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公开(公告)号：CN117303899B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202311293963.0
申请日：2023-10-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638 , H10N30/853 , H10N30/097 , H10N30/089
Abstract: 本发明公开了一种具有高压电系数的压电陶瓷材料及其制备方法和应用，该压电陶瓷材料的化学组成为xPb(Nb2/3Ni1/3)O3‑yPb(Sc1/2Ta1/2)O3‑(1‑x‑y)PbTiO3(PNN‑PST‑PT)，0.2≤x≤0.5，0.332≤y≤0.405。该压电陶瓷材料通过固态反应法制备，主要步骤包括：原料的称量、球磨、煅烧、造粒、成型、排胶以及烧结过程。本发明制备的PNN‑PST‑PT压电陶瓷具有优异的压电性能，并且改善了含Sc和Ta元素烧结温度高的问题。因此，本发明的PNN‑PST‑PT压电陶瓷是一种非常有前途的新型高性能压电材料。
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公开(公告)号：CN118549034A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410604062.7
申请日：2024-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L23/10 , G01L23/26 , C04B35/472 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种基于高压电系数和高居里温度的压电陶瓷材料的压电式压力传感器，涉及压力传感器领域。该传感器结构包括外壳和敏感芯体，其中传感器的外壳由上盖和壳体组成，使用压电陶瓷片堆叠的方法制备压电式压力传感器的敏感芯体。敏感芯体使用的压电陶瓷片材料的化学组成为0.355BiScO3‑0.645PbTiO3+x Nd2O3(0.01≤x≤0.04)，其压电系数为425～567pC/N，居里温度为300～400℃，兼具高居里温度和高压电系数。该敏感芯体由压电陶瓷片、电极片、传压质量块、补偿质量块组成。通过采用这种兼具高压电系数与高居里温度的压电陶瓷材料作为传感器核心部件，与合理设计的传感器结构相结合，使得该压电式压力传感器频响快，灵敏度高，工作温度范围宽，而且设计制备的传感器具有主动加速度补偿和振动补偿作用。
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公开(公告)号：CN115385683B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202211043070.6
申请日：2022-08-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种兼具高居里温度和高压电系数的压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的化学组成为xBi(Zn2/3Nb1/3)O3‑(1‑x)(0.355BiScO3‑0.645PbTiO3)(BZN‑BS‑PT)，0≤x≤0.05。该压电陶瓷材料通过固态反应法制备，在BS‑PT压电陶瓷中掺杂BZN组分制备的BZN‑BS‑PT压电陶瓷材料，有效提高了BS‑PT压电陶瓷的压电和应变性能，获得的BZN‑BS‑PT压电陶瓷非常适合在高温压电器件上的应用。本发明制备的BZN‑BS‑PT压电陶瓷具有以下特点：居里温度为385～440℃，室温介电常数约为810～1230，矫顽场为2.23～2.38kV/mm，剩余极化强度为48.3～49.1μC/cm2，压电系数为460～590pC/N，在4kV/mm时的应变为0.23％～0.29％。
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公开(公告)号：CN107190320A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710386372.6
申请日：2017-05-26
Applicant: 西安交通大学
Inventor： 王领航
CPC classification number: C30B29/22 , C30B1/10 , H01L41/183
Abstract: 本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法，属于晶体生长技术领域。技术方案为：采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料，再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的化学计量比，准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料，球磨后压制成块状，然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性，合成过程简单，可明显改善晶体原料成分偏离及对Pt坩埚的腐蚀，大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117303899A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311293963.0
申请日：2023-10-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638 , H10N30/853 , H10N30/097 , H10N30/089
Abstract: 本发明公开了一种具有高压电系数的压电陶瓷材料及其制备方法和应用，该压电陶瓷材料的化学组成为xPb(Nb2/3Ni1/3)O3‑yPb(Sc1/2Ta1/2)O3‑(1‑x‑y)PbTiO3(PNN‑PST‑PT)，0.2≤x≤0.5，0.332≤y≤0.405。该压电陶瓷材料通过固态反应法制备，主要步骤包括：原料的称量、球磨、煅烧、造粒、成型、排胶以及烧结过程。本发明制备的PNN‑PST‑PT压电陶瓷具有优异的压电性能，并且改善了含Sc和Ta元素烧结温度高的问题。因此，本发明的PNN‑PST‑PT压电陶瓷是一种非常有前途的新型高性能压电材料。
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公开(公告)号：CN115010483B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210753645.7
申请日：2022-06-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/472 , C04B35/491 , C04B35/622 , H10N30/85 , H10N30/853
Abstract: 本发明公开了一种应变对成分不敏感的压电陶瓷材料及其制备方法和应用，该三元系压电陶瓷材料的化学组成为：xBi(Mg0.5Ti0.5)O3‑yPbZrO3‑zPbTiO3(BMT‑PZ‑PT),0.2≤x
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公开(公告)号：CN115636667A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211312124.4
申请日：2022-10-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种镧掺杂钪钽酸铅钛酸铅压电陶瓷及其制备方法和应用，属于压电陶瓷制备技术领域，该压电陶瓷采用固相反应法制备而成，化学组成为yLa‑(1‑x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3‑xPbTiO3(xLa‑PST‑PT)，0.3≤x≤0.5,0≤y≤0.02。本发明所制备的La‑PST‑PT压电陶瓷可以有效解决高性能压电器件制备的关键技术问题，即能够满足高的压电系数和高的机电耦合系数、大的应变响应和低的应变滞后以及具备高的温度稳定性的几种性能指标，并且改善了含Sc和Ta元素陶瓷烧结温度高的问题，因此本发明的La‑PST‑PT压电陶瓷在高性能压电器件开发上是一种非常有前途的候选材料。
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公开(公告)号：CN103833417B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410001009.4
申请日：2014-01-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B41/80
Abstract: 本发明公开一种高频段无介电弥散的电子陶瓷材料的处理工艺，通过高温老化与低温老化两步法稳定锆钛酸铅陶瓷中的缺陷分布，使畴壁对交流电场的响应降到最低，以达到最佳频率稳定性的目的。采用本工艺处理的锆钛酸铅电子陶瓷材料在高频段其介电性能具有以下特点：在10MHz到200MHz频段间的介电常数实部稳定在420-422之间，虚部稳定在1-2之间，介电常数在该频段的变化率为0.476%，可以认为其在高频段不存在介电弥散。采用本发明工艺处理的电子陶瓷材料具有很好的介电性能稳定性，在近200MHz的带宽内性能稳定，可以作为潜在材料应用于高频电子器件。
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公开(公告)号：CN103866386A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410076798.8
申请日：2014-03-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种新型三元压电晶体单相原料的制备方法，包括以下步骤：采用分步法制备出IN粉料和MN粉料，然后按照PIMNT的化学计量比，准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料，球磨后压制成块状，然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性，合成过程简单，可明显改善晶体原料对Pt坩埚的腐蚀，大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
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