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公开(公告)号：CN105474369B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201380079021.0
申请日：2013-09-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/027
Abstract: 用于在去除蚀刻掩模期间保护所蚀刻的特征的技术和结构。在实施例中，对掩模图案化并蚀刻衬底层以转移图案。在蚀刻衬底层之后，利用回填蚀刻掩模的牺牲材料覆盖被图案化到衬底中的特征。在由牺牲材料保护衬底特征的情况下，去除掩模的至少顶部部分。然后，去除牺牲材料和掩模的任何剩余部分。在其它实施例中，利用与多层蚀刻掩模的第一材料层具有相同的成分的牺牲材料来保护所蚀刻到衬底层中的栅极接触部开口。在接下来与第一掩模材料层同时去除牺牲材料之前，去除与衬底层具有类似成分的蚀刻掩模的第二材料层。
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公开(公告)号：CN102165580A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137685.1
申请日：2009-09-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/027
CPC classification number: H01L28/40 , H01G4/012 , H01G4/33 , H01L23/5223 , H01L27/10852 , H01L28/90 , H01L28/91 , H01L28/92 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种对挖空特征(130，330，830)的垂直侧壁(132，332，832)上的金属(141，341，841)进行构图的方法包括：在挖空特征中设置材料(350)，使得材料的一部分(435)暴露于所述材料上方的挖空特征中，使用第一湿法蚀刻化学试剂从所述垂直侧壁蚀刻掉所述金属的暴露部分；以及使用第二湿法蚀刻化学试剂通过蚀刻所述材料从所述挖空特征去除所述材料。可以使用所述方法制造适用于eDRAM器件的MIM电容器(800)。
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公开(公告)号：CN101379596A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780004890.1
申请日：2007-03-14
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/768
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/76816 , H01L21/76895 , H01L23/485
Abstract: 一种形成晶体管接触的方法开始于提供晶体管，所述晶体管包括形成于衬底上的栅极叠置体以及第一和第二扩散区，并且还包括形成于所述栅极叠置体和所述扩散区的顶部的电介质层。第一光刻工艺为第一和第二扩散区形成了第一和第二扩散沟槽开口。之后，向所述第一和第二扩散沟槽开口内淀积牺牲层。接下来，第二光刻工艺形成了用于栅极叠置体的栅极叠置体沟槽开口以及将所述栅极叠置体沟槽开口耦合至所述第一扩散沟槽开口的局部互连沟槽开口。所述第二光刻工艺的执行独立于所述第一光刻工艺。之后，去除所述牺牲层，并执行金属化处理，从而采用金属层填充所述第一和第二扩散沟槽开口、栅极叠置体沟槽开口和局部互连沟槽开口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112359B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201480083582.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 英特尔公司
Inventor： S·K·加德纳 , W·拉赫马迪 , M·V·梅茨 , G·杜威 , J·T·卡瓦列罗斯 , C·S·莫哈帕特拉 , A·S·默西 , N·拉哈尔-乌拉比 , N·M·泽利克 , T·加尼
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 实施例包括一种器件，该器件包括：鳍状物结构，其包括上部分和下部分，上部分具有的底表面直接接触下部分的上表面；其中(a)下部分被包括在具有至少2:1的高宽比(深度比宽度)的沟槽中；(b)底表面具有底部最大宽度并且上表面具有大于底部最大宽度的上部最大宽度；(c)底表面覆盖上表面的中间部分但不覆盖上表面的横向部分；并且(d)上部分包括上Ⅲ‑Ⅴ材料，并且下部分包括不同于上Ⅲ‑Ⅴ材料的下Ⅲ‑Ⅴ材料。在本文中描述了其它实施例。
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公开(公告)号：CN107004712A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083597.9
