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公开(公告)号：CN113644070A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110688281.4
申请日：2021-06-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/49 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种基于FD GeOI工艺的新型CMOS反相器及其制备方法，上述反相器包括采用GeOI衬底的PMOS器件和NMOS器件，PMOS器件与NMOS器件的栅电极相互连接并作为整个CMOS反相器的输入端，PMOS器件与NMOS器件的漏极相互连接并作为整个CMOS反相器的输出端，PMOS器件的源电极接高电源端，NMOS器件的源电极接地；其中，NMOS器件为具有埋层结构的积累模式JLFET，PMOS为常规反型模式的MOSFET。本发明提供的CMOS反相器通过引入具有埋层结构的n型JLFET，使得PMOS器件和n型JLFET器件可采用同功函数的栅极金属，简化了CMOS的栅极设计，降低了工艺复杂度。同时，埋层结构的引入，还可抑制JLFET固有的GIDL效应，并降低了JLFET的阈值电压，有效减少了CMOS的功耗，改善了CMOS性能。
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公开(公告)号：CN111863967A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010537128.7
申请日：2020-06-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有埋层结构的新型低阈值JLFET器件及其制备方法，JLFET器件包括：衬底；衬底表面设有源区、漏区以及沟道区；其中，源区和漏区分别位于沟道区的两端；沟道区下方设置有埋层，埋层起始于沟道区与源区的交界处，且埋层的长度小于沟道区的长度；沟道区上方设有栅极结构；JLFET器件的有源区周围环绕有重掺杂隔离区，重掺杂隔离区上设有衬底电极。不同于常规JLFET，本发明所提供的JLFET器件通过在沟道底下引入重掺杂埋层，利用重掺杂埋层与沟道区之间的衬底PN结的耗尽区，实现关态时对沟道的夹断，降低了对栅极金属功函数的要求，使得器件阈值电压得到降低，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN113644069B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110686635.1
申请日：2021-06-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/49 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种具有同质栅极金属的新型CMOS反相器及其制备方法，该反相器包括设置于衬底上的p型JLFET以及n型MOSFET，p型JLFET与n型MOSFET之间通过浅槽沟道隔离结构隔离开，p型JLFET与n型MOSFET的栅电极相互连接并作为CMOS反相器的输入端，p型JLFET与n型MOSFET的漏极相互连接并作为CMOS反相器的输出端，p型JLFET的源电极接高电源端，n型MOSFET的源电极接地；其中，p型JLFET是具有埋层结构的积累模式JLFET。本发明通过引入具有埋层结构的p型JLFET，改善了反相器中n型器件和p型器件的对称性问题，使得反相器的转换性能更优秀；同时，还可以使n型器件和p型器件采用相同功函数的栅极金属，简化了栅极设计，降低了工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN112234036B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010953459.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L23/36 , H01L23/427 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/04
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式制冷热管的LTCC封装微系统及其制备方法，该LTCC封装微系统包括LTCC基板、若干热管、半导体制冷片、热源芯片、封装部分，LTCC基板上设置有半通凹槽；若干热管并列设置在半通凹槽的底部，每个热管均延伸出半通凹槽以与外部冷却装置连接；半导体制冷片设置在半通凹槽的顶部，其散热端与若干热管的表面贴合；热源芯片横跨半通凹槽且设置在半导体制冷片的制冷端一侧；封装部分覆盖在LTCC基板的设置有半通凹槽的一侧，形成密闭腔体。该LTCC封装微系统中用嵌入在LTCC基板中的半导体制冷片和若干热管对微系统内的热源芯片进行制冷散热，克服了LTCC封装技术散热能力差的问题，实现对LTCC电路系统热源芯片的高效率制冷。
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公开(公告)号：CN112218486B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202010906195.1
申请日：2020-09-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H05K7/20 , F25B21/02 , H01L23/38 , H01L23/427 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种基于热管及热电制冷器的LTCC集成制冷系统，包括：热电制冷器、热管组件以及由下至上依次设置的下层瓷片、中层瓷片和上层瓷片；上层瓷片上开设有安装通孔；热电制冷器固设在所述安装通孔内；中层瓷片上开设有多个导热通孔；导热通孔中填充有金属柱；下层瓷片上开设有安装槽；热管组件位于安装槽内且与外部的冷却设备连接；金属柱的上端与热电制冷器的热端接触。本发明的基于热管及热电制冷器的LTCC集成制冷系统通过热电制冷器和热管组件能够快速有效的对热源芯片进行制冷，使热源芯片能够在合适的低温下持续工作，解决了LTCC基板散热差的问题，提高了LTCC基板的散热性能。本发明还公开了基于热管及热电制冷器的LTCC集成制冷系统的制作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112218486A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010906195.1
