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公开(公告)号:CN110544768B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201910743498.3
申请日:2019-08-13
Applicant: 许昌学院
IPC: H01M4/58 , H01G11/30 , H01G11/24 , H01G11/26 , C01B21/086 , B82Y30/00 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种三角塔锥状Ni3S2.9均质超晶格薄膜电极材料及其制备方法和应用;利用硫粉和NaOH水溶液之间的简单化学反应,制得多硫化物浅黄色碱性水溶液(含有Na2S、Na2S2、Na2S3),然后与镍箔进行水热反应,通过调控水热反应的温度,实现S2掺杂原子在Ni3S2晶格中的均衡分布,最终获得S2掺杂的Ni3S2.9超晶格薄膜电极材料,化学组成为Ni3(S)1.1(S2)0.9。制备的Ni3(S)1.1(S2)0.9超晶格呈多阶的三角塔锥状结构,均匀生长在镍箔基底上,其超晶格结构由周期性交替的Ni‑S和Ni‑S2原子层构成。本发明用水作为反应介质,没有用到任何有机溶剂、添加剂及表面活性剂,属于环境友好型反应。因为原料易得、价格低廉、操作简单,湿化学法获得高附加值的超晶格产品,有可观的经济效益。
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公开(公告)号:CN110813376B
公开(公告)日:2020-10-13
申请号:CN201911106657.5
申请日:2019-11-13
Applicant: 许昌学院
IPC: B01J31/06 , B01J27/08 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明提供了一种聚吡咯修饰的纳米溴氧化铋光催化材料及其制备方法和应用,属于光催化领域。在本发明中,聚吡咯作为一种碳氮共存的杂环共轭型导电高分子,不仅具有优异的可见光吸收和导电特性,而且在大多数溶剂体系中具有良好的化学稳定性,从而具有良好的循环使用性能,将其对溴氧化铋半导体进行功能化修饰,可以有效提高其光吸收性能并加速半导体材料相互界面之间电子转移,有效提高光照下光生电子空穴分离的效率,而且界面结合间的共价引力和匹配程度都极大影响电子空穴分离的效率,进而影响活性自由基产生的效率,从而得到一种新型高效复合光催化材料并提高其光催化降解能力。
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公开(公告)号:CN110655056A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201910959536.9
申请日:2019-10-10
Applicant: 许昌学院
IPC: C01B32/05 , C01B33/021 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62
Abstract: 本发明公开了一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,属于功能纳米材料制备方法技术领域,包括以下步骤:将滑石粉和镁粉混合均匀,通过干压成型将混合后物料压制成块状,将压制后块状物置于程序可控高温管式炉中,采用分段加热方式制得多孔纳米硅碳复合材料粗品,将制备的多孔纳米硅碳复合材料粗品经酸洗、水洗、离心、干燥工艺得到多孔纳米硅碳复合材料;本发明制备方法工艺简单,原料价格低廉,制备成本低,无环境污染且安全,并且所制得的多孔纳米硅碳复合材料具有均匀的纳米孔洞结构、硅-碳材料比例可调控,没有杂质,可应用于能量存储材料领域。
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公开(公告)号:CN108034849A
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201711290988.X
申请日:2017-12-08
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石‑镁复合散热材料及其制备方法和应用,通过在金刚石表面生成碳化钛到钛铜合金的梯度层修饰提高金刚石与镁基体的界面结合,采用放电等离子烧结技术快速合成轻质且热导率高的金刚石‑镁复合散热材料,从而有效解决电子封装领域元器件随封装密度增大而产生的散热问题。
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公开(公告)号:CN114044546A
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN202111457643.5
申请日:2021-12-01
Applicant: 许昌学院
IPC: C01G53/04
