-
公开(公告)号：CN117268536A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311120640.1
申请日：2023-08-31
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01J1/00 , G06N3/0464 , G06N3/0455 , G01V8/10
Abstract: 本发明涉及临地安防技术体系中稳定探测的技术领域，具体涉及一种基于多输入联合智能单像素成像方法及其装置，包括：获取散斑图案和对应光束穿过物体的光强度值；构建基于U‑Net框架的卷积神经网络；基于设计的损失函数，对卷积神经网络进行训练，直至收敛，并输出最终的图像。本发明利用探测到的光强信息以及散斑信息，将物理模型嵌入神经网络，利用探测器采集的强度值作为参考标准对网络参数进行优化，提升了网络的泛化性和可解释性，一维输入和二维输入联合对参数进行优化，进一步提升了成像质量。
-
公开(公告)号：CN113399823B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202110591836.3
申请日：2021-05-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: B23K26/073 , B23K26/046 , G02B27/09
Abstract: 本申请公开了一种镜片阵列镜面的制备装置及制备方法，属于智能穿戴制造领域。装置的光功率调控模块设置于超快激光光源的出射光路上，用于对超快激光进行精细功率调控；光束整形器模块设置于光功率调控模块的出射光路上，用于对聚焦前的超快激光进行光束整形；聚焦模块设置于光束整形器模块的出射光路上，用于会聚超快激光，产生高深径比微细焦场，并将微细焦场置于待加工镜片上；移动模块的工作台固定待加工镜片并能够使超快激光入射方向与待加工镜片入射面法线呈预设角度、待加工镜片位于聚焦模块焦面上且按照预设方向移动，进而使超快激光能够在待加工镜片上直写阵列镜面。本申请可使阵列镜面加工简化，降低成本，良品率高。
-
公开(公告)号：CN115621830A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211398565.0
申请日：2022-11-09
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01S3/1118 , H01S3/06 , H01S3/08
Abstract: 本发明提出了光调制器及其制备方法和激光器，属于光学器件技术领域，其包括高反镜以及镀在高反镜表面的ZrC膜。本发明在高反镜的表面镀ZrC膜，形成反射型宽带光调制器，该反射型宽带光调制器可以应用在激光器上，利用ZrC膜独特的非线性光学特性，与现有的光调制器相比，本发明的光调制器具有更高的损伤阈值，降低了光调制器的损伤率。
-
公开(公告)号：CN113410742A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110591800.5
申请日：2021-05-28
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本申请公开了一种可饱和吸收体、制备方法、全固态超快激光器及测试装置，属于激光技术领域，能够解决现有的可饱和吸收体的饱和吸收特性不能动态调控的问题。该可饱和吸收体包括基底、二维导电材料层、保护层、第一金属电极和第二金属电极；二维导电材料层设置于基底上；保护层设置于二维导电材料层上，保护层能够防止二维导电材料层氧化且能够与二维导电材料层形成异质结；在基底上，二维导电材料层和保护层的同一侧设置第一金属电极，该侧相对的另一侧设置第二金属电极。本申请的可饱和吸收体能够实现饱和吸收特性的动态可调。
-
公开(公告)号：CN112968346A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110149990.5
申请日：2021-02-03
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明属于激光器技术领域，公开了一种高损伤阈值薄膜可饱和吸收体器件、制备方法及应用，包括：在GaAs衬底上制备半导体GaAs/AlAs吸收层，在半导体GaAs/AlAs吸收层上镀2D材料薄膜；在2D材料表面生长介质膜的减反膜，获得高损伤阈值的2D材料薄膜可饱和吸收体器件。本发明半导体起吸收区的作用，2D薄膜仅仅起弛豫区的作用，既减小吸收体的恢复时间，提高了材料的损伤阈值，通过对磁控溅射制备薄膜参数的优化，解决表面均匀、层数可控以及重复性高的制备2D材料薄膜方法；通过电子束蒸发技术在2D材料薄膜上制备介质膜的减反膜，从而提高2D材料薄膜可饱和吸收体的损伤阈值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112959005A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110150007.1
申请日：2021-02-03
