公开(公告)号：CN120051055A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510150628.8

申请日：2025-02-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苗田 ,  王利明 ,  孙子翔 ,  张宁宁 ,  张一驰 ,  舒斌 ,  胡辉勇

IPC: H10F77/20 ,  H10F30/28 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基结可调谐的宽光谱光电探测器，包括：N型硅衬底、栅极铁电介质、栅电极、源电极和漏电极；源电极、栅极铁电介质和漏电极依次设置在N型硅衬底上，栅电极设置在栅极铁电介质上；栅极铁电介质的材料为铁电材料氧化铪，栅极铁电介质和栅电极共同构成铁电栅极；栅电极的材料为透明的金属氧化物。本发明使用硅CMOS制造技术以及简洁的器件结构，极大的降低了硅基红外探测器的制备难度，并借助铁电受到红外光照极化强度减弱的特点，将硅基红外探测器的探测长波限扩展到了近红外波段。本发明还公开了一种基于肖特基结可调谐的宽光谱光电探测器的制备方法和应用。

公开(公告)号：CN119668697A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411791564.1

申请日：2024-12-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡辉勇 ,  孟庆哲 ,  王利明

IPC: G06F9/38 ,  G06F9/30

Abstract: 本发明公开了一种基于预取的处理器加速取指方法及其装置，涉及计算机处理器技术领域，包括：获取指令；将指令进行预译码，得到指令的第一类别；根据执行类型，将部分第一类别的指令进行分类，得到指令的第二类别；按照预设的处理方法，对第一类别的指令和第二类别的指令进行跳转，以更新指令的目标地址，实现取指过程。本发明能够快速的获取所需的指令，实现高性能、低功耗、小面积、结构简单的处理器件，使得处理器具有良好的工程实用性。

公开(公告)号：CN113964213B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202111118652.1

申请日：2021-09-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 舒斌 ,  朱佳迪 ,  张二同 ,  胡辉勇 ,  王利明 ,  李婉

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供的一种GeSn波导型单行载流子光探测器结构及其制备方法，将GeSn材料、单行载流子光电探测器和Ge基波导型光电探测器结合在一起，适合单片光电集成，可以满足高光响应度、高响应速度与波段的器件性能要求。且本发明的光探测器工艺简单，通过楔形结构用于提高光波导与探测器之间的光耦合效率，以及锥形结构减小光探测器入射波导的光反射。因此本发明的光电探测器可以提高效率、光响应度以及响应速度。本发明所设计的GeSn波导型光探测器在1.55μm处的光响应度为1.25A/w，3dB带宽最大为160GHz。相比现有技术，本发明光探测器的光响应度和响应带宽方面均有很大的提升。

公开(公告)号：CN111952387B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202010733216.4

申请日：2020-07-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  尤杰 ,  孙浩 ,  张一弛 ,  元磊 ,  胡辉勇 ,  王斌 ,  韩本光 ,  舒斌

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种紫外、可见与红外宽谱光电探测器及其制备方法，该制备方法包括：选取清洗完成的玻璃衬底；在所述玻璃衬底上制备电极阵列，所述电极阵列包括若干间隔排列的金属电极；将纳米纤维喷在制备有所述电极阵列的所述玻璃衬底上，以制备覆盖所述电极阵列的ZnO纳米线薄膜；将Ge量子点旋涂在所述ZnO纳米线薄膜上，以制备Ge量子点薄膜；在所述玻璃衬底的背面制备金属薄膜。本发明所制备的光电探测器具有ZnO纳米线与Ge量子点复合的结构，可以将两种材料的优势相结合，本发明采用低成本的方法实现了宽谱的探测。

公开(公告)号：CN111863937B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202010537107.5

申请日：2020-06-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王斌 ,  陈睿 ,  罗昭 ,  蔺孝堃 ,  陈瑶 ,  胡辉勇

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种具有埋层结构的n型TFET器件及其制备方法，所述n型TFET器件包括：衬底；衬底表面设有源区、漏区以及沟道区；其中，源区和漏区分别位于沟道区的两端；沟道区下方设置有埋层，埋层起始于沟道区与源区的交界处，且埋层的长度小于沟道区的长度；沟道区上方设有栅极结构；栅极结构包括栅电极以及位于栅电极和沟道区之间的栅介质层；源区和漏区上分别对应设有源电极和漏电极。本发明提供的n型TFET器件降低了对栅极金属功函数的要求，使器件阈值电压得到降低，GIDL效应得到抑制；同时，由于衬底隧穿结的引入，增大了器件的隧穿面积，提升了开态电流，提高了器件性能。

公开(公告)号：CN113097333B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202110240656.0

