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公开(公告)号：CN112366181A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011174060.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明一种若干个多芯片/硅转接板组件的倒装焊叠层组装方法，所述方法包括步骤1，在硅转接板的倒装焊区域涂抹助焊剂，或用若干个倒装焊芯片蘸取助焊剂，将芯片焊球分别与硅转接板焊盘对位后贴片；步骤2，将初步形成的组件真空回流焊接，之后清洗进行倒装焊芯片的底部填充及硅转接板背面的植球，重复得若干个多芯片/硅转接板组件；步骤3，在管壳的倒装焊区域涂抹助焊剂，选取靠近中心位置和高度最高的倒装焊芯片表面作为拾取点，分别将组件与管壳对位后贴片；步骤4，将形成的模块真空回流焊接，清洗再进行硅转接板的底部填充，能够显著提高组装效率，提高倒装焊质量，兼容不同厚度、尺寸的倒装焊芯片组装，具有重要的社会效益和经济价值。
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公开(公告)号：CN111739868A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010614042.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种高热导率的LTCC基板及其制作方法，该基板在IC芯片的下方设置了密封盖板，密封盖板的下部设置有柱状群体，整个密封盖板为高热导率材料，使得芯片的热量通过密封盖板传递至通道中的冷却液中，该结构实现了热源热量快速、有效的传递到流体的传热路径，还实现了基板流体通道与外部流体的循环互联，极大地提高了LTCC基板的散热性能，为大功率SiP电路、射频微波模块电路提供一种主动散热的方法，具有重要的社会效益和经济价值。
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公开(公告)号：CN111681965A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010567403.X
申请日：2020-06-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/48 , H01L31/18 , H01L31/0392
Abstract: 本发明公开了一种高密度通孔互连的双面光电基片的制造方法，该方法基于激光加工技术在陶瓷基片上制作微通孔，辅助通孔填充与表面平坦化，膜层溅射、布线线条制作等流程，实现高密度微通孔双面互联光电陶瓷基片的制造。基于激光对AlN陶瓷的精细加工技术，研究高密度微通孔互连光电器件制作技术，通过对高密度微通孔双面互连技术，使得基片的双面通过通孔连接，通孔中填充的为Au，解决光电模块器件电路的背面也要具备相应的功能并与正面图形互连及可靠性问题；基于磁控溅射技术制备金属膜层，实现了高密度微通孔互连光电器件制作技术，通过金属化层进行图形化工艺技术，高效实现厚膜填孔工艺和薄膜图形化工艺的有效结合。
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公开(公告)号：CN111739868B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202010614042.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种高热导率的LTCC基板及其制作方法，该基板在IC芯片的下方设置了密封盖板，密封盖板的下部设置有柱状群体，整个密封盖板为高热导率材料，使得芯片的热量通过密封盖板传递至通道中的冷却液中，该结构实现了热源热量快速、有效的传递到流体的传热路径，还实现了基板流体通道与外部流体的循环互联，极大地提高了LTCC基板的散热性能，为大功率SiP电路、射频微波模块电路提供一种主动散热的方法，具有重要的社会效益和经济价值。
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公开(公告)号：CN113066755A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110310695.3
申请日：2021-03-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种芯片背面金属化夹具及芯片背面金属化方法，包括衬底，所述衬底的上端面平行设置有两个第一挡条，所述衬底的上端面还设置有至少两个第二挡条，每个所述第二挡条的一端与一个所述第一挡条的一侧垂直接触，每个所述第二挡条的另一端与另一个所述第一挡条的一侧垂直接触，相邻的两个所述第二挡条之间设置有与待制作金属化膜层的芯片尺寸相匹配的间距；每个所述第一挡条和每个所述第二挡条均采用与所述芯片晶向结构相同的硅片。本发明能够稳定固定芯片，杜绝芯片“侧面爬金”问题，使背金工艺过程操作便捷，背金成品率高且可实现批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380755B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110656481.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/498 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/49 , H01L23/492 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种多层芯片叠层组件封装结构及其制备工艺，属于多层芯片封装技术领域。所述多层芯片叠层组件封装结构包括置于管壳内的多芯片堆叠组件单元和薄膜基板转接板，薄膜基板转接板设于相邻的多芯片堆叠组件单元之间；其中，管壳的底面上设有管壳金导带，薄膜基板转接板上设有转接板金导带；设于薄膜基板转接板上方的多芯片堆叠组件单元通过键合丝与转接板金导带连接，转接板金导带上引出键合丝与管壳金导带连接；底层的多芯片堆叠组件单元上引出键合丝与管壳金导带连接。所述制备工艺采用正向键合工艺和反向键合工艺配合，避免了现有键合工艺限制芯片叠层层数的缺陷，减少了多层芯片叠层组件中键合区的长度要求，达到密封性封装要求。