申请日：2014-12-23
Applicant: 英特尔公司
Inventor： S·K·加德纳 , W·拉赫马迪 , M·V·梅茨 , G·杜威 , J·T·卡瓦列罗斯 , C·S·莫哈帕特拉 , A·S·默西 , N·拉哈尔-乌拉比 , N·M·泽利克 , M·C·弗伦奇 , T·加尼
CPC classification number: H01L29/66742 , B82Y10/00 , H01L21/02392 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/823412 , H01L27/088 , H01L29/0673 , H01L29/20 , H01L29/42392 , H01L29/66469 , H01L29/66522 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/78681 , H01L29/78696
Abstract: 实施例包括一种器件，包括：第一鳍状物和第二鳍状物，第一鳍状物和第二鳍状物彼此相邻并且每个均包括沟道层和子鳍状物层，沟道层具有直接接触子鳍状物层的上表面的底表面；其中(a)底表面总体上彼此共面并且总体上是平坦的；(b)上表面总体上彼此共面并且总体上是平坦的；并且(c)沟道层包括上部III‑V材料，并且子鳍状物层包括与上部III‑V材料不同的下部III‑V材料。本文中描述了其它实施例。
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公开(公告)号：CN107004712B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201480083597.9
申请日：2014-12-23
Applicant: 英特尔公司
Inventor： S·K·加德纳 , W·拉赫马迪 , M·V·梅茨 , G·杜威 , J·T·卡瓦列罗斯 , C·S·莫哈帕特拉 , A·S·默西 , N·拉哈尔-乌拉比 , N·M·泽利克 , M·C·弗伦奇 , T·加尼
Abstract: 实施例包括一种器件，包括：第一鳍状物和第二鳍状物，第一鳍状物和第二鳍状物彼此相邻并且每个均包括沟道层和子鳍状物层，沟道层具有直接接触子鳍状物层的上表面的底表面；其中(a)底表面总体上彼此共面并且总体上是平坦的；(b)上表面总体上彼此共面并且总体上是平坦的；并且(c)沟道层包括上部III‑V材料，并且子鳍状物层包括与上部III‑V材料不同的下部III‑V材料。本文中描述了其它实施例。
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公开(公告)号：CN107112359A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201480083582.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 英特尔公司
Inventor： S·K·加德纳 , W·拉赫马迪 , M·V·梅茨 , G·杜威 , J·T·卡瓦列罗斯 , C·S·莫哈帕特拉 , A·S·默西 , N·拉哈尔-乌拉比 , N·M·泽利克 , T·加尼
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/1054 , H01L29/205 , H01L29/66795 , H01L29/66818
Abstract: 实施例包括一种器件，该器件包括：鳍状物结构，其包括上部分和下部分，上部分具有的底表面直接接触下部分的上表面；其中(a)下部分被包括在具有至少2:1的高宽比(深度比宽度)的沟槽中；(b)底表面具有底部最大宽度并且上表面具有大于底部最大宽度的上部最大宽度；(c)底表面覆盖上表面的中间部分但不覆盖上表面的横向部分；并且(d)上部分包括上Ⅲ‑Ⅴ材料，并且下部分包括不同于上Ⅲ‑Ⅴ材料的下Ⅲ‑Ⅴ材料。在本文中描述了其它实施例。
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公开(公告)号：CN105474369A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201380079021.0
申请日：2013-09-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , H01L21/31051 , H01L21/76814 , H01L21/823437 , H01L27/088 , H01L29/0657 , H01L29/401
Abstract: 用于在去除蚀刻掩模期间保护所蚀刻的特征的技术和结构。在实施例中，对掩模图案化并蚀刻衬底层以转移图案。在蚀刻衬底层之后，利用回填蚀刻掩模的牺牲材料覆盖被图案化到衬底中的特征。在由牺牲材料保护衬底特征的情况下，去除掩模的至少顶部部分。然后，去除牺牲材料和掩模的任何剩余部分。在其它实施例中，利用与多层蚀刻掩模的第一材料层具有相同的成分的牺牲材料来保护所蚀刻到衬底层中的栅极接触部开口。在接下来与第一掩模材料层同时去除牺牲材料之前，去除与衬底层具有类似成分的蚀刻掩模的第二材料层。
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