公开(公告)号：CN116426898A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310422945.1

申请日：2023-04-14

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 常娟雄 ,  王一 ,  杨林安 ,  黄永 ,  卢灏 ,  陈兴 ,  吴勇 ,  王东 ,  韩超 ,  陈财 ,  龚子刚 ,  万坤 ,  董栩婷 ,  邵语嫣 ,  陆俊 ,  薛荣宇 ,  何祺伟 ,  解靖飞 ,  王亦飞 ,  张畅

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长多孔氧化铝掩膜层；多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔贯穿多孔氧化铝掩膜层；在多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔内生长氮化铝填充层；去除氧化铝掩膜层；在氮化铝填充层内以及氮化铝填充层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层生长氮化镓外延层。本发明中的方法，将大量位错终止在氮化铝填充层与氮化镓缓冲层的界面处，提高生长于氮化镓缓冲层上的氮化镓外延层的质量。

公开(公告)号：CN117613120A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311514753.X

申请日：2023-11-10

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 董栩婷 ,  张畅 ,  黄永 ,  包军林 ,  王一 ,  王亦飞 ,  卢灏 ,  解靖飞 ,  常娟雄 ,  陈财 ,  龚子刚 ,  万坤 ,  邵语嫣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种日盲光电探测器及其制备方法，其中的日盲光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的AlN缓冲层和GaN沟道层；AlGaN势垒层，设置于GaN沟道层上，且AlGaN势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气；AlGaN势垒层覆盖GaN沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域，并在阴极位置区域和阳极位置区域之间的区域形成叉指状结构；阴电极和阳电极，分别设置于阴极位置区域和阳极位置区域的AlGaN势垒层上；一维光子晶体层，设置于叉指状结构的AlGaN势垒层上。本发明中的日盲光电探测器，光生电流较高、响应度较高、暗电流较低，且成本较低。

公开(公告)号：CN115299943A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210851702.5

申请日：2022-07-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张弘 ,  兰军 ,  娄利飞 ,  张键 ,  韩康 ,  王一 ,  邓智林

IPC: A61B5/16 ,  A61B5/00 ,  A61B5/01 ,  A61B5/0205 ,  A61B5/11 ,  A61B5/24

Abstract: 本发明公开了一种情绪监测方法及其装置，涉及嵌入式开发技术领域，包括：采集待监测人的原始生理参数；对原始生理参数进行信号放大和信号降噪处理，得到处理后的生理参数；将处理后的生理参数输入预设的第一模型，输出待监测人的第一情绪状态等级；判断待监测人的第一情绪状态等级是否位于第一条件，如果不是，则以第一情绪状态等级作为待监测人的情绪状态等级；如果是，则将处理后的生理参数与预设的数据库中的样本数据进行差异匹配，选取差值绝对值最小的预设的数据库，作为待监测人的情绪状态等级；根据待监测人的情绪状态等级，进行相应的警告；其中，警告程度包括不警告、警告程度一和警告程度二。本申请能够提高情绪判断的准确性。

公开(公告)号：CN117476557A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311460344.6

申请日：2023-11-01

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 谈浩 ,  薛荣宇 ,  黄永 ,  陈财 ,  常娟雄 ,  王一 ,  解靖飞 ,  王亦飞

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了一种CFET的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：刻蚀GaN外延片，形成阻断GaN外延层中载流子流动的隔离槽；刻蚀去除NFET生长区域中的第一源极区域和第一漏极区域的P‑GaN层，并对应生长第一源极和第一漏极；对NFET生长区域中的第一栅源之间区域和第一栅漏之间区域以及PFET生长区域中的第二栅极区域的P‑GaN层进行氢等离子体注入，以在这些区域形成i‑GaN层；在第二栅极区域的i‑GaN层上生长栅极介质层；分别在NFET生长区域中的第一栅极区域、PFET生长区域中的第二源极区域、第二漏极区域和第二栅极区域生长第一栅极、第二源极、第二漏极和第二栅极。本发明中的方法，能够提高制备得到的CFET器件的性能，且工艺流程简单。

公开(公告)号：CN116084018A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310106414.1

申请日：2023-02-13

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 常娟雄 ,  王一 ,  黄永 ,  卢灏 ,  邱慧嫣 ,  程晨言 ,  陈兴 ,  陈财 ,  龚子刚 ,  万坤 ,  董栩婷 ,  邵语嫣 ,  薛荣宇 ,  王东 ,  吴勇 ,  韩超

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长牺牲层；牺牲层内具有形成蜂窝状结构的多个外延孔，外延孔贯穿牺牲层，且外延孔远离衬底的一端的直径小于靠近衬底的一端的直径；在外延孔内以及牺牲层上外延生长氮化镓层。本发明中的方法，能够过滤来自衬底的穿透位错，减小了生长于牺牲层上方的氮化镓层的开裂的可能性，实现高质量氮化镓层的外延生长。

公开(公告)号：CN119007504A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410957278.1

申请日：2024-07-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡云 ,  王一 ,  陈妍 ,  曹进 ,  马英红 ,  马建鹏

IPC: G08G5/00 ,  G08G5/06 ,  H04W36/08

Abstract: 本发明公开了一种基于资源预留的低时延无人机网络越区切换方法，主要解决现有技术中基站的部署成本高，越区切换时延大与资源分配冲突的问题。其实现方案是：将无人机飞行区域按照地理栅格分簇；节点根据预切换信息与位置信息向簇首上报飞行信息；簇首节点根据收到的飞行信息生成簇间交互信息并发至各邻簇；邻簇的簇首节点根据簇间交互信息释放冗余预留资源，为预切换节点预留时隙资源，更新簇间交互信息并发至各邻簇；预切换节点侦听到簇间交互信息，存储与本节点相关的预留资源信息；预切换节点发生越区切换后，立即使用预留资源在新簇内工作，完成越区切换。本发明的越区切换时延小，无需基站参与，部署成本低且资源分配无冲突，可用于节点快速移动的无人机自组织网络。

公开(公告)号：CN116798855A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310751770.9

申请日：2023-06-25

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 常娟雄 ,  王一 ,  黄永 ,  杨林安 ,  卢灏 ,  邵语嫣 ,  陈兴 ,  吴勇 ,  王东 ,  陆俊 ,  王亦飞 ,  台运涛 ,  何祺伟 ,  张畅 ,  解靖飞 ,  龚子刚 ,  薛荣宇

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓外延层的制备方法，该方法包括如下步骤：在衬底上生长第一氮化铝掩膜层，第一氮化铝掩膜层内包含若干第一氮化铝柱；在第一氮化铝掩膜层上生长第二氮化铝掩膜层，第二氮化铝掩膜层中的第二氮化铝柱为在第一氮化铝柱上成核生长，且相邻第二氮化铝柱之间的间距随着远离第一氮化铝柱逐渐减小；第二氮化铝掩膜层的生长温度高于第一氮化铝掩膜层的生长温度；在第二氮化铝掩膜层上生长氮化镓外延层；将氮化镓外延层自衬底上剥离。本发明中的方法，能够有效减少了衬底向外延层贯穿的穿透位错，缓解氮化镓外延冷却过程中的拉应力，且实现难度较低、时间较短、成本较低。