公开(公告)号：CN114497373A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111561120.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 林宗琼 ,  翁洁娜 ,  杨波 ,  戴彦谷 ,  李倩 ,  黄维 ,  张晓 ,  孙骏毅

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明涉及一种基于多羰基半导体钠离子存储的两端突触器件及其制备方法，属于有机半导体电子器件技术领域。本发明采用多羰基半导体作为半导体功能层，含钠离子的固态电解质作为离子供应层制备两端突触器件。本发明利用多羰基半导体高密度存储/释放钠离子的特性和优异的动力学，实现了器件电导态的连续调制，以电化学原理深入仿生了生物神经的突触可塑性并模拟了全连接的神经网络。该固态薄膜器件高度仿生并有望大规模集成，应用于未来神经形态芯片。

公开(公告)号：CN116634779A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310576382.1

申请日：2023-05-22

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 翁洁娜 ,  林宗琼 ,  杨波 ,  黄维 ,  牛帅 ,  戴彦谷 ,  孙骏毅 ,  何国伟

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明提供了一种垂直沟道的n型有机电化学晶体管，包括基底以及位于基底上的漏电极、沟道、源电极、电解质层和栅电极；沟道位于上下堆叠的源电极和漏电极之间，形成三明治结构；电解质层与沟道接触，形成双电层；栅电极位于电解质层的上方或侧方，保持接触；其中，沟道材料为n型有机半导体；电解质层为晶体管的正常运行提供充足阳离子；晶体管在栅电极电压驱动下实现电解质层中阳离子向沟道电化学掺杂和去掺杂，从而调节晶体管的性能，可解决目前水平沟道n型OECTs响应频率较低、n型vOECTs缺失的问题，有望满足未来高性能逻辑运算、可穿戴柔性电子器件和神经形态计算的分布式应用需求。