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公开(公告)号：CN119993875A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510184943.2
申请日：2025-02-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/223
Abstract: 本发明涉及集成电路制造领域，公开了一种优化高浓度掺硼工艺表面缺陷的控制结构及方法，该控制结构包括气体分流组件以及掺硼工艺载片放置组件；所述掺硼工艺载片放置组件上放置有若干组掺硼工艺载片单元，所述气体分流组件位于若干组掺硼工艺载片单元的正上方，其中气体分流组件上设有若干气体输入口和若干气体输出口；若干气体输入口用于接入工艺氮气或压缩空气；若干气体输出口朝向若干组掺硼工艺载片单元设置。本发明通过氮气或压缩空气吹扫，以此对高浓度掺硼工艺周围的环境湿度进行管控，显著减少了高浓度掺硼工艺的吸潮风险点，降低了晶圆在掺硼工艺过程中可能产生的表面缺陷，从而提高了晶圆的表面质量和整体性能。
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