公开(公告)号：CN111952395B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202010699949.0

申请日：2020-07-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  孟令尧 ,  孙浩 ,  尤杰 ,  胡辉勇 ,  王斌 ,  韩本光 ,  舒斌

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法，包括：在水表面制备金属纳米球阵列；将Ge衬底置于水中，并提取承载有金属纳米球阵列的Ge衬底；对承载有金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理，得到层叠设置的Ge衬底和金属纳米球阵列；在具有金属纳米球阵列的Ge衬底的一面生长SiO2材料得到SiO2层；在SiO2层上制备MoS2层；在MoS2层上制备第一正面电极和第二正面电极；在Ge衬底下表面制备背面电极。本发明具有红外探测响应度增强、低功率红外探测能力增强、红光波段吸收能力增强、纳米球转移工艺简单等优点，从而能够有效提高红外波段的响应度，降低制造难度，降低制造成本。

公开(公告)号：CN111952395A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010699949.0

申请日：2020-07-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  孟令尧 ,  孙浩 ,  尤杰 ,  胡辉勇 ,  王斌 ,  韩本光 ,  舒斌

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法，包括：在水表面制备金属纳米球阵列；将Ge衬底置于水中，并提取承载有金属纳米球阵列的Ge衬底；对承载有金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理，得到层叠设置的Ge衬底和金属纳米球阵列；在具有金属纳米球阵列的Ge衬底的一面生长SiO2材料得到SiO2层；在SiO2层上制备MoS2层；在MoS2层上制备第一正面电极和第二正面电极；在Ge衬底下表面制备背面电极。本发明具有红外探测响应度增强、低功率红外探测能力增强、红光波段吸收能力增强、纳米球转移工艺简单等优点，从而能够有效提高红外波段的响应度，降低制造难度，降低制造成本。

公开(公告)号：CN112349717B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202010988350.9

申请日：2020-09-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡辉勇 ,  王斌 ,  王利明 ,  舒斌 ,  韩本光 ,  孟令尧 ,  陈睿 ,  宣荣喜 ,  张鹤鸣

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种FinFET CMOS结构及其制备方法，该FinFET CMOS结构包括nFinFET和pFinFET，所述nFinFET包括在半导体衬底上设置的若干第一鳍部和第一栅电极，所述pFinFET包括在半导体衬底上设置的若干第二鳍部和第二栅电极，其中，所述第一鳍部与所述第二鳍部由相同导电类型的半导体材料形成；所述第一栅电极与所述第二栅电极由相同功函数的导电材料形成。本发明的FinFET CMOS减少了制备FinFET CMOS的工艺步骤，缩减了工艺过程，从而可以降低工艺难度和制备成本，由此还有益于提升FinFET CMOS及其集成电路的性能与可靠性。

公开(公告)号：CN112687689A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011435233.6

申请日：2020-12-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  胡辉勇 ,  王斌 ,  舒斌 ,  孟令尧 ,  杨茂龙 ,  史鑫龙 ,  陈睿 ,  宣荣喜 ,  张鹤鸣

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种FD CMOS结构及其制备方法，该FD CMOS结构包括nMOS和pMOS，所述nMOS包括由半导体衬底的顶层半导体形成的第一沟道区和设置在所述第一沟道区上的第一栅电极，所述pMOS包括由半导体衬底的顶层半导体形成的第二沟道区和设置在所述第二沟道区上的第二栅电极，且所述半导体衬底还包括埋氧化层，所述顶层半导体位于所述埋氧化层之上，其中，所述第一沟道区与所述第二沟道区由相同导电类型的顶层半导体材料形成；所述第一栅电极与所述第二栅电极由相同功函数的导电材料形成。本发明的FD CMOS减少了制备FD CMOS的工艺步骤，缩减了工艺过程，从而可以降低工艺难度和制备成本，由此还有益于提升FD CMOS及其集成电路的性能与可靠性。

公开(公告)号：CN112349717A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010988350.9

申请日：2020-09-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡辉勇 ,  王斌 ,  王利明 ,  舒斌 ,  韩本光 ,  孟令尧 ,  陈睿 ,  宣荣喜 ,  张鹤鸣

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种FinFET CMOS结构及其制备方法，该FinFET CMOS结构包括nFinFET和pFinFET，所述nFinFET包括在半导体衬底上设置的若干第一鳍部和第一栅电极，所述pFinFET包括在半导体衬底上设置的若干第二鳍部和第二栅电极，其中，所述第一鳍部与所述第二鳍部由相同导电类型的半导体材料形成；所述第一栅电极与所述第二栅电极由相同功函数的导电材料形成。本发明的FinFET CMOS减少了制备FinFET CMOS的工艺步骤，缩减了工艺过程，从而可以降低工艺难度和制备成本，由此还有益于提升FinFET CMOS及其集成电路的性能与可靠性。