公开(公告)号：CN109382087A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201811403748.0

申请日：2018-11-23

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 曹宝宝 ,  徐博家 ,  江松

IPC: B01J23/14 ,  C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种二氧化锡-锡酸锌核壳纳米线及制备方法，包括以下步骤：步骤1：将SnO2粉末和石墨粉按摩尔比为1:4混合，研磨均匀，得到SnO2+C粉；将ZnO粉末和石墨粉按摩尔比为1:1混合，研磨均匀，得到ZnO+C粉；步骤2：将基底镀金膜后，置于沉积区升温至918℃，将SnO2+C粉置于气相沉积系统高温区加热至980℃，在基底上通过气相沉积生长SnO2纳米线；步骤3：将ZnO+C粉置于气相沉积系统高温区，在基底上通过气相沉积生长Zn2SnO4壳层，降温后即得目标产物；本发明制备得到的SnO2-Zn2SnO4核壳纳米线核壳结构明显，衬度均匀，界面与外表面光滑平整，具有极好的外延关系，制备方法简单、维护方便。

公开(公告)号：CN107829077A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711034628.3

申请日：2017-10-30

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 曹宝宝 ,  江松 ,  徐博家 ,  王清钢

IPC: C23C16/40 ,  C30B29/16 ,  C30B25/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/407 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明公开了一种利用ZnO外延生长制备SnO2(ZnO:Sn)m超晶格纳米线的方法，包括以下步骤：粉末源及基底制备；将高纯ZnO粉末和石墨按摩尔比1:1混合，并在红外灯照射下研磨，得ZnO+C粉末源；将高纯SnO2粉末和石墨按摩尔比1:3混合，并在红外灯照射下研磨，得SnO2+C粉末源；在基底表面镀金膜；步骤2：ZnO纳米线制备；将基底置于沉积区并升温至800℃，将步骤1制备的ZnO粉末源加热至980℃，通过气相沉积在基底上制备ZnO纳米线；步骤3：SnO2(ZnO:Sn)m超晶格纳米线制备将步骤1中制备的SnO2粉末源加热至980℃，通过气相沉积在基底上得SnO2(ZnO:Sn)m超晶格纳米线；降温后既得目标产物；本发明价格低廉、操作简单、维护方便，可制备具有纳米尺度下的异质层状超晶格结构。

公开(公告)号：CN109382087B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201811403748.0

申请日：2018-11-23

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 曹宝宝 ,  徐博家 ,  江松

IPC: B01J23/14 ,  C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种二氧化锡‑锡酸锌核壳纳米线及制备方法，包括以下步骤：步骤1：将SnO2粉末和石墨粉按摩尔比为1:4混合，研磨均匀，得到SnO2+C粉；将ZnO粉末和石墨粉按摩尔比为1:1混合，研磨均匀，得到ZnO+C粉；步骤2：将基底镀金膜后，置于沉积区升温至918℃，将SnO2+C粉置于气相沉积系统高温区加热至980℃，在基底上通过气相沉积生长SnO2纳米线；步骤3：将ZnO+C粉置于气相沉积系统高温区，在基底上通过气相沉积生长Zn2SnO4壳层，降温后即得目标产物；本发明制备得到的SnO2‑Zn2SnO4核壳纳米线核壳结构明显，衬度均匀，界面与外表面光滑平整，具有极好的外延关系，制备方法简单、维护方便。