    Abstract: 本发明公开了一种多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法,针对热控等薄膜材料中导电层/介质层相结合的结构特点,综合考虑了薄膜材料导电层对空间低能电子屏蔽效应、以及高能电子强穿透特性,采用蒙特卡洛方法计算获得介质层的电子沉积最小能量和最大能量值,并以此为依据分析现有的空间电子能谱环境,构建影响介质层充放电效应的有效电子能谱,最终获得模拟试验中的辐照电子能量和束流密度,采用电流探头与示波器相结合方法测试薄膜材料静电放电特性,从而建立多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法,解决了多层薄膜材料空间充放电效应的模拟试验参数的选取问题,为其空间环境适应性评价提供了一种有效方法。

    太阳电池伏安特性控制电路

    公开(公告)号:CN107450646B

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201710913041.3

    申请日:2017-09-30

    Abstract: 本发明提供了一种太阳电池伏安特性控制电路,基于补偿电源和快变数控负载,实现太阳电池阵的IV特性曲线工作点的精确控制和快速扫描。通过本发明,能够对负载电阻进行精确控制,能够采用可跟随电流变化的补偿电源,能够抵消回路总电阻的电压降,从而使数字控制的负载电阻值与电池阵I‑V曲线上的工作点有简单的函数关系,并给出分段扫描I‑V曲线的数字量计算方案。另外,使得场效应管模拟的阻值在数字量的控制下快速扫描设定区间,进而控制电池阵的电压‑电流,由高速同步采集器实现电压和电流的同时采集,获得I‑V曲线上的工作点。

    航天器直流负载输入阻抗测量方法及装置

    公开(公告)号:CN114646806B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202011519812.9

    申请日:2020-12-21

    Abstract: 本申请公开了一种航天器直流负载输入阻抗测量方法及装置,所述方法包括:在直流电源与航天器直流负载之间的传输线上注入交流扰动电压,使所述传输线上形成交流扰动电流;测量流入所述航天器直流负载方向的交流扰动电流,计算所述交流扰动电压与所述航天器直流负载方向的交流扰动电流的基波相量比,得到所述航天器直流负载的输入阻抗。本申请准确的测量结果可以指导航天器供电系统的设计和调试,保障电源系统稳定可靠,保障各用电负载工作正常,为航天器各用电负载输入阻抗的测量、校准和验收提供依据。

    太阳电池伏安特性控制电路

    公开(公告)号:CN107450646A

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201710913041.3

    申请日:2017-09-30

    CPC classification number: G05F1/561

    Abstract: 本发明提供了一种太阳电池伏安特性控制电路,基于补偿电源和快变数控负载,实现太阳电池阵的IV特性曲线工作点的精确控制和快速扫描。通过本发明,能够对负载电阻进行精确控制,能够采用可跟随电流变化的补偿电源,能够抵消回路总电阻的电压降,从而使数字控制的负载电阻值与电池阵I-V曲线上的工作点有简单的函数关系,并给出分段扫描I-V曲线的数字量计算方案。另外,使得场效应管模拟的阻值在数字量的控制下快速扫描设定区间,进而控制电池阵的电压-电流,由高速同步采集器实现电压和电流的同时采集,获得I-V曲线上的工作点。

    航天器直流负载输入阻抗测量方法及装置

    公开(公告)号:CN114646806A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202011519812.9

    申请日:2020-12-21

    Abstract: 本申请公开了一种航天器直流负载输入阻抗测量方法及装置,所述方法包括:在直流电源与航天器直流负载之间的传输线上注入交流扰动电压,使所述传输线上形成交流扰动电流;测量流入所述航天器直流负载方向的交流扰动电流,计算所述交流扰动电压与所述航天器直流负载方向的交流扰动电流的基波相量比,得到所述航天器直流负载的输入阻抗。本申请准确的测量结果可以指导航天器供电系统的设计和调试,保障电源系统稳定可靠,保障各用电负载工作正常,为航天器各用电负载输入阻抗的测量、校准和验收提供依据。

    一种高活性氢氧化镍纳米片的快速制备方法

    公开(公告)号:CN114044546A

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN202111457643.5

    申请日:2021-12-01

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明公开了一种高活性氢氧化镍纳米片的快速制备方法,其特征在于,包含以下步骤:将1mmol硝酸镍溶解在50毫升水中,直至形成透明的硝酸镍溶液,然后将1mmol硼氢化钠完全溶解在20毫升水中,将溶解完全的硼氢化钠缓慢滴加至硝酸镍溶液中,滴加过程中持续搅拌,滴加完成后静置1~48小时,直至反应过程不再有气泡溢出,所获得的沉淀开始为黑色,静置1‑48小时后会转变为绿色氢氧化镍沉淀,其优点在于在制备过程在水溶液中可以快速反应生成氢氧化镍纳米片,无需加热处理,可规模化制备,在室温下即可获得。如果不选用带硝酸根的镍盐,也可通过选用带硝酸根的水溶性盐作为硝酸根引入剂(如硝酸钾、硝酸钠等)。

    一种基于原位生成钛酸铅薄膜的CsPbBr3太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN116130532A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310239142.2

    申请日:2023-03-13

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明公开了一种基于原位生成钛酸铅薄膜的CsPbBr3太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池,由导电基底层、电子传输层、钛酸铅层、CsPbBr3钙钛矿层、碳层组成,其中:所述钛酸铅层的厚度为10‑30nm;所述电子传输层材质为二氧化钛;所述钛酸铅层通过在二氧化钛层上旋涂醋酸铅溶液后再热处理制备得到。该CsPbBr3太阳能电池中,在TiO2电子传输层表面原位生长钛酸铅铁电薄膜层,有利于充分发挥钛酸铅的铁电性增强电池的内建电场以提高电子空穴的分离效率、减少载流子复合的现象,从而提高电池光电转换效率,且电池结构能级匹配性好,电池各层的稳定性好,具有广泛的应用前景。

    一种锂离子电池硅基负极材料的加工方法

    公开(公告)号:CN113991065A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111201339.4

    申请日:2021-10-15

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明涉及一种锂离子电池硅基负极材料的加工方法,该加工方法的具体操作步骤如下:将石墨、粘结剂与添加剂进行搅拌混合获得石墨负极浆料,然后将硅碳复合材料、粘结剂与添加剂搅拌混合获得硅碳负极浆料,将石墨负极浆料通过涂抹装置在负极集流体铜箔上涂敷形成石墨负极涂层,烘干,然后将硅碳负极浆料通过涂抹装置在石墨负极涂层涂敷形成硅碳负极涂层,烘干,在硅碳负极涂层上再涂敷一层石墨负极涂层,烘干,此时将膜片经辊轧、分切得到负极片;在滑架移动的同时将负极集流体铜箔表面的灰尘杂质吹去,对负极集流体铜箔表面进行清洁,保证后续的涂层沾附牢固。

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