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公开(公告)号:CN108766501A
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201810549625.1
申请日:2018-05-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法,分工作模式分别对数据/指令域和校验域的读写访问进行不同的控制,在测试模式下,对数据/指令域进行读操作时,仅使数据/指令域的读操作的控制信号有效,实现数据/指令域的测试读访问;对校验域进行读操作时,仅使校验域的读操作的控制信号有效,实现校验域的测试读访问,对数据/指令域进行故障注入时,仅使数据/指令域的写操作的控制信号有效,对校验域进行故障注入时,仅使校验域的写操作的控制信号有效,实现数据/指令域以及校验域的任意故障注入。本发明实现了数据/指令域和校验域独立的读写访问,确保存储器进行容错设计之后的可测试性。
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公开(公告)号:CN108766501B
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201810549625.1
申请日:2018-05-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法,分工作模式分别对数据/指令域和校验域的读写访问进行不同的控制,在测试模式下,对数据/指令域进行读操作时,仅使数据/指令域的读操作的控制信号有效,实现数据/指令域的测试读访问;对校验域进行读操作时,仅使校验域的读操作的控制信号有效,实现校验域的测试读访问,对数据/指令域进行故障注入时,仅使数据/指令域的写操作的控制信号有效,对校验域进行故障注入时,仅使校验域的写操作的控制信号有效,实现数据/指令域以及校验域的任意故障注入。本发明实现了数据/指令域和校验域独立的读写访问,确保存储器进行容错设计之后的可测试性。
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