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公开(公告)号：CN110579509A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910927270.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器及其制备方法，传感器包括气敏涂层、陶瓷管、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、电阻丝，所述金属电极Ⅰ和金属电极Ⅱ平行环绕在所述陶瓷管两端，所述金属电极Ⅰ伸出引脚Ⅰ和引脚Ⅴ，所述金属电极Ⅱ伸出引脚Ⅱ和引脚Ⅵ，所述气敏涂层均匀涂覆在陶瓷管外表面，所述电阻丝螺旋穿过所述陶瓷管，形成引脚Ⅲ和引脚Ⅳ，所述气敏涂层由IGZO纳米颗粒制成，能够探测的硫化氢气体最低浓度较低，且响应和恢复时间较短。
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公开(公告)号：CN109382087A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811403748.0
申请日：2018-11-23
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化锡-锡酸锌核壳纳米线及制备方法，包括以下步骤：步骤1：将SnO2粉末和石墨粉按摩尔比为1:4混合，研磨均匀，得到SnO2+C粉；将ZnO粉末和石墨粉按摩尔比为1:1混合，研磨均匀，得到ZnO+C粉；步骤2：将基底镀金膜后，置于沉积区升温至918℃，将SnO2+C粉置于气相沉积系统高温区加热至980℃，在基底上通过气相沉积生长SnO2纳米线；步骤3：将ZnO+C粉置于气相沉积系统高温区，在基底上通过气相沉积生长Zn2SnO4壳层，降温后即得目标产物；本发明制备得到的SnO2-Zn2SnO4核壳纳米线核壳结构明显，衬度均匀，界面与外表面光滑平整，具有极好的外延关系，制备方法简单、维护方便。
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公开(公告)号：CN109095497A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810985176.5
申请日：2018-08-28
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: C01G15/006 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/62
Abstract: 本发明公开了一种IGZO超晶格纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将铟盐、镓盐和锌盐按照原子比为In：Ga：Zn=5:5:4的比例溶于溶剂中；步骤2：在步骤1形成的混合溶液中加入稳定剂，搅拌均匀后，陈化形成In-Ga-Zn-O前驱体；步骤3：制备适量浓度的ZnO纳米颗粒溶液，依次经过超声、粉碎和脱泡得到均匀分散的ZnO纳米颗粒溶液；步骤4：在步骤3得到的ZnO纳米颗粒溶液加入步骤2得到的In-Ga-Zn-O前驱体溶液，分别经超声、粉碎、脱泡得到混合溶液；步骤5：步骤4得到的混合溶液烘干后退火得到所需InGaO3(ZnO)n超晶格纳米颗粒；本发明制备得到的InGaO3(ZnO)n超晶格纳米颗粒结构易于控制，分散性好、纯度高、组成均匀、结晶完整。
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公开(公告)号：CN117144357A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311104244.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 西南交通大学
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种在ZnO纳米线阵列上大规模生长单原子Sn‑O层的方法，涉及纳米材料技术领域，该方法包括以下步骤：(1)将锡源、铝源和锌源溶于乙二醇甲醚，加入乙醇胺，加热搅拌，避光陈化，得前驱体溶液；(2)将生长有ZnO纳米线阵列的硅基片倾斜放置，然后将前驱体溶液与硅基片侧边接触，前驱体溶液立即均匀包覆ZnO纳米线；(3)将ZnO纳米线阵列烘干，然后冷却至室温，再退火。本发明还提供了通过该方法制得的单原子层ZnO纳米线阵列。本发明首次实现了在ZnO纳米线阵列上大规模生长单原子Sn‑O层，并具有操作步骤简单，原料成本低廉，易于大规模制备的优点，解决了目前难以在复杂衬底上大规模制造单原子层的难题。
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公开(公告)号：CN117038712A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311064504.5
申请日：2023-08-21
