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    一种镧掺杂钪钽酸铅钛酸铅压电陶瓷及其制备方法和应用
    2.
    发明公开
    一种镧掺杂钪钽酸铅钛酸铅压电陶瓷及其制备方法和应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN115636667A

    公开(公告)日：2023-01-24

    申请号：CN202211312124.4

    申请日：2022-10-25

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 王领航 ,  贾红瑞 ,  李臻

    IPC: C04B35/499 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

    Abstract: 本发明公开了一种镧掺杂钪钽酸铅钛酸铅压电陶瓷及其制备方法和应用，属于压电陶瓷制备技术领域，该压电陶瓷采用固相反应法制备而成，化学组成为yLa‑(1‑x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3‑xPbTiO3(xLa‑PST‑PT)，0.3≤x≤0.5,0≤y≤0.02。本发明所制备的La‑PST‑PT压电陶瓷可以有效解决高性能压电器件制备的关键技术问题，即能够满足高的压电系数和高的机电耦合系数、大的应变响应和低的应变滞后以及具备高的温度稳定性的几种性能指标，并且改善了含Sc和Ta元素陶瓷烧结温度高的问题，因此本发明的La‑PST‑PT压电陶瓷在高性能压电器件开发上是一种非常有前途的候选材料。

    一种兼具高居里温度和高压电系数的压电陶瓷材料及其制备方法
    3.
    发明授权
    一种兼具高居里温度和高压电系数的压电陶瓷材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN115385683B

    公开(公告)日：2023-07-25

    申请号：CN202211043070.6

    申请日：2022-08-29

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 王领航 ,  贾红瑞 ,  李臻 ,  魏晶

    IPC: C04B35/472 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种兼具高居里温度和高压电系数的压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的化学组成为xBi(Zn2/3Nb1/3)O3‑(1‑x)(0.355BiScO3‑0.645PbTiO3)(BZN‑BS‑PT)，0≤x≤0.05。该压电陶瓷材料通过固态反应法制备，在BS‑PT压电陶瓷中掺杂BZN组分制备的BZN‑BS‑PT压电陶瓷材料，有效提高了BS‑PT压电陶瓷的压电和应变性能，获得的BZN‑BS‑PT压电陶瓷非常适合在高温压电器件上的应用。本发明制备的BZN‑BS‑PT压电陶瓷具有以下特点：居里温度为385～440℃，室温介电常数约为810～1230，矫顽场为2.23～2.38kV/mm，剩余极化强度为48.3～49.1μC/cm2，压电系数为460～590pC/N，在4kV/mm时的应变为0.23％～0.29％。

    一种兼具高居里温度和高压电系数的压电陶瓷材料及其制备方法
    4.
    发明公开
    一种兼具高居里温度和高压电系数的压电陶瓷材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN115385683A

    公开(公告)日：2022-11-25

    申请号：CN202211043070.6

    申请日：2022-08-29

    Applicant: 西安交通大学

    Inventor： 王领航 ,  贾红瑞 ,  李臻 ,  魏晶

    IPC: C04B35/472 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种兼具高居里温度和高压电系数的压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的化学组成为xBi(Zn2/3Nb1/3)O3‑(1‑x)(0.355BiScO3‑0.645PbTiO3)(BZN‑BS‑PT)，0≤x≤0.05。该压电陶瓷材料通过固态反应法制备，在BS‑PT压电陶瓷中掺杂BZN组分制备的BZN‑BS‑PT压电陶瓷材料，有效提高了BS‑PT压电陶瓷的压电和应变性能，获得的BZN‑BS‑PT压电陶瓷非常适合在高温压电器件上的应用。本发明制备的BZN‑BS‑PT压电陶瓷具有以下特点：居里温度为385～440℃，室温介电常数约为810～1230，矫顽场为2.23～2.38kV/mm，剩余极化强度为48.3～49.1μC/cm2，压电系数为460～590pC/N，在4kV/mm时的应变为0.23％～0.29％。

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