公开(公告)号：CN1221975A

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN98120725.1

申请日：1998-09-25

Applicant: 西门子公司

Inventor： 卡伊·赫克尔斯 ,  马塞厄斯·伊尔克

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3212

Abstract: 公开一种器件的制造工艺,能减小由抛磨引起的凹陷。凹陷减小是由于部分覆盖复杂表面形貌的第一层与覆盖表面形貌的第二层造成的。第二层比第一层更耐抛磨以致在复杂形貌的宽空隙中减小凹陷。

公开(公告)号：CN1210765C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN98120725.1

申请日：1998-09-25

Applicant: 西门子公司

Inventor： 卡伊·赫克尔斯 ,  马塞厄斯·伊尔克

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种用于在抛磨后提供改进的平面的表面的方法，包括：提供具有拓扑形貌的基片，其中此拓扑形貌包括由窄的空隙与宽的空隙所隔开的图形，其中这些图形的顶表面起到抛磨阻挡层的作用；在基片上方形成第一层，第一层包括掺杂硅酸盐玻璃；加热以回流该掺杂硅酸盐玻璃，以便填充窄的空隙，而不填充宽的空隙，其中，对窄的空隙的填充在窄空隙和由窄空隙分隔开的图形之上产生基本上平面的表面；在基片上方保形地形成第二层，以便填充宽的空隙，其中，第二层比第一层具有较低的抛磨速率；抛磨基片表面，其中第二层减小了在宽的空隙中的碟化凹陷，以与图形顶部形成平面的表面。

公开(公告)号：CN1161829C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN98120726.X

申请日：1998-09-25

Applicant: 西门子公司

Inventor： 布鲁诺·斯普勒 ,  于尔根·威特曼 ,  马丁·古奇 ,  沃尔夫冈·伯格纳 ,  马塞厄斯·伊尔克

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种用于形成半导体器件中的自对准接触的方法，该方法包括：提供一个半导体基片，该半导体基片具有一个上表面，并在其上形成有一个开孔；在所述上表面的至少一部分之上和开孔之内形成一氮化物层；在该氮化物层的至少一部分结合进碳，以形成一个碳化的氮化物层。

公开(公告)号：CN1214538A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN98120726.X

申请日：1998-09-25

Applicant: 西门子公司

Inventor： 布鲁诺·斯普勒 ,  于尔根·威特曼 ,  马丁·古奇 ,  沃尔夫冈·伯格纳 ,  马塞厄斯·伊尔克

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种用于形成半导体器件中的自对准接触的方法,该方法包括:提供一个半导体基片,该半导体基片具有一个上表面,并在其上形成有一个开孔;在所述上表面的至少一部分之上和开孔之内形成一氮化物层;在该氮化物层的至少一部分结合进碳,以形成一个碳化的氮化物层。