公开(公告)号：CN1211065A

公开(公告)日：1999-03-17

申请号：CN98115244.9

申请日：1998-06-25

Applicant: 西门子公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 马克斯·G·利维 ,  沃尔夫冈·伯格纳 ,  伯恩哈德·菲格尔 ,  乔治·R·戈斯 ,  保罗·帕里斯 ,  马修·J·森德尔巴赫 ,  王廷浩 ,  威廉·C·威尔 ,  于尔根·威特曼

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31053

Abstract: 一种防止设在台面的衬垫氮化物下面的基片受化学机械抛光诱发的损坏的方法,其利用化学机械抛光使多晶硅层平面化,直至它向下到达至少介电层的表面,以暴露介电层的一第一区域;用第一蚀刻参数部分蚀刻介电层的第一区域,第一蚀刻参数包括一蚀刻剂源气体,它基本上对衬垫氮化物层具有选择性,以保证即使存在化学机械抛光缺陷,衬垫氮化物层也不会被蚀刻掉;在部分蚀刻介电层的第一区域以后,除去多晶硅层。

公开(公告)号：CN1161829C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN98120726.X

申请日：1998-09-25

Applicant: 西门子公司

Inventor： 布鲁诺·斯普勒 ,  于尔根·威特曼 ,  马丁·古奇 ,  沃尔夫冈·伯格纳 ,  马塞厄斯·伊尔克

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种用于形成半导体器件中的自对准接触的方法，该方法包括：提供一个半导体基片，该半导体基片具有一个上表面，并在其上形成有一个开孔；在所述上表面的至少一部分之上和开孔之内形成一氮化物层；在该氮化物层的至少一部分结合进碳，以形成一个碳化的氮化物层。

公开(公告)号：CN1214538A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN98120726.X

申请日：1998-09-25

Applicant: 西门子公司

Inventor： 布鲁诺·斯普勒 ,  于尔根·威特曼 ,  马丁·古奇 ,  沃尔夫冈·伯格纳 ,  马塞厄斯·伊尔克

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种用于形成半导体器件中的自对准接触的方法,该方法包括:提供一个半导体基片,该半导体基片具有一个上表面,并在其上形成有一个开孔;在所述上表面的至少一部分之上和开孔之内形成一氮化物层;在该氮化物层的至少一部分结合进碳,以形成一个碳化的氮化物层。