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公开(公告)号：CN113012731B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110222865.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种适用于大位宽CAM的数据锁存电路结构图，通过采用CAM内部自定时电路产生的锁存脉冲信号配合数据端口的一套锁存器，完成对大位宽CAM端口数据的锁存功能，在使用锁存电路结构进行大位宽CAM的数据锁存时，锁存器的脉冲信号的产生以外部时钟为基础，CAM读写过程中，读写周期根据存储阵列对等负载的反馈进行调整，这样即满足了读写的时间要求，又可以使读写周期最小化，从而充分发挥CAM电路的速度，大位宽CAM的数据端口，由大量的锁存器代替触发器也减轻了外部时钟的负载。
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公开(公告)号：CN112487750B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202011380470.7
申请日：2020-11-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于存内计算的卷积加速计算系统及方法，在存储模式下，将卷积核和输入特征图数据按行串行加载进存内计算IP中，在存储模式下将卷积运算中的恒定参数卷积核与待处理的输入特征图加载到存储器中，然后切换至运算模式，通过有序控制存内计算IP串行完成操作数的乘法、部分和累加以及操作数的切换步骤，利用卷积加速控制结构将卷积运算的所有步骤按周期进行无缝衔接，采用硬件替代软件进行时序调度，避免复杂的软件指令引入的效率损失，从而有效发挥存内计算IP在实际大规模数据并行处理中的效能优势。本发明将卷积运算进行算力加速，以降低卷积运算的时间开销，为人工智能的实时性提供技术支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113012731A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110222865.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种适用于大位宽CAM的数据锁存电路结构图，通过采用CAM内部自定时电路产生的锁存脉冲信号配合数据端口的一套锁存器，完成对大位宽CAM端口数据的锁存功能，在使用锁存电路结构进行大位宽CAM的数据锁存时，锁存器的脉冲信号的产生以外部时钟为基础，CAM读写过程中，读写周期根据存储阵列对等负载的反馈进行调整，这样即满足了读写的时间要求，又可以使读写周期最小化，从而充分发挥CAM电路的速度，大位宽CAM的数据端口，由大量的锁存器代替触发器也减轻了外部时钟的负载。
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公开(公告)号：CN113971974A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111217685.1
申请日：2021-10-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G11C15/04
Abstract: 本发明提供了一种低功耗大容量CAM电路结构，通过改变现有CAM的电路结构，并将大容量CAM的工作过程分为几个流水级，分区顺序搜索寻址并锁存，最后将所有寻址结果统一编码后产生结果地址并输出，从而将CAM的瞬态大功耗分布在多个流水级中，减小对芯片供电网络的瞬时高电流要求。本发明对使用CAM IP的大规模低功耗SoC中具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN113689899A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110997344.4
申请日：2021-08-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明一种存储阵列电路结构及大型存储阵列电路结构，在存储阵列分为上存储列阵和下存储列阵，同时在其端部均分别连接灵敏放大器、读写驱动模块和列地址译码电路，上存储列阵的存储单元将由上面的灵敏放大器读出，下存储列阵将由下面的灵敏放大器读出，这样不仅会减小分块设计的级数，避免引入多余的外围电路，进而减小存储器的版图面积，增加版图密度，实现静态存储器存取速度的提升以及功耗的降低。本发明相比较传统分块设计的结构，减小了位线放电幅度进而负载，降低了最坏路径延迟和存储器的功耗，达到提高整体存储器读取速度的目的；最后，本发明所提出的方法适用于各种存储器的电路架构设计，具有良好的应用前景和经济效益。
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公开(公告)号：CN113689899B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110997344.4
申请日：2021-08-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明一种存储阵列电路结构及大型存储阵列电路结构，在存储阵列分为上存储列阵和下存储列阵，同时在其端部均分别连接灵敏放大器、读写驱动模块和列地址译码电路，上存储列阵的存储单元将由上面的灵敏放大器读出，下存储列阵将由下面的灵敏放大器读出，这样不仅会减小分块设计的级数，避免引入多余的外围电路，进而减小存储器的版图面积，增加版图密度，实现静态存储器存取速度的提升以及功耗的降低。本发明相比较传统分块设计的结构，减小了位线放电幅度进而负载，降低了最坏路径延迟和存储器的功耗，达到提高整体存储器读取速度的目的；最后，本发明所提出的方法适用于各种存储器的电路架构设计，具有良好的应用前景和经济效益。
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公开(公告)号：CN112487750A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011380470.7
申请日：2020-11-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于存内计算的卷积加速计算系统及方法，在存储模式下，将卷积核和输入特征图数据按行串行加载进存内计算IP中，在存储模式下将卷积运算中的恒定参数卷积核与待处理的输入特征图加载到存储器中，然后切换至运算模式，通过有序控制存内计算IP串行完成操作数的乘法、部分和累加以及操作数的切换步骤，利用卷积加速控制结构将卷积运算的所有步骤按周期进行无缝衔接，采用硬件替代软件进行时序调度，避免复杂的软件指令引入的效率损失，从而有效发挥存内计算IP在实际大规模数据并行处理中的效能优势。本发明将卷积运算进行算力加速，以降低卷积运算的时间开销，为人工智能的实时性提供技术支撑。
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