公开(公告)号：CN103681525A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310317704.7

申请日：2013-07-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 罗兰·施佩克尔斯 ,  拉尔斯·伯文 ,  尼古拉斯·霍伊克 ,  尼尔斯·厄施勒

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2924/00014

Abstract: 将半导体芯片和干烧结料抵压在基片上形成一种烧结连接，所述干烧结料位于基片和半导体芯片之间，该干烧结料具有烧结颗粒和溶剂。在半导体芯片被压在基片上时，将基片加热至低于干烧结料的烧结温度，以在相邻烧结颗粒间形成局部烧结连接。局部烧结连接在烧结之前共同提供将半导体芯片固定至基片上的固定接合。在形成固定接合后，由干烧结料形成在半导体芯片与基片间的烧结连接。

公开(公告)号：CN103681525B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310317704.7

申请日：2013-07-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 罗兰·施佩克尔斯 ,  拉尔斯·伯文 ,  尼古拉斯·霍伊克 ,  尼尔斯·厄施勒

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2924/00014

Abstract: 将半导体芯片和干烧结料抵压在基片上形成一种烧结连接，所述干烧结料位于基片和半导体芯片之间，该干烧结料具有烧结颗粒和溶剂。在半导体芯片被压在基片上时，将基片加热至低于干烧结料的烧结温度，以在相邻烧结颗粒间形成局部烧结连接。局部烧结连接在烧结之前共同提供将半导体芯片固定至基片上的固定接合。在形成固定接合后，由干烧结料形成在半导体芯片与基片间的烧结连接。