公开(公告)号：CN117144357B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311104244.X

申请日：2023-08-29

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 曹宝宝 ,  黄俊 ,  王文茹 ,  潘梓鑫

IPC: C23C26/00

Abstract: 本发明公开了一种在ZnO纳米线阵列上大规模生长单原子Sn‑O层的方法，涉及纳米材料技术领域，该方法包括以下步骤：(1)将锡源、铝源和锌源溶于乙二醇甲醚，加入乙醇胺，加热搅拌，避光陈化，得前驱体溶液；(2)将生长有ZnO纳米线阵列的硅基片倾斜放置，然后将前驱体溶液与硅基片侧边接触，前驱体溶液立即均匀包覆ZnO纳米线；(3)将ZnO纳米线阵列烘干，然后冷却至室温，再退火。本发明还提供了通过该方法制得的单原子层ZnO纳米线阵列。本发明首次实现了在ZnO纳米线阵列上大规模生长单原子Sn‑O层，并具有操作步骤简单，原料成本低廉，易于大规模制备的优点，解决了目前难以在复杂衬底上大规模制造单原子层的难题。

公开(公告)号：CN117144357A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311104244.X

申请日：2023-08-29

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 曹宝宝 ,  黄俊 ,  王文茹 ,  潘梓鑫

IPC: C23C26/00

Abstract: 本发明公开了一种在ZnO纳米线阵列上大规模生长单原子Sn‑O层的方法，涉及纳米材料技术领域，该方法包括以下步骤：(1)将锡源、铝源和锌源溶于乙二醇甲醚，加入乙醇胺，加热搅拌，避光陈化，得前驱体溶液；(2)将生长有ZnO纳米线阵列的硅基片倾斜放置，然后将前驱体溶液与硅基片侧边接触，前驱体溶液立即均匀包覆ZnO纳米线；(3)将ZnO纳米线阵列烘干，然后冷却至室温，再退火。本发明还提供了通过该方法制得的单原子层ZnO纳米线阵列。本发明首次实现了在ZnO纳米线阵列上大规模生长单原子Sn‑O层，并具有操作步骤简单，原料成本低廉，易于大规模制备的优点，解决了目前难以在复杂衬底上大规模制造单原子层的难题。