公开(公告)号：CN103367268B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310240227.9

申请日：2013-03-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 周顺荣 ,  B·康迪 ,  A·康波施

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/047 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/345 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/16787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了基于PCB的射频功率封装窗口框架。一种半导体封装包括具有管芯附着区域和周边区域的基板、具有附着到管芯附着区域的第一端子和背对基板的第二端子和第三端子的晶体管管芯、以及包括电绝缘构件的框架，所述电绝缘构件具有附着到基板的周边区域的第一侧、背对基板的第二侧、在绝缘构件的第一侧处的第一金属层和在绝缘构件的第二侧处的第二金属层。该绝缘构件向外延伸超过基板的横向侧壁。第一金属层被附着到第一侧的向外延伸超过基板的横向侧壁的部分。第一和第二金属层在绝缘构件的与基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接。

公开(公告)号：CN103367268A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310240227.9

申请日：2013-03-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 周顺荣 ,  B·康迪 ,  A·康波施

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/047 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/345 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/16787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了基于PCB的射频功率封装窗口框架。一种半导体封装包括具有管芯附着区域和周边区域的基板、具有附着到管芯附着区域的第一端子和背对基板的第二端子和第三端子的晶体管管芯、以及包括电绝缘构件的框架，所述电绝缘构件具有附着到基板的周边区域的第一侧、背对基板的第二侧、在绝缘构件的第一侧处的第一金属层和在绝缘构件的第二侧处的第二金属层。该绝缘构件向外延伸超过基板的横向侧壁。第一金属层被附着到第一侧的向外延伸超过基板的横向侧壁的部分。第一和第二金属层在绝缘构件的与基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接。