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公开(公告)号：CN108034849A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711290988.X
申请日：2017-12-08
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石‑镁复合散热材料及其制备方法和应用，通过在金刚石表面生成碳化钛到钛铜合金的梯度层修饰提高金刚石与镁基体的界面结合，采用放电等离子烧结技术快速合成轻质且热导率高的金刚石‑镁复合散热材料，从而有效解决电子封装领域元器件随封装密度增大而产生的散热问题。
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公开(公告)号：CN106312056A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610862345.7
申请日：2016-09-29
Applicant: 许昌学院
IPC: B22F1/02
CPC classification number: B22F1/025
Abstract: 本发明公开了一种金刚石表面金属化方法，将清洗干净的金刚石与熔盐、微纳米金属及微纳米活性物质按一定比例混合均匀，在800-1000℃非氧化气氛条件下保温0.5-3h，随炉冷却至室温取出，经清洗处理，得到表面梯度层修饰的金刚石颗粒，实现金刚石表面金属化。本发明能够实现金刚石表面的梯度层修饰，使金刚石表面均匀包覆有由反应碳化物层、活性物质层、金属层组成的梯度层。
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公开(公告)号：CN101805136B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010125445.4
申请日：2010-03-11
IPC: C03C17/36
Abstract: 一种在ITO导电玻璃上原位制备纳米网状硫铟锌三元化合物光电薄膜的化学方法。该方法把具有纳米化铟锌合金表面的ITO导电玻璃基底材料、单质硫粉、以及无水乙醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中，单质硫粉的浓度为0.001～0.0015克硫/毫升无水乙醇溶剂，在160℃～180℃温度下反应12～24小时，反应结束后，自然冷却至室温，最后产物依次用去离子水和无水乙醇清洗，室温下自然晾干，即得到在ITO导电玻璃基底的铟锌合金表面原位制得由纳米薄片组成的网状ZnIn2S4三元化合物光电薄膜材料，其中纳米薄片厚度为20～30nm。本方法制得的薄膜透明，纳米网状结构形貌均一、完美，表面非常均匀平整。同时，本方法低温原位生长重复性好，操作简便，不需要进一步的后处理，环境友好，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN107032356B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201710280081.9
申请日：2017-04-26
Applicant: 许昌学院
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种多孔纳米硅的制备方法，包括以下步骤：化学气相沉积法制备镁二硅粉粗品，然后再用水热法处理镁二硅粉粗品，再将水热法处理后的产物纯化后即得到多孔纳米硅。本发明提供的多孔纳米硅的制备方法利用简单的设备，在相对较低的温度条件下，实现了大颗粒硅的多孔纳米化技术，大幅度降低了多孔纳米硅的制备成本。
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公开(公告)号：CN100545081C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200710052721.7
申请日：2007-07-12
Applicant: 许昌学院
Abstract: 一种树枝状硒化银纳米晶薄膜材料及制备方法。该材料的制法是把具有金属银表面的基底材料，单质硒粉，以及有机醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中，在120℃-180℃下反应，在基底材料的金属银表面原位制得由树枝状结构的硒化银纳米晶组成的薄膜材料，反应结束后，自然冷却至室温，产物用无水乙醇清洗，50℃以下干燥。所述的基底材料是指金属银箔片，表面镀了一层纳米金属银的半导体硅片、导电玻璃ITO等；本发明通过一步化学反应直接在具有金属银表面的基底上原位生长硒化银纳米晶薄膜，使用最简单的有机醇作为反应介质，环境友好；没有用到任何添加剂及表面活性剂，不需要后续的提纯步骤且晶型完美；反应快捷，操作方便，具有广泛的工业应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101121504A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710052721.7
申请日：2007-07-12
Applicant: 许昌学院
