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公开(公告)号：CN102354540A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110319001.9
申请日：2011-10-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/046 , H01L21/0495 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/36 , H01L29/6606 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该n型SiC外延层(6)是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。
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公开(公告)号：CN102324913A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110182612.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HBT器件的可预置D触发器，主要解决现有技术工作速度慢、相位噪声高和工作频率低的问题。它包括第一锁存器(1)、第二锁存器(2)、预置电路(3)和选择电路(4)。第二锁存器的差分输出与预置电路连接，该预置电路用于对外部电路输入的预置信号进行采样并输出，第一锁存器、第二锁存器和预置电路的电流信号输入端与选择电路连接，该选择电路用于选择工作电路；所述单元电路中所有晶体管均采用异质结双极晶体管。本发明在选择信号的控制下能实现触发器功能或预置功能，具有工作速度快、相位噪声低以及工作频率高等优点，可应用于高速程序分频器中。
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公开(公告)号：CN102254581A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110182479.1
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅环状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明自上而下依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(3)、SiO2致密绝缘层(2)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)采用中心为一个圆环，周围是以该中心为圆心的多个圆环结构，环间由多个矩形条相连，环的外围留有多个引脚，同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明具有能量转换效率高的优点，可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。
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公开(公告)号：CN102254581B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201110182479.1
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅环状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明自上而下依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(3)、SiO2致密绝缘层(2)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)采用中心为一个圆环，周围是以该中心为圆心的多个圆环结构，环间由多个矩形条相连，环的外围留有多个引脚，同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明具有能量转换效率高的优点，可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。
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公开(公告)号：CN102280157A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110181205.0
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅网格状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)由多个相同的正方形网格组成，正方形网格由多个横向矩形条和多个纵向矩形条分割而成，整个网格电极的外围留有多个引脚；同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明能量转换效率高，可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102509569B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110318293.4
申请日：2011-10-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/00 , H01L31/115
Abstract: 本发明公开了一种I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中能量转换效率降低的问题。本发明的肖特基结型核电池自下而上依次包括n型欧姆接触电极(8)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底样片(7)、n型SiC外延层(6)、SiO2钝化层(5)、肖特基金属接触层(4)、肖特基接触电极(3)、键合层(2)和放射性同位素源层(1)，其中n型SiC外延层(6)通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。
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公开(公告)号：CN102280157B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201110181205.0
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅网格状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)由多个相同的正方形网格组成，正方形网格由多个横向矩形条和多个纵向矩形条分割而成，整个网格电极的外围留有多个引脚；同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明能量转换效率高，可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。
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公开(公告)号：CN102324913B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110182612.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HBT器件的可预置D触发器，主要解决现有技术工作速度慢、相位噪声高和工作频率低的问题。它包括第一锁存器(1)、第二锁存器(2)、预置电路(3)和选择电路(4)。第二锁存器的差分输出与预置电路连接，该预置电路用于对外部电路输入的预置信号进行采样并输出，第一锁存器、第二锁存器和预置电路的电流信号输入端与选择电路连接，该选择电路用于选择工作电路；所述单元电路中所有晶体管均采用异质结双极晶体管。本发明在选择信号的控制下能实现触发器功能或预置功能，具有工作速度快、相位噪声低以及工作频率高等优点，可应用于高速程序分频器中。
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公开(公告)号：CN102509569A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110318293.4
申请日：2011-10-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/00 , H01L31/115
Abstract: 本发明公开了一种I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中能量转换效率降低的问题。本发明的肖特基结型核电池自下而上依次包括n型欧姆接触电极(8)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底样片(7)、n型SiC外延层(6)、SiO2钝化层(5)、肖特基金属接触层(4)、肖特基接触电极(3)、键合层(2)和放射性同位素源层(1)，其中n型SiC外延层(6)通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。
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公开(公告)号：CN102354540B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110319001.9
申请日：2011-10-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/046 , H01L21/0495 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/36 , H01L29/6606 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该n型SiC外延层(6)是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。
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