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公开(公告)号：CN113066755B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202110310695.3
申请日：2021-03-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种芯片背面金属化夹具及芯片背面金属化方法，包括衬底，所述衬底的上端面平行设置有两个第一挡条，所述衬底的上端面还设置有至少两个第二挡条，每个所述第二挡条的一端与一个所述第一挡条的一侧垂直接触，每个所述第二挡条的另一端与另一个所述第一挡条的一侧垂直接触，相邻的两个所述第二挡条之间设置有与待制作金属化膜层的芯片尺寸相匹配的间距；每个所述第一挡条和每个所述第二挡条均采用与所述芯片晶向结构相同的硅片。本发明能够稳定固定芯片，杜绝芯片“侧面爬金”问题，使背金工艺过程操作便捷，背金成品率高且可实现批量生产。
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公开(公告)号：CN111681965B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202010567403.X
申请日：2020-06-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/48 , H01L31/18 , H01L31/0392
Abstract: 本发明公开了一种高密度通孔互连的双面光电基片的制造方法，该方法基于激光加工技术在陶瓷基片上制作微通孔，辅助通孔填充与表面平坦化，膜层溅射、布线线条制作等流程，实现高密度微通孔双面互联光电陶瓷基片的制造。基于激光对AlN陶瓷的精细加工技术，研究高密度微通孔互连光电器件制作技术，通过对高密度微通孔双面互连技术，使得基片的双面通过通孔连接，通孔中填充的为Au，解决光电模块器件电路的背面也要具备相应的功能并与正面图形互连及可靠性问题；基于磁控溅射技术制备金属膜层，实现了高密度微通孔互连光电器件制作技术，通过金属化层进行图形化工艺技术，高效实现厚膜填孔工艺和薄膜图形化工艺的有效结合。
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公开(公告)号：CN112366181B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011174060.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明一种若干个多芯片/硅转接板组件的倒装焊叠层组装方法，所述方法包括步骤1，在硅转接板的倒装焊区域涂抹助焊剂，或用若干个倒装焊芯片蘸取助焊剂，将芯片焊球分别与硅转接板焊盘对位后贴片；步骤2，将初步形成的组件真空回流焊接，之后清洗进行倒装焊芯片的底部填充及硅转接板背面的植球，重复得若干个多芯片/硅转接板组件；步骤3，在管壳的倒装焊区域涂抹助焊剂，选取靠近中心位置和高度最高的倒装焊芯片表面作为拾取点，分别将组件与管壳对位后贴片；步骤4，将形成的模块真空回流焊接，清洗再进行硅转接板的底部填充，能够显著提高组装效率，提高倒装焊质量，兼容不同厚度、尺寸的倒装焊芯片组装，具有重要的社会效益和经济价值。
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公开(公告)号：CN113380755A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110656481.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/498 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/49 , H01L23/492 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种多层芯片叠层组件封装结构及其制备工艺，属于多层芯片封装技术领域。所述多层芯片叠层组件封装结构包括置于管壳内的多芯片堆叠组件单元和薄膜基板转接板，薄膜基板转接板设于相邻的多芯片堆叠组件单元之间；其中，管壳的底面上设有管壳金导带，薄膜基板转接板上设有转接板金导带；设于薄膜基板转接板上方的多芯片堆叠组件单元通过键合丝与转接板金导带连接，转接板金导带上引出键合丝与管壳金导带连接；底层的多芯片堆叠组件单元上引出键合丝与管壳金导带连接。所述制备工艺采用正向键合工艺和反向键合工艺配合，避免了现有键合工艺限制芯片叠层层数的缺陷，减少了多层芯片叠层组件中键合区的长度要求，达到密封性封装要求。
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