公开(公告)号：CN104134638A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410178315.5

申请日：2014-04-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈布莱 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  O·盖特纳 ,  A·施瓦茨 ,  A·赫布兰特 ,  L·柯尼希 ,  A·尤勒曼

IPC: H01L23/473 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L24/33 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37599

Abstract: 提供了有键合衬底上冷却附接半导体芯片的冷却结构的功率模块。根据一个示例性实施例，提供了一种功率模块，其包括半导体芯片，包括导电板以及直接附接至该导电板并且热耦合至半导体芯片的电绝缘板的键合衬底，以及直接附接至导电板并且被配置为在与冷却流体交互时从半导体芯片去除热的冷却结构的阵列。

公开(公告)号：CN117477283A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310934793.3

申请日：2023-07-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·诺特尔曼 ,  A·赫布兰特

IPC: H01R13/639 ,  H01R13/516

Abstract: 本公开内容提供了压配合连接器和插座。一种半导体器件包括电子载体、附接到电子载体的第一焊盘的导电插座、以及导电压配合连接器，所述导电压配合连接器包括凸缘和从凸缘延伸到压配合连接器的第一端的基部部分，其中，压配合连接器处于固定位置，由此基部部分设置在插座内并由插座牢固地保持，并且其中，压配合连接器的基部部分被配置成在固定位置中保持凸缘与插座的上端之间的垂直间隔。

公开(公告)号：CN116247008A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211562336.8

申请日：2022-12-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·赫布兰特 ,  P·布罗伊蒂加姆 ,  A·阿伦斯 ,  M·路德维希

IPC: H01L23/04

Abstract: 公开了用于功率半导体模块布置结构的外壳。一种布置结构包括外壳和垂直布置在外壳上方的印刷电路板，其中，外壳包括：侧壁；附接到侧壁并在外壳的远离印刷电路板的下端处布置在外壳的外部上的至少一个突起，其中，至少一个第一通孔设置在至少一个突起中；多个保持器件，其中每个保持器件布置在第一通孔内和/或印刷电路板和第一通孔之间；以及多个紧固元件，所述紧固元件被配置为将外壳附接到散热器或基板，其中所述多个保持器件中的每一个被配置为夹持紧固元件中的不同紧固元件，使得所述紧固元件被固定在限定的位置，并且将所述紧固元件中的每个与所述第一通孔中的不同的一个对准。

公开(公告)号：CN119069406A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410693715.3

申请日：2024-05-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·赫布兰特 ,  A·阿尔卡苏

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请提供了一种提高功率半导体模块的总体引脚对准精度的方法。功率半导体模块具有从功率半导体模块的外壳突出的多个引脚。该方法包括：确定多个引脚中的每个引脚相对于坐标系中的相应目标位置的位置偏差；基于引脚的位置偏差来确定功率半导体模块的位置偏移，该位置偏移减少了多个引脚与目标位置之间的总体未对准；以及在功率半导体模块的暴露表面上对位置偏移进行编码。还提供了将功率半导体模块安装到电路板和/或散热器的方法。

公开(公告)号：CN113903727A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202110658934.4

申请日：2021-06-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·诺特尔曼 ,  A·阿伦斯 ,  M·埃布利 ,  A·赫布兰特 ,  U·M·G·施瓦策尔 ,  A·塔克卡奇

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L23/40 ,  H01L21/50

Abstract: 一种用于制造功率半导体模块装置的方法，包括：将至少一个半导体衬底(10)布置在外壳(40)中，每个半导体衬底(10)包括电介质绝缘层(11)和附接到电介质绝缘层(11)的第一金属化层(111)，并且外壳(40)包括延伸穿过外壳(40)的部件(66、662)的至少一个通孔(64)；将至少一个销或螺栓(62)插入到至少一个通孔(64)中，其中，销或螺栓(62)的上端未插入到通孔(64)中；将印刷电路板(44)布置在外壳(40)上；将外壳(40)布置在热沉(12)上，热沉(12)包括至少一个孔(64)，其中，外壳(40)布置在热沉(12)上，使得至少一个通孔(64)中的每一个与热沉(12)中的至少一个孔(64)中的一个对准；以及使用第一压制工具(70)，由此在印刷电路板(44)的至少一个限定的接触区域上施加力，并且将至少一个销或螺栓(62)中的每一个压入到热沉(12)中的相应的孔(64)中，其中，至少一个限定的接触区域中的每一个直接布置在至少一个销或螺栓(62)中的一个上方。

