公开(公告)号：CN116995058A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311119287.5

申请日：2023-08-31

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 张军 ,  陈炜东 ,  弓明杰 ,  张瑶 ,  张培 ,  杨柳 ,  杨娇 ,  杨静

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种功率回路转接桥墩，包括陶瓷基板和金属膜层，在陶瓷基板和金属膜层之间设置有过渡层，金属膜层采用镍层，在陶瓷基板上制作金属膜层，该金属膜层适于硅铝丝或铝丝超声键合互联，有效提升了功率回路布线密度且保证键合界面的可靠性，通用性较强，有效解决了现有混合集成电路组装和互联方式功率回路布线密度低的问题；此外，本发明还提供一种功率回路转接桥墩制作方法，通过薄膜工艺或溅射方式在陶瓷基板表面沉积过渡层，然后将镍层与过渡层结合制得整板，最后对整板进行裂片切割得到所需的转接桥墩，该制作方法工艺简单，生产效率高，成本低廉，适合自动化生产，满足了混合集成电路高密度组装、高可靠互联的发展要求。