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公开(公告)号：CN114203683A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110948205.2
申请日：2021-08-18
Applicant: 英特尔公司
Inventor： A·A·埃尔舍比尼 , K·巴拉特 , K·P·奥布里恩 , 全箕玟 , 邓汉威 , M·E·卡比尔 , G·S·帕斯达斯特 , F·埃德 , A·亚列索夫 , J·M·斯万 , S·M·利夫
IPC: H01L25/07 , H01L23/64 , H01L23/482
Abstract: 本公开涉及具有直接键合区中的电感器的微电子组装件。本文公开了包括通过直接键合而耦合在一起的微电子组件的微电子组装件以及相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组装件可以包括第一微电子组件和通过直接键合区与第一微电子组件耦合的第二微电子组件，其中，直接键合区包括电感器的至少一部分。
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公开(公告)号：CN119517893A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411631440.7
申请日：2017-11-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/485 , H01L23/48 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本申请涉及光刻限定的通孔中的可扩展嵌入式硅桥通孔柱及其制造方法。提供了一种包括高互连通孔柱的嵌入式硅桥系统，其是封装器件中的系统的部分。高通孔柱可以跨越Z高度距离到来自键合焊盘的随后的键合焊盘，该键合焊盘是容纳嵌入式硅桥的有机衬底的部分。
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公开(公告)号：CN117594569A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310887155.0
申请日：2023-07-19
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/00
Abstract: 本发明题为“准单片管芯架构”。本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组件可包括：具有一个或多个传导迹线和表面的电介质层；在电介质层的表面上的微电子子组件，该微电子子组件包括第一管芯和被电介质材料围绕的贯穿电介质通孔(TDV)，其中第一管芯在电介质层的表面；在第一管芯上并且通过具有小于10微米间距的互连而被电耦合到第一管芯的第二管芯和第三管芯，并且其中TDV在第一端处被电耦合到电介质层并在相对的第二端处被电耦合到第二管芯；以及在第二和第三管芯上并耦合到第二和第三管芯的衬底；以及在电介质层的表面上并且在微电子子组件周围的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN117136435A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202280024942.6
申请日：2022-03-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 一种管芯组件，包括：第一部件层，具有绝缘体中的导电穿透连接；第二部件层，包括管芯；以及有源器件层(ADL)，在所述第一部件层与所述第二部件层之间的界面处。所述ADL包括：有源元件，电耦合到所述第一部件层和所述第二部件层。所述管芯组件进一步包括：接合层，将所述ADL电耦合到所述第二部件层。在一些实施例中，所述管芯组件进一步包括：另一ADL，在所述第一部件层与同所述界面相对的封装支撑物之间的另一界面处。所述第一部件层可以包括具有穿透衬底通孔(TSV)的另一管芯。所述管芯和所述另一管芯可以是使用不同工艺节点来制造的。
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