申请日：2021-03-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  魏颖 ,  孙浩 ,  胡辉勇 ,  张一驰 ,  王博 ,  张蓓 ,  邵际芳 ,  苑西西 ,  王斌 ,  舒斌

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括本征Si衬底层，位于本征Si衬底层上方的绝缘反射层，位于绝缘反射层上方的本征Ge衬底层，位于本征Ge衬底层表面两侧的金属电极，以及位于金属电极之间的复合纳米结构阵列，其中，每个复合纳米结构阵列单元包括Ge纳米结构和位于Ge纳米结构上方的金属纳米结构。本发明通过在本征Ge衬底层上形成包括Ge纳米结构和金属纳米结构复合纳米结构阵列，实现了Ge材料的本征吸收以及Ge上金属内部电子热吸收的双吸收机制，扩大了吸收范围，提高了探测效率；同时可通过调整结构参数实现红外通信波段的不同双波段响应。

公开(公告)号：CN111952395B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202010699949.0

申请日：2020-07-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  孟令尧 ,  孙浩 ,  尤杰 ,  胡辉勇 ,  王斌 ,  韩本光 ,  舒斌

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法，包括：在水表面制备金属纳米球阵列；将Ge衬底置于水中，并提取承载有金属纳米球阵列的Ge衬底；对承载有金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理，得到层叠设置的Ge衬底和金属纳米球阵列；在具有金属纳米球阵列的Ge衬底的一面生长SiO2材料得到SiO2层；在SiO2层上制备MoS2层；在MoS2层上制备第一正面电极和第二正面电极；在Ge衬底下表面制备背面电极。本发明具有红外探测响应度增强、低功率红外探测能力增强、红光波段吸收能力增强、纳米球转移工艺简单等优点，从而能够有效提高红外波段的响应度，降低制造难度，降低制造成本。

公开(公告)号：CN114710020A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210278187.6

申请日：2022-03-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张艺蒙 ,  李宇飞 ,  林大松 ,  胡辉勇 ,  张玉明

IPC: H02M1/36 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明提供的一种适用于SIBO开关电源的软启动控制方法，通过在每个锯齿波信号周期内控制开关电源的晶体管循环进入第二和第三开关状态，通过对电感的充放电过程以将电感电流限制在第二电流上限值以下；然后引入第一开关状态形成第一至第三开关状态的循环过程实现对第一输出端电压进行反馈调节，再引入第四开关状态，形成第一、第二、第三、第四或第一、第二、第四开关状态的循环过程实现维持第一输入端电压以及第二输出端电压之和稳定反馈调节。本发明可实现第一输入端电压、第二输入端电压以及电感电流的软启动，启动时将电感电流限制在过流限以下保证电路电流始终工作在安全范围内，且第一输出端电压稳定建立后第二输出端电压才会启动。

公开(公告)号：CN113937173A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111118658.9

申请日：2021-09-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 舒斌 ,  张二同 ,  朱佳迪 ,  胡辉勇 ,  王利明 ,  景文龙

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供的一种光栅耦合型Ge系近红外波导探测器及其制备方法，通过生长Si层和SiO2层，使得Si层与SiO2层构成布拉格反射镜结构提高耦合效率，在P型Si材料层刻蚀形成的聚焦型非均匀光栅结构，在P型Si材料层与GeSn合金材料之间生长一层较薄的掺杂浓度低于P型Si材料层Ge材料缓冲层，降低晶格失配的影响以及减少俄歇复合产生的光损耗，生成的本征Ge0.94Sn0.06材料层可以减少光吸收层的长度并且可以将光探测范围扩展到更长。因此本发明的光栅耦合型Ge系近红外波导探测器不仅可以解决传统探测器耦合效率低、光响应低等问题还可以满足近红外光谱探测，具有高速、高响应及易与硅基集成的特点，具有较高的光电转换效率和光稳定性。

公开(公告)号：CN113517363A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110548026.X

申请日：2021-05-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  张蓓 ,  胡辉勇 ,  张一驰 ,  张宁宁 ,  孙浩 ,  韩钊 ,  苑西西 ,  舒斌

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种红外光电探测器，涉及光电技术领域，红外光电探测器包括本征衬底层、以及位于本征衬底层一侧的纳米线、金属线和电极，由于本征衬底层和纳米线均包括锗锡材料，因此不仅增强了半导体材料本征吸收，也能够扩展中红外探测器的光响应截止波长；同时，金属线结构与纳米线结构的引入可有效提高光电探测器在红外通信波段的响应度，拓宽光电探测器的探测范围。此外，纳米线包括多条第一纳米线和多条第二纳米线、且多条第一纳米线与多条第二纳米线垂直，此种设计方式可使红外光电探测器呈对称结构，当入射光在0到360°之间变化时，红外光电探测器的光吸收性能基本上不发生变化，保证了红外光电探测器的可靠性。