公开(公告)号：CN119815851A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411753552.X

申请日：2024-12-02

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李祥东 ,  刘通 ,  张婕 ,  李秋爽 ,  翟丽荔 ,  程智博 ,  张远航 ,  游淑珍 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/47 ,  H10D62/85 ,  H10D64/23

Abstract: 本发明公开了一种漏极调制GaN器件的制备方法及漏极调制GaN器件，该方法在制备漏极调制GaN器件中两个厚度不同的P‑GaN层时，先沉积厚度较大的P‑GaN层，然后在不同的区域对P‑GaN层进行两次刻蚀，形成较厚的第一P‑GaN层和较薄的P‑GaN层；并且沉积的栅极P‑GaN上的金属与漏极P‑GaN的金属不同，使得栅极为肖特基接触，漏极与P‑GaN、源极、漏极为欧姆接触。根据本发明提供的方法，通过两步刻蚀的方法形成厚度不同的两个P‑GaN层，相较于传统刻蚀凹槽后再生长来制备混合漏极型GaN晶体管(HD‑GIT)从而减小动态导通电阻方法，本发明的工艺步骤较少、工艺复杂度较低；并且肖特基接触的栅极漏电流更小。

公开(公告)号：CN119364800A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411864714.7

申请日：2024-12-18

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李祥东 ,  程智博 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01 ,  H10D64/66

Abstract: 本申请公开了一种p‑GaN栅HEMT器件、制备方法、芯片以及电子设备，该器件结构包括：衬底层，依次位于衬底层上的缓冲层、沟道层、势垒层和p‑GaN层；隔离结构，位于HEMT器件的侧壁，其中，隔离结构贯穿于势垒层和沟道层，且位于缓冲层上；钝化层，位于p‑GaN层的侧壁且在势垒层上；MIM结构，位于p‑GaN层上；源极和漏极，分别位于p‑GaN层的不同侧，其中，源极和漏极分别贯穿于钝化层、势垒层和部分沟道层。本申请通过在p‑GaN层上的TiN金属层上表面沉积介质材料和沉积金属层，形成MIM/p‑GaN栅极结构，MIM结构能够抑制介质和氮化镓材料的界面态，提升p‑GaN栅极的耐压型，改善器件阈值电压漂移，减小栅极泄漏电流，进而得到具有高可靠性的p‑GaN栅增强型HEMT器件。

公开(公告)号：CN220065703U

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202321399381.6

申请日：2023-06-02

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李祥东 ,  张婕 ,  翟荔丽 ,  李秋爽 ,  刘通 ,  程智博 ,  张远航 ,  杨伟涛 ,  游淑珍 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型公开了一种增强型氧化镓晶体管，包括：衬底以及设置于衬底上的氧化镓外延层；氧化镓外延层的一端设置有电极生长台阶，电极生长台阶贯穿氧化镓外延层；源电极，设置于电极生长台阶上，并延伸至氧化镓外延层外；漏电极，设置于氧化镓外延层上；栅介质层，设置于氧化镓外延层的栅极位置区域；栅介质层位于源电极和漏电极之间；栅电极，设置于栅介质层上。本实用新型中的器件，具有常关特性，且结构简单，成本较低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN220065702U

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202321397977.2

申请日：2023-06-02

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李祥东 ,  程智博 ,  刘通 ,  张婕 ,  李秋爽 ,  翟荔丽 ,  张远航 ,  杨伟涛 ,  游淑珍 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型公开了一种增强型HEMT器件，包括：衬底以及依次设置于衬底上的沟道层和势垒层，沟道层和势垒层之间形成有二维电子气；P型栅介质层，设置于势垒层上的栅极位置区域，且P型栅介质层的两端均具有第一离子注入区，第一离子注入区贯穿P型栅介质层；栅电极，设置于P型栅介质层上；源电极和漏电极，分别设置于栅电极的两侧，并贯穿势垒层以及部分沟道层。本实用新型中的器件，P型栅介质层做了高阻侧墙处理，阻断了栅极介质漏电路径，具有较高的击穿电压和阈值电压稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN219286419U

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202223269316.X

申请日：2022-12-06

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李祥东 ,  李秋爽 ,  翟荔丽 ,  张婕 ,  刘通 ,  程智博 ,  杨伟涛 ,  游淑珍 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 本实用新型公开了一种Ga2O3MIS隧穿二极管器件。该Ga2O3MIS隧穿二极管器件包括自下而上依次设置的阴极、β‑Ga2O3衬底层、β‑Ga2O3漂移层、介质层和阳极；其中，介质层位于阳极与β‑Ga2O3漂移层之间；β‑Ga2O3衬底层和β‑Ga2O3漂移层均为Si或Sn掺杂的β‑Ga2O3材料，且β‑Ga2O3漂移层的掺杂浓度低于β‑Ga2O3衬底层的掺杂浓度。该Ga2O3MIS隧穿二极管器件在正向电流几乎保持不变、正向开启电压几乎保持不变的情况下，有效降低了反向漏电。