申请日：2020-09-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H05K7/20 , F25B21/02 , H01L23/38 , H01L23/427 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种基于热管及热电制冷器的LTCC集成制冷系统，包括：热电制冷器、热管组件以及由下至上依次设置的下层瓷片、中层瓷片和上层瓷片；上层瓷片上开设有安装通孔；热电制冷器固设在所述安装通孔内；中层瓷片上开设有多个导热通孔；导热通孔中填充有金属柱；下层瓷片上开设有安装槽；热管组件位于安装槽内且与外部的冷却设备连接；金属柱的上端与热电制冷器的热端接触。本发明的基于热管及热电制冷器的LTCC集成制冷系统通过热电制冷器和热管组件能够快速有效的对热源芯片进行制冷，使热源芯片能够在合适的低温下持续工作，解决了LTCC基板散热差的问题，提高了LTCC基板的散热性能。本发明还公开了基于热管及热电制冷器的LTCC集成制冷系统的制作方法。
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公开(公告)号：CN111863937A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010537107.5
申请日：2020-06-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种具有埋层结构的新型大电流n型TFET器件及其制备方法，所述n型TFET器件包括：衬底；衬底表面设有源区、漏区以及沟道区；其中，源区和漏区分别位于沟道区的两端；沟道区下方设置有埋层，埋层起始于沟道区与源区的交界处，且埋层的长度小于沟道区的长度；沟道区上方设有栅极结构；栅极结构包括栅电极以及位于栅电极和沟道区之间的栅介质层；源区和漏区上分别对应设有源电极和漏电极。本发明提供的n型TFET器件降低了对栅极金属功函数的要求，使器件阈值电压得到降低，GIDL效应得到抑制；同时，由于衬底隧穿结的引入，增大了器件的隧穿面积，提升了开态电流，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN111863937B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010537107.5
申请日：2020-06-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种具有埋层结构的n型TFET器件及其制备方法，所述n型TFET器件包括：衬底；衬底表面设有源区、漏区以及沟道区；其中，源区和漏区分别位于沟道区的两端；沟道区下方设置有埋层，埋层起始于沟道区与源区的交界处，且埋层的长度小于沟道区的长度；沟道区上方设有栅极结构；栅极结构包括栅电极以及位于栅电极和沟道区之间的栅介质层；源区和漏区上分别对应设有源电极和漏电极。本发明提供的n型TFET器件降低了对栅极金属功函数的要求，使器件阈值电压得到降低，GIDL效应得到抑制；同时，由于衬底隧穿结的引入，增大了器件的隧穿面积，提升了开态电流，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN113644069A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110686635.1
申请日：2021-06-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/49 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种具有同质栅极金属的新型CMOS反相器及其制备方法，该反相器包括设置于衬底上的p型JLFET以及n型MOSFET，p型JLFET与n型MOSFET之间通过浅槽沟道隔离结构隔离开，p型JLFET与n型MOSFET的栅电极相互连接并作为CMOS反相器的输入端，p型JLFET与n型MOSFET的漏极相互连接并作为CMOS反相器的输出端，p型JLFET的源电极接高电源端，n型MOSFET的源电极接地；其中，p型JLFET是具有埋层结构的积累模式JLFET。本发明通过引入具有埋层结构的p型JLFET，改善了反相器中n型器件和p型器件的对称性问题，使得反相器的转换性能更优秀；同时，还可以使n型器件和p型器件采用相同功函数的栅极金属，简化了栅极设计，降低了工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN112234036A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010953459.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L23/36 , H01L23/427 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/04
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式制冷热管的LTCC封装微系统及其制备方法，该LTCC封装微系统包括LTCC基板、若干热管、半导体制冷片、热源芯片、封装部分，LTCC基板上设置有半通凹槽；若干热管并列设置在半通凹槽的底部，每个热管均延伸出半通凹槽以与外部冷却装置连接；半导体制冷片设置在半通凹槽的顶部，其散热端与若干热管的表面贴合；热源芯片横跨半通凹槽且设置在半导体制冷片的制冷端一侧；封装部分覆盖在LTCC基板的设置有半通凹槽的一侧，形成密闭腔体。该LTCC封装微系统中用嵌入在LTCC基板中的半导体制冷片和若干热管对微系统内的热源芯片进行制冷散热，克服了LTCC封装技术散热能力差的问题，实现对LTCC电路系统热源芯片的高效率制冷。
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