Applicant: 西北工业大学
IPC: B23P15/00 , B23K26/352 , C23C14/35 , C23C14/10
Abstract: 本发明属于高导热介质技术领域，公开了一种在铜表面制造长期高效减反微纳结构的方法，包括：将紫铜和/或铜单质样品进行抛光处理；将抛光后样品置于激光加工平台，使用脉冲激光对其进行预设的路径扫描，获得具有微纳复合结构的样品表面，将其封装进真空袋中；将得到的样品置于磁控溅射设备的样品炉内，在微纳结构表面生长一层二氧化硅保护膜，获得长期高效的长期高效减反微纳结构。本发明在铜表面制备出具有减反特性的微纳结构，其后通过镀膜的方法在微纳结构表面生长一层惰性薄膜进行保护，使其具备长期高效的减反功能特性；通过控制磁控溅射的镀膜时间，灵活控制二氧化硅保护层的厚度，提供强度性能的保护层，有效解决铜表面减反结构失效问题。
-
公开(公告)号：CN112960657A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110150339.X
申请日：2021-02-03
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01B21/064 , C01B32/186
Abstract: 本发明属于功能薄膜器件技术领域，公开了一种无基底超薄功能薄膜材料及制备方法，通过化学或物理刻蚀的方式将蒸镀、溅射、沉积在基底材料上的薄膜分离出来，然后在液体环境中将薄膜材料转载到带有中间孔的基片上，进而在基片的中孔区域形成无基底的功能薄膜材料。本发明在制备薄膜材料时具有可重复性，通过重复转载工艺可以实现多层无基底超薄功能薄膜的制备，并且可以调控薄膜之间的旋转角度。解决了功能薄膜材料离开基底难以稳定存在的难题，可广泛应用于分子筛选、离子过滤、强场物理中的固体密度等离子体靶的制备当中；广泛适用于沉积在各种基底上的各种薄膜材料，只需要根据基底材料的不同改变刻蚀液的配比。
-
公开(公告)号：CN119282710A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411369057.9
申请日：2024-09-29
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 为了解决现有的滚压成形方法及设备无法在高硬度材料制成的曲面薄壁件的表面加工出减阻微结构的技术问题，本发明提出了一种在曲面薄壁件表面加工微结构的装置及方法。本发明的装置包括数控机床、超声振动单元和微结构滚压单元，其中，微结构滚压单元包括具有整圈微结构凸起的滚子，该滚子在本发明中数控机床和超声振动单元的联合作用下，在曲面薄壁件表面需要加工微结构的区域进行挤压使其产生均匀的塑性流动，从而形成与滚轮上微结构凸起的形状和尺寸匹配的微结构，实现难加工金属曲面薄壁件表面的微结构加工，具有操作简单和高精度的优点。
-
公开(公告)号：CN119093142A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411192790.8
申请日：2024-08-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01S3/109 , H01S3/106 , H01S3/08 , H01S3/1123 , H01S3/1118
Abstract: 本发明提出了一种新型结构的泵浦‑振荡一体化窄线宽钛宝石激光器，通过调Q绿光谐振腔和钛宝石谐振腔一体化设计，实现结构紧凑的窄线宽钛宝石激光输出；在调Q绿光谐振腔内增设透镜并结合腔型设计的方式改变泵浦光横模分布，使绿光泵浦光光斑与钛宝石谐振腔模式匹配；通过在调Q绿光谐振腔设置偏振控制器件解决泵浦‑振荡集成后偏振泵浦匹配问题；采用多色镜双腔共用的方式使泵浦‑振荡系统高度耦合，降低钛宝石系统的泵浦空间，提升系统的集成度；此结构的窄线宽钛宝石激光器能结构简单，运作稳定，集成度高的优点。
-
公开(公告)号：CN112968346B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202110149990.5
申请日：2021-02-03
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01S3/1118 , H01S3/106
Abstract: 本发明属于激光器技术领域，公开了一种高损伤阈值薄膜可饱和吸收体器件、制备方法及应用，包括：在GaAs衬底上制备半导体GaAs/AlAs吸收层，在半导体GaAs/AlAs吸收层上镀2D材料薄膜；在2D材料表面生长介质膜的减反膜，获得高损伤阈值的2D材料薄膜可饱和吸收体器件。本发明半导体起吸收区的作用，2D薄膜仅仅起弛豫区的作用，既减小吸收体的恢复时间，提高了材料的损伤阈值，通过对磁控溅射制备薄膜参数的优化，解决表面均匀、层数可控以及重复性高的制备2D材料薄膜方法；通过电子束蒸发技术在2D材料薄膜上制备介质膜的减反膜，从而提高2D材料薄膜可饱和吸收体的损伤阈值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.026 seconds)
