公开(公告)号：CN113691162A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202111054145.6

申请日：2021-09-09

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 杨婷婷 ,  张勇 ,  卢旭磊 ,  何其昌

IPC: H02N3/00 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纳流体二极管的水伏器件，从下到上依次包括基底层、下电极和上电极，上电极与下电极之间设有敏感层；敏感层为两层具有相反ZETA电位的薄膜构成的PN结，或者为两层相反ZETA电位的薄膜中间再加一层ZETA电位近似为0的薄膜构成PIN结；敏感层各层均是连通的孔结构，其中至少有一层含有0.1‑100nm尺寸的纳米级连通孔。本发明通过将纳流体二极管引入水伏器件，使水伏器件的性能有很大提升，该器件无需额外能耗，绿色环保，且器件结构简单，制备方法中的制备工艺容易操作，所需材料容易获取并且价格低廉，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN113691162B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202111054145.6

申请日：2021-09-09

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 杨婷婷 ,  张勇 ,  卢旭磊 ,  何其昌

IPC: H02N3/00 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纳流体二极管的水伏器件，从下到上依次包括基底层、下电极和上电极，上电极与下电极之间设有敏感层；敏感层为两层具有相反ZETA电位的薄膜构成的PN结，或者为两层相反ZETA电位的薄膜中间再加一层ZETA电位近似为0的薄膜构成PIN结；敏感层各层均是连通的孔结构，其中至少有一层含有0.1‑100nm尺寸的纳米级连通孔。本发明通过将纳流体二极管引入水伏器件，使水伏器件的性能有很大提升，该器件无需额外能耗，绿色环保，且器件结构简单，制备方法中的制备工艺容易操作，所需材料容易获取并且价格低廉，适合大规模生产。