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公开(公告)号:CN113012731A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN202110222865.2
申请日:2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种适用于大位宽CAM的数据锁存电路结构图,通过采用CAM内部自定时电路产生的锁存脉冲信号配合数据端口的一套锁存器,完成对大位宽CAM端口数据的锁存功能,在使用锁存电路结构进行大位宽CAM的数据锁存时,锁存器的脉冲信号的产生以外部时钟为基础,CAM读写过程中,读写周期根据存储阵列对等负载的反馈进行调整,这样即满足了读写的时间要求,又可以使读写周期最小化,从而充分发挥CAM电路的速度,大位宽CAM的数据端口,由大量的锁存器代替触发器也减轻了外部时钟的负载。
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公开(公告)号:CN113689899B
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202110997344.4
申请日:2021-08-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明一种存储阵列电路结构及大型存储阵列电路结构,在存储阵列分为上存储列阵和下存储列阵,同时在其端部均分别连接灵敏放大器、读写驱动模块和列地址译码电路,上存储列阵的存储单元将由上面的灵敏放大器读出,下存储列阵将由下面的灵敏放大器读出,这样不仅会减小分块设计的级数,避免引入多余的外围电路,进而减小存储器的版图面积,增加版图密度,实现静态存储器存取速度的提升以及功耗的降低。本发明相比较传统分块设计的结构,减小了位线放电幅度进而负载,降低了最坏路径延迟和存储器的功耗,达到提高整体存储器读取速度的目的;最后,本发明所提出的方法适用于各种存储器的电路架构设计,具有良好的应用前景和经济效益。
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公开(公告)号:CN113971974A
公开(公告)日:2022-01-25
申请号:CN202111217685.1
申请日:2021-10-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G11C15/04
Abstract: 本发明提供了一种低功耗大容量CAM电路结构,通过改变现有CAM的电路结构,并将大容量CAM的工作过程分为几个流水级,分区顺序搜索寻址并锁存,最后将所有寻址结果统一编码后产生结果地址并输出,从而将CAM的瞬态大功耗分布在多个流水级中,减小对芯片供电网络的瞬时高电流要求。本发明对使用CAM IP的大规模低功耗SoC中具有重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN113689899A
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN202110997344.4
申请日:2021-08-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明一种存储阵列电路结构及大型存储阵列电路结构,在存储阵列分为上存储列阵和下存储列阵,同时在其端部均分别连接灵敏放大器、读写驱动模块和列地址译码电路,上存储列阵的存储单元将由上面的灵敏放大器读出,下存储列阵将由下面的灵敏放大器读出,这样不仅会减小分块设计的级数,避免引入多余的外围电路,进而减小存储器的版图面积,增加版图密度,实现静态存储器存取速度的提升以及功耗的降低。本发明相比较传统分块设计的结构,减小了位线放电幅度进而负载,降低了最坏路径延迟和存储器的功耗,达到提高整体存储器读取速度的目的;最后,本发明所提出的方法适用于各种存储器的电路架构设计,具有良好的应用前景和经济效益。
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公开(公告)号:CN113012731B
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202110222865.2
申请日:2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种适用于大位宽CAM的数据锁存电路结构图,通过采用CAM内部自定时电路产生的锁存脉冲信号配合数据端口的一套锁存器,完成对大位宽CAM端口数据的锁存功能,在使用锁存电路结构进行大位宽CAM的数据锁存时,锁存器的脉冲信号的产生以外部时钟为基础,CAM读写过程中,读写周期根据存储阵列对等负载的反馈进行调整,这样即满足了读写的时间要求,又可以使读写周期最小化,从而充分发挥CAM电路的速度,大位宽CAM的数据端口,由大量的锁存器代替触发器也减轻了外部时钟的负载。
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