-
公开(公告)号：CN102400098B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110343687.5
申请日：2011-11-03
Applicant: 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公布了一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为InxSe1-x，0.3≤x≤0.6，其作法是：对结晶态的In2Se3靶进行射频磁控溅射，沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜；调节溅射过程中的工艺参数即可调节制备物的禁带宽度。该方法能通过调节制备过程中的工艺参数实现硒化物薄膜的禁带宽度的调节，而无需进行掺入任何杂质元素，其制备工艺简单，对设备要求低，环保节能。
-
公开(公告)号：CN102496645B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110426453.7
申请日：2011-12-19
Applicant: 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，由透明电极层、ZnO窗口层、Cu1+x(In0.7-yGa0.3+y)Se2-z薄膜构成的n型CIGS光吸收层、Cu1-m(In0.7-nGa0.3+n)Se2+p薄膜构成的p型CIGS光吸收层、n型CIGS光吸收层和p型CIGS光吸收层之间界面载流子复合形成的CIGS自掺杂同质p-n结及衬底构成。该种太阳能电池的结构简单，制备容易、工艺稳定性和重复性好，成本低；且其光电转换效率高。
-
公开(公告)号：CN102412341B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110348538.8
申请日：2011-11-07
Applicant: 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其做法是：将CuIn0.7Ga0.3Se2靶材，交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射，交替次数至少为一次；每次交替中均先进行低功率密度溅射形成一层含Cu量高的沉积层，后进行高功率密度溅射形成含Cu量低的沉积层；最后在真空中热处理形成含Cu量分层变化的CIGS光吸收层薄膜。该法可以方便的制备出所需要的Cu含量分层变化的铜铟镓硒薄膜，制备时只需一个靶材，制备方法简单，对设备要求低，工艺稳定；且制备的薄膜各层的成分均匀性好，薄膜质量高。
-
公开(公告)号：CN102496645A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110426453.7
申请日：2011-12-19
Applicant: 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，由透明电极层、ZnO窗口层、Cu1+x(In0.7-yGa0.3+y)Se2-z薄膜构成的n型CIGS光吸收层、Cu1-m(In0.7-nGa0.3+n)Se2+p薄膜构成的p型CIGS光吸收层、n型CIGS光吸收层和p型CIGS光吸收层之间界面载流子复合形成的CIGS自掺杂同质p-n结及衬底构成。该种太阳能电池的结构简单，制备容易、工艺稳定性和重复性好，成本低；且其光电转换效率高。
-
公开(公告)号：CN102412341A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110348538.8
申请日：2011-11-07
Applicant: 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其做法是：将CuIn0.7Ga0.3Se2靶材，交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射，交替次数至少为一次；每次交替中均先进行低功率密度溅射形成一层含Cu量高的沉积层，后进行高功率密度溅射形成含Cu量低的沉积层；最后在真空中热处理形成含Cu量分层变化的CIGS光吸收层薄膜。该法可以方便的制备出所需要的Cu含量分层变化的铜铟镓硒薄膜，制备时只需一个靶材，制备方法简单，对设备要求低，工艺稳定；且制备的薄膜各层的成分均匀性好，薄膜质量高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102400098A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110343687.5
申请日：2011-11-03
Applicant: 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公布了一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为InxSe1-x，0.3≤x≤0.6，其作法是：对结晶态的In2Se3靶进行射频磁控溅射，沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜；调节溅射过程中的工艺参数即可调节制备物的禁带宽度。该方法能通过调节制备过程中的工艺参数实现硒化物薄膜的禁带宽度的调节，而无需进行掺入任何杂质元素，其制备工艺简单，对设备要求低，环保节能。
-
公开(公告)号：CN117572487B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410064561.1
申请日：2024-01-17
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了大气切伦科夫望远镜阵列的标定方法、设备及介质，涉及切伦科夫望远镜阵列标定技术领域，包括模拟每个光子的出射信息，其中探测参数信息包括激光光源参数信息和望远镜参数信息；模拟每个光子在大气中的第一传播信息；计算大气切伦科夫望远镜接收到的单个光子的电信号数值；将所有光子进行模拟，得到激光器出射脉冲在大气切伦科夫的整个激光事例的成像；得到第一成像强度参数和第二成像强度参数，最终得到大气切伦科夫望远镜的绝对增益系数，进而对大气切伦科夫望远镜阵列进行标定。本发明的有益效果为使用激光可同时完成气溶胶消光系数和望远镜绝对增益的标定，有效地减少了现有标定方法误差大、无法确定是否考虑了所有误差的问题。
-
公开(公告)号：CN117572487A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202410064561.1
申请日：2024-01-17
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了大气切伦科夫望远镜阵列的标定方法、设备及介质，涉及切伦科夫望远镜阵列标定技术领域，包括模拟每个光子的出射信息，其中探测参数信息包括激光光源参数信息和望远镜参数信息；模拟每个光子在大气中的第一传播信息；计算大气切伦科夫望远镜接收到的单个光子的电信号数值；将所有光子进行模拟，得到激光器出射脉冲在大气切伦科夫的整个激光事例的成像；得到第一成像强度参数和第二成像强度参数，最终得到大气切伦科夫望远镜的绝对增益系数，进而对大气切伦科夫望远镜阵列进行标定。本发明的有益效果为使用激光可同时完成气溶胶消光系数和望远镜绝对增益的标定，有效地减少了现有标定方法误差大、无法确定是否考虑了所有误差的问题。
-
公开(公告)号：CN113691162B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111054145.6
申请日：2021-09-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳流体二极管的水伏器件，从下到上依次包括基底层、下电极和上电极，上电极与下电极之间设有敏感层；敏感层为两层具有相反ZETA电位的薄膜构成的PN结，或者为两层相反ZETA电位的薄膜中间再加一层ZETA电位近似为0的薄膜构成PIN结；敏感层各层均是连通的孔结构，其中至少有一层含有0.1‑100nm尺寸的纳米级连通孔。本发明通过将纳流体二极管引入水伏器件，使水伏器件的性能有很大提升，该器件无需额外能耗，绿色环保，且器件结构简单，制备方法中的制备工艺容易操作，所需材料容易获取并且价格低廉，适合大规模生产。
-
公开(公告)号：CN114264374B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111614276.5
申请日：2021-12-27
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种金属线快速加热设备测温校准的方法，包括以下步骤：A、将双色红外测温仪探头光路正对金属线高温区间，调整焦距使其和金属线直径配合并固定测温仪；B、将已知熔点的金属线缓慢加热至熔化前的相变潜热平台，调整双色红外测温仪接收信号的发射率及比值使该平台温度测量值接近实际值；C、将已知熔点的样品金属线快速加热至熔化，进一步调整双色温红外测温探头接收信号的比值使熔化温度测量值准确；该方法校准后可以在金属线快速加热设备测温时得到准确温度值及时间‑温度曲线，其绝对误差小，可重复性高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
163
records
(took 0.121 seconds)