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供一种二维InGa3(ZnO)m超晶格纳米带及其制备方法，制备步骤包括将铟源、镓源和锌源混合后溶于有机溶剂中，然后加入稳定剂反应，经避光陈化后得到In‑Ga‑Zn‑O前驱体溶液；将In‑Ga‑Zn‑O前驱体溶液覆盖在带有Al2O3基底的ZnO纳米带表面，经烘干后再于800‑1000℃下热处理5‑60min，得到二维InGa3(ZnO)m超晶格纳米带。由于ZnO纳米带生长方向的不同，In、Ga原子在ZnO中有着不同的扩散形态，且极低的In、Ga元素含量使得ZnO纳米带的结构发生巨大改变，制备出的新型2D材料在结构、电学、光学等方面性质与ZnO纳米带也不相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111217319A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911144602.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种一维ZnO纳米异质结阵列的制备方法，步骤如下：一维ZnO纳米线阵列的预处理；前驱体溶液的制备；一维ZnO纳米异质结阵列的制备：1、吸取适量前驱体溶液，滴加于ZnO纳米线阵列B之中，待液体完全扩散开后，静置10～15s；2、将另一ZnO纳米线阵列A按照衬底背面垂直朝上的方式置于阵列B之上，同时在阵列A的衬底背面中心处放置定值砝码，之后静置5～10min，前驱体溶液由阵列B向上移动至阵列A；3、从阵列B上取下阵列A，保持阵列A的衬底背面垂直朝下，然后进行退火处理，所得阵列A即为所制备的一维ZnO纳米异质结阵列。本发明方法操作简单，成本低廉，具有较好的重复性，可用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN117144357B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311104244.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 西南交通大学
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种在ZnO纳米线阵列上大规模生长单原子Sn‑O层的方法，涉及纳米材料技术领域，该方法包括以下步骤：(1)将锡源、铝源和锌源溶于乙二醇甲醚，加入乙醇胺，加热搅拌，避光陈化，得前驱体溶液；(2)将生长有ZnO纳米线阵列的硅基片倾斜放置，然后将前驱体溶液与硅基片侧边接触，前驱体溶液立即均匀包覆ZnO纳米线；(3)将ZnO纳米线阵列烘干，然后冷却至室温，再退火。本发明还提供了通过该方法制得的单原子层ZnO纳米线阵列。本发明首次实现了在ZnO纳米线阵列上大规模生长单原子Sn‑O层，并具有操作步骤简单，原料成本低廉，易于大规模制备的优点，解决了目前难以在复杂衬底上大规模制造单原子层的难题。
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公开(公告)号：CN110714226A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911033464.1
申请日：2019-10-28
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明是一种In-Sn-Al-Ga-Zn-O超晶格纳米颗粒的制备方法，步骤如下：1、将铟盐、锡盐、铝盐、镓盐、锌盐按照In:Sn:Al:Ga:Zn原子比1:1:1:1:1溶于溶剂中；2、加入稳定剂，加热搅拌均匀后，陈化形成In-Sn-Al-Ga-Zn-O前驱体溶液；3、向ZnO纳米颗粒中加入溶剂，经过超声粉碎、脱泡处理后得到均匀分散的ZnO纳米颗粒溶液；4、将In-Sn-Al-Ga-Zn-O前驱体溶液和ZnO纳米颗粒溶液按体积比1:1制成混合溶液，进行超声粉碎及脱泡处理；5、烘干后热处理，得目标产物。本发明首次实现零维In-Sn-Al-Ga-Zn-O超晶格纳米颗粒的合成，这是一种新型纳米颗粒材料。
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公开(公告)号：CN109264769A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811104632.7
申请日：2018-09-21
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种IGZO超晶格纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将铟盐、镓盐、锌盐按照In：Ga：Zn原子比为5:5:4的比例溶于溶剂中，加入稳定剂；步骤2：将步骤1制备的溶液在60～70℃，搅拌条件下充分反应后得到透明均匀凝胶；静置陈化后得到In-Ga-Zn-O前驱体；步骤3：采用步骤2制备得到的In-Ga-Zn-O前驱体包裹ZnO纳米线阵列，烘干后退火处理即得IGZO超晶格纳米线阵列；本发明制备得到的IGZO超晶格纳米线阵列纯度高、结构和组成均匀性更高，操作简单、成本低廉，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN107829077A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711034628.3
申请日：2017-10-30
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: C23C16/407 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B25/02 , C30B29/16
Abstract: 本发明公开了一种利用ZnO外延生长制备SnO2(ZnO:Sn)m超晶格纳米线的方法，包括以下步骤：粉末源及基底制备；将高纯ZnO粉末和石墨按摩尔比1:1混合，并在红外灯照射下研磨，得ZnO+C粉末源；将高纯SnO2粉末和石墨按摩尔比1:3混合，并在红外灯照射下研磨，得SnO2+C粉末源；在基底表面镀金膜；步骤2：ZnO纳米线制备；将基底置于沉积区并升温至800℃，将步骤1制备的ZnO粉末源加热至980℃，通过气相沉积在基底上制备ZnO纳米线；步骤3：SnO2(ZnO:Sn)m超晶格纳米线制备将步骤1中制备的SnO2粉末源加热至980℃，通过气相沉积在基底上得SnO2(ZnO:Sn)m超晶格纳米线；降温后既得目标产物；本发明价格低廉、操作简单、维护方便，可制备具有纳米尺度下的异质层状超晶格结构。
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