Abstract: 一种树枝状硒化银纳米晶薄膜材料及制备方法。该材料的制法是把具有金属银表面的基底材料，单质硒粉，以及有机醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中，在120℃－180℃下反应，在基底材料的金属银表面原位制得由树枝状结构的硒化银纳米晶组成的薄膜材料，反应结束后，自然冷却至室温，产物用无水乙醇清洗，50℃以下干燥。所述的基底材料是指金属银箔片，表面镀了一层纳米金属银的半导体硅片、导电玻璃ITO等；本发明通过一步化学反应直接在具有金属银表面的基底上原位生长硒化银纳米晶薄膜，使用最简单的有机醇作为反应介质，环境友好；没有用到任何添加剂及表面活性剂，不需要后续的提纯步骤且晶型完美；反应快捷，操作方便，具有广泛的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN108117274B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201711460936.2
申请日：2017-12-28
Applicant: 许昌学院
IPC: C03C17/25
Abstract: 本发明提供一种液相传输制备α‑氧化铁薄膜的方法，包括如下步骤：将草酸或草酸盐与硝酸盐溶于蒸馏水配成混合溶液，调节混合溶液的pH为1‑3；将混合溶液倒入高压反应釜的内衬中；向高压反应釜的内衬中加入固态含铁化合物粉末；将清洗过的导电玻璃基片放入高压反应釜内衬的混合溶液中，密封高压反应釜；将高压反应釜置于烘箱中反应后，自然冷却；取出沉积有α‑氧化铁薄膜的导电玻璃基片，用蒸馏水冲洗、自然干燥，得到α‑氧化铁薄膜。本发明可以避免使用高纯度可溶性铁盐前驱体，方法简便、操作方便，既能用于制备光电薄膜，又能循环利用含铁固体废弃物。
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公开(公告)号：CN108117274A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711460936.2
申请日：2017-12-28
Applicant: 许昌学院
IPC: C03C17/25
Abstract: 本发明提供一种液相传输制备α-氧化铁薄膜的方法，包括如下步骤：将草酸或草酸盐与硝酸盐溶于蒸馏水配成混合溶液，调节混合溶液的pH为1-3；将混合溶液倒入高压反应釜的内衬中；向高压反应釜的内衬中加入固态含铁化合物粉末；将清洗过的导电玻璃基片放入高压反应釜内衬的混合溶液中，密封高压反应釜；将高压反应釜置于烘箱中反应后，自然冷却；取出沉积有α-氧化铁薄膜的导电玻璃基片，用蒸馏水冲洗、自然干燥，得到α-氧化铁薄膜。本发明可以避免使用高纯度可溶性铁盐前驱体，方法简便、操作方便，既能用于制备光电薄膜，又能循环利用含铁固体废弃物。
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公开(公告)号：CN102169962B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110057346.1
申请日：2011-03-10
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种基于In2S3网状纳米晶阵列与P3HT杂化薄膜的太阳能电池器件。它是在具有纳米金属铟表面的ITO玻璃上原位反应制得网格状硫化铟纳米晶阵列并与P3HT复合后组装的薄膜太阳能电池器件。制法是：把具有纳米金属铟表面的ITO基底材料、单质硫粉及无水乙醇溶剂共置于反应釜中，在140℃-180℃直接反应12或24小时，在ITO基底材料表面原位制得具有纳米网状结构的硫化铟纳米晶阵列薄膜，反应结束后，自然冷却至室温，最后产物依次用去离子水和无水乙醇清洗，在真空50℃下烘干；然后将制备的硫化铟薄膜在氩气保护下旋涂P3HT，最后蒸镀一层Al或Au电极，即组装成太阳能电池器件。本方法成本低，克服了物理气相沉积法、喷涂裂解法、热蒸发法等方法制备工艺复杂的缺点，环境友好。
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公开(公告)号：CN101786650B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201010111402.0
申请日：2010-02-08
IPC: C01G5/00 , B82B3/00 , H01L31/032
Abstract: 一种低温下原位合成片状硫化银纳米晶光电薄膜的化学方法。该方法先将硫粉加入到容器中，然后加入有机溶剂，有机溶剂的体积大于容器容积的1/2，再将具有洁净金属银表面的基底材料倾斜或水平置于容器底部，避免与硫粉直接接触。把其基底材料和硫粉沉浸于溶剂液面之下，在20～60℃温度反应4～184小时，反应物中单质硫粉的浓度保持在饱和状态，即在具有洁净金属银表面的基底材料表面原位制得片状硫化银纳米晶组成的薄膜材料，产物用无水乙醇洗涤，室温干燥即可。获得具有洁净金属银表面基底材料的方法，是将具有金属银表面的基底材料置于无水乙醇中，用超声波清洗器清洗3分钟后浸泡于DMF或无水乙醇中待用。本方法低温、低能耗、方便快捷，便于工业化生产。
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