Abstract: 本发明公开了一种高活性氢氧化镍纳米片的快速制备方法,其特征在于,包含以下步骤:将1mmol硝酸镍溶解在50毫升水中,直至形成透明的硝酸镍溶液,然后将1mmol硼氢化钠完全溶解在20毫升水中,将溶解完全的硼氢化钠缓慢滴加至硝酸镍溶液中,滴加过程中持续搅拌,滴加完成后静置1~48小时,直至反应过程不再有气泡溢出,所获得的沉淀开始为黑色,静置1‑48小时后会转变为绿色氢氧化镍沉淀,其优点在于在制备过程在水溶液中可以快速反应生成氢氧化镍纳米片,无需加热处理,可规模化制备,在室温下即可获得。如果不选用带硝酸根的镍盐,也可通过选用带硝酸根的水溶性盐作为硝酸根引入剂(如硝酸钾、硝酸钠等)。
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公开(公告)号:CN113945614A
公开(公告)日:2022-01-18
申请号:CN202111128558.4
申请日:2021-09-26
Applicant: 许昌学院
IPC: G01N27/26
Abstract: 一种能实现电化学传感器持续性检测的装置,属于电化学传感器技术领域,为了解决现有的电化学传感器在使用过程中,不能持续性进行检测工作,外界空气中含有大量的灰尘,会对电化学传感器造成不利的影响,降低其检测质量的问题;本发明通过回收机构,存放机构,联动组件,外接机构和接应机构,使回收机构和存放机构与主箱体相连接,联动组件与接应机构相连接,外接机构与主箱体相连接;本发明实现二级支板通过海绵垫与备用传感器相接触,海绵垫会与备用传感器分离,备用传感器则会掉落至接应机构上,最后再通过电磁夹块将备用传感器固定至嵌入槽内,完成替换,从而使得整个检测过程能够具有持续性的目的。
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公开(公告)号:CN108206270B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201810049060.0
申请日:2018-01-18
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法,属于纳米材料制备技术领域。该方法包括:将镁粉、纳米氧化硅以及无机盐按照一定比例混合后采用干压成型工艺压制成片状,然后将片状材料于二氧化碳氛围下在管式炉中高温煅烧,煅烧完成后分别在盐酸溶液和氢氟酸溶液中进行一次酸洗和二次酸洗,离心清洗至中性,最后真空干燥得到碳纳米片包覆纳米硅复合材料。本发明提供的原位制备方法操作简单,条件温和,在相对较低的温度下利用简单设备实现了碳纳米片包覆纳米硅复合材料的制备,安全环保,有效降低了碳改性纳米硅复合材料的制备成本。
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公开(公告)号:CN107032356B
公开(公告)日:2019-02-19
申请号:CN201710280081.9
申请日:2017-04-26
Applicant: 许昌学院
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种多孔纳米硅的制备方法,包括以下步骤:化学气相沉积法制备镁二硅粉粗品,然后再用水热法处理镁二硅粉粗品,再将水热法处理后的产物纯化后即得到多孔纳米硅。本发明提供的多孔纳米硅的制备方法利用简单的设备,在相对较低的温度条件下,实现了大颗粒硅的多孔纳米化技术,大幅度降低了多孔纳米硅的制备成本。
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公开(公告)号:CN114453377A
公开(公告)日:2022-05-10
申请号:CN202210154802.2
申请日:2022-02-21
Applicant: 许昌学院
IPC: B08B15/04 , B08B13/00 , B01D47/02 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M10/54
Abstract: 本发明涉及一种用于磷酸铁锂正极材料生产的除尘回收装置,包括处理筒,处理筒的顶端为开口设置,处理筒的内部设有翻转模块,处理筒的底部连通有出料管道,出料管道上设有卸料阀,处理筒侧壁的下方均匀连接有多根支腿,处理筒的侧壁上还连接有控制面板,处理筒的顶端盖有筒盖,连通导管远离抽气泵的一端穿过管道口并延伸至除尘水箱内腔的下方,连通导管固定连接于管道口的内腔之中。本发明能够将磷酸铁锂正极材料在生产的过程中产出的细粉尘有效的进行除尘处理,方便对除尘后的磷酸铁锂正极材料的回收再利用,不仅可提升磷酸铁锂正极材料的电化学性能,而且也可避免磷酸铁锂正极材料在生产的过程中产生粉尘污染环境的情况发生,绿色环保。
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公开(公告)号:CN108034849B
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201711290988.X
申请日:2017-12-08
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石‑镁复合散热材料及其制备方法和应用,通过在金刚石表面生成碳化钛到钛铜合金的梯度层修饰提高金刚石与镁基体的界面结合,采用放电等离子烧结技术快速合成轻质且热导率高的金刚石‑镁复合散热材料,从而有效解决电子封装领域元器件随封装密度增大而产生的散热问题。
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