公开(公告)号：CN104465535B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201410490572.2

申请日：2014-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈布尔 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  O·盖特纳 ,  A·施瓦茨 ,  A·赫布兰特

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K1/021 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/051 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49833 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/32 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种衬底、芯片布置及其制造方法，在各种实施例中，提供了衬底。该衬底可包括：具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的陶瓷载体；在该陶瓷载体的第一侧之上布置的第一金属层；在该陶瓷载体的第二侧之上布置的第二金属层；以及在第二金属层中或者在第二金属层之上形成的冷却结构。

公开(公告)号：CN104134636B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201410149095.3

申请日：2014-04-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·尤勒曼 ,  A·赫布兰特

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/02

CPC classification number: B23K9/042 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种半导体模块包括具有金属处理的第一侧以及与该金属处理的第一侧相对的金属处理的第二侧的衬底。半导体裸片被附接附接至该衬底的金属处理的第一侧。多个冷却结构被焊接到该衬底的金属处理的第二侧。每个冷却结构包括以远离衬底延伸的而被设置在堆叠布置进行部署的多个不同焊道。该衬底可以是导电或绝缘的。还提供了制造这样的半导体模块以及具有这样的焊接冷却结构的衬底的相对应方法。

公开(公告)号：CN104465535A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410490572.2

申请日：2014-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈布尔 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  O·盖特纳 ,  A·施瓦茨 ,  A·赫布兰特

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K1/021 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/051 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49833 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/32 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种衬底、芯片布置及其制造方法，在各种实施例中，提供了衬底。该衬底可包括：具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的陶瓷载体；在该陶瓷载体的第一侧之上布置的第一金属层；在该陶瓷载体的第二侧之上布置的第二金属层；以及在第二金属层中或者在第二金属层之上形成的冷却结构。

公开(公告)号：CN104134636A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410149095.3

申请日：2014-04-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·尤勒曼 ,  A·赫布兰特

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/02

CPC classification number: B23K9/042 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种半导体模块包括具有金属处理的第一侧以及与该金属处理的第一侧相对的金属处理的第二侧的衬底。半导体裸片被附接附接至该衬底的金属处理的第一侧。多个冷却结构被焊接到该衬底的金属处理的第二侧。每个冷却结构包括以远离衬底延伸的而被设置在堆叠布置进行部署的多个不同焊道。该衬底可以是导电或绝缘的。还提供了制造这样的半导体模块以及具有这样的焊接冷却结构的衬底的相对应方法。

公开(公告)号：CN118472669A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410155859.3

申请日：2024-02-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·诺特尔曼 ,  A·赫布兰特 ,  S·希施

IPC: H01R12/58 ,  H01R13/24

Abstract: 本文公开了用于功率半导体模块的压配销构造。一种压配销包括：尖端部分，其被配置为将压配销引导到电路板的开口中；可变形部分，其邻接尖端部分，并且被配置为在插入电路板的开口中时变形；伸长部分，其邻接可变形部分；基底部分，其邻接伸长部分；以及锚定部分，其邻接基底部分，并且被配置用于在向基底部分施加力时插入套管中。尖端部分具有邻接可变形部分的近侧区域以及比近侧区域窄的远侧区域。压配销的第一侧壁相对于压配销的纵向轴线在远侧区域中以第一锐角倾斜，并在近侧区域中以第二锐角倾斜。第一锐角大于第二锐角。