公开(公告)号：CN106653825A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610958568.3

申请日：2016-10-27

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·库拉托拉 ,  O·黑伯伦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/201

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778

Abstract: 本公开涉及半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括基于III族氮化物的增强型高电子迁移率晶体管，其包括漏极、栅极、阻挡层、沟道层以及布置在沟道层上并且与沟道层之间形成能够支持二维电子气(2DEG)的异质结的阻挡层。阻挡层的厚度和组成中的任一项被配置为与沟道区域外部的2DEG密度相比减小沟道区域中的2DEG密度，其中沟道区域布置在栅极下方并且延伸超越漏极侧栅极边缘达距离d。

公开(公告)号：CN106571386A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610891921.0

申请日：2016-10-12

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·普雷科托 ,  O·黑伯伦 ,  C·奥斯特梅尔

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/747 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H02M1/42 ,  H03K17/687 ,  H03K2217/0054 ,  H01L2924/00014 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66431

Abstract: 本申请涉及开关电路、半导体器件和方法。在一个实施例中，开关电路包括双向开关，双向开关包括第一输入/输出节点、第二输入/输出节点、第一二极管和第二二极管。第一二极管和第二二极管反串联地耦合在第一输入/输出节点与第二输入/输出节点之间。

公开(公告)号：CN106024878A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610176655.3

申请日：2016-03-24

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·库拉托拉 ,  O·黑伯伦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0285 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/778 ,  H01L29/42324

Abstract: 本公开涉及具有集成到栅极结构中的RC网络的高电子迁移率晶体管，其中高电子迁移率晶体管包括缓冲区域以及与缓冲区域邻接并沿着缓冲区域延伸的阻挡区域，缓冲区域和阻挡区域由具有不同带隙的半导体材料形成，并且由二维电荷载流子气体形成导电沟道。栅极结构被配置为控制沟道的传导状态，并且包括导电栅电极、第一掺杂半导体区域、第二掺杂半导体区域和电阻器。第一掺杂半导体区域与栅电极的第一部分直接电接触。第二掺杂半导体区域与栅电极的第二部分直接电接触。第一和第二掺杂半导体区域相互形成pn结。栅电极的第一和第二部分通过电阻器相互电耦合。

公开(公告)号：CN107068746B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201610935458.5

申请日：2016-11-01

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·普雷科托 ,  O·黑伯伦 ,  C·奥斯特梅尔

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 本文公开了III族氮化物双向器件的各个实施方式。这种双向器件包括衬底、位于衬底之上的背部沟道层以及位于背部沟道层之上的器件沟道层和器件势垒层。器件沟道层和器件势垒层被配置为产生器件二维电子气(2DEG)。此外，III族氮化物双向器件包括形成在器件势垒层之上的相应第一耗尽部分和第二耗尽部分上的第一栅极和第二栅极。III族氮化物双向器件还包括位于背部沟道层和器件沟道层之间的背部势垒。III族氮化物双向器件的背部沟道层的极化基本等于器件沟道层的极化。

公开(公告)号：CN105405877B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201510557891.5

申请日：2015-09-02

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·普雷科托 ,  O·黑伯伦 ,  C·奥斯特梅尔

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明的各个实施例涉及具有埋置场板的高电子迁移率晶体管。一种高电子迁移率场效应晶体管利用具有台阶状横向剖面的缓冲区所形成，该台阶状横向剖面具有该缓冲区的第一、第二和第三横截面，该第一横截面比第三横截面更厚并且包含埋置场板，该第二横截面夹置在该第一和第三横截面之间并且与该第一和第三横截面形成倾斜角度。沿该台阶状横向剖面形成势垒区。该势垒区通过该缓冲区的一部分而与该埋置场板分隔。该缓冲区由第一半导体材料形成，并且该势垒区由第二半导体材料形成。该第一和第二半导体材料具有不同带隙，而使得在该缓冲和势垒区之间的界面处出现二维电荷载流子气的导电沟道。

公开(公告)号：CN105895680B

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201610045598.5

申请日：2016-01-22

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·普雷科托 ,  O·黑伯伦 ,  C·奥斯特梅尔

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 在实施例中，一种半导体器件包括衬底，形成在衬底上的基于III族氮化物的半导体层，形成在基于III族氮化物的半导体层上并且彼此相间隔的第一电流电极和第二电流电极，以及形成在基于III族氮化物的半导体层上的在第一电流电极与第二电流电极之间的控制电极。该控制电极至少包括中间部分以及与中间部分邻接的第二部分，该中间部分被配置用于在第一电压被施加到控制电极上时关断在中间部分下方的沟道。该第二部分被配置为当第二电压被施加到控制电极上时关断在第二部分下方的沟道，第二电压小于第一电压并且第二电压小于第二部分的阈值电压。

公开(公告)号：CN106571363A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610890419.8

申请日：2016-10-12

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·普雷科托 ,  O·黑伯伦 ,  C·奥斯特梅尔

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请涉及半导体器件。在一个实施例中，半导体器件包括被配置为双向开关的基于III族氮化物的高电子迁移率晶体管。基于III族氮化物的高电子迁移率晶体管包括第一输入/输出电极、第二输入/输出电极、布置在第一输入/输出电极与第二输入/输出电极之间的栅极结构以及场板结构。

公开(公告)号：CN106024878B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610176655.3

申请日：2016-03-24

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·库拉托拉 ,  O·黑伯伦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0285 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本公开涉及具有集成到栅极结构中的RC网络的高电子迁移率晶体管，其中高电子迁移率晶体管包括缓冲区域以及与缓冲区域邻接并沿着缓冲区域延伸的阻挡区域，缓冲区域和阻挡区域由具有不同带隙的半导体材料形成，并且由二维电荷载流子气体形成导电沟道。栅极结构被配置为控制沟道的传导状态，并且包括导电栅电极、第一掺杂半导体区域、第二掺杂半导体区域和电阻器。第一掺杂半导体区域与栅电极的第一部分直接电接触。第二掺杂半导体区域与栅电极的第二部分直接电接触。第一和第二掺杂半导体区域相互形成pn结。栅电极的第一和第二部分通过电阻器相互电耦合。

公开(公告)号：CN104347618B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201410389672.6

申请日：2014-08-08

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： R·奥特雷姆巴 ,  K·希斯 ,  O·黑伯伦

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/40 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/36 ,  H01L24/41 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41051 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/37099

Abstract: 一种电子部件包括高压耗尽型晶体管、邻近高压耗尽型晶体管布置且与所述高压耗尽型晶体管隔开的低压增强型晶体管，以及导电构件，该导电构件将高压耗尽型晶体管的第一电流电极电耦合到低压增强型晶体管的第一电流电极。导电构件具有片状形式。

公开(公告)号：CN107068746A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610935458.5

申请日：2016-11-01

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·普雷科托 ,  O·黑伯伦 ,  C·奥斯特梅尔

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 本文公开了III族氮化物双向器件的各个实施方式。这种双向器件包括衬底、位于衬底之上的背部沟道层以及位于背部沟道层之上的器件沟道层和器件势垒层。器件沟道层和器件势垒层被配置为产生器件二维电子气(2DEG)。此外，III族氮化物双向器件包括形成在器件势垒层之上的相应第一耗尽部分和第二耗尽部分上的第一栅极和第二栅极。III族氮化物双向器件还包括位于背部沟道层和器件沟道层之间的背部势垒。III族氮化物双向器件的背部沟道层的极化基本等于器件沟道层的极化。