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公开(公告)号:CN104541348A
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201380044088.0
申请日:2013-06-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , H01G9/0029 , H01G11/04 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/417
Abstract: 能量储存装置包括:第一电极(110,510),其包括包含第一电解质(150,514)的第一多个通道(111,512);以及第二电极(120,520),其中包括包含第二电解质(524)的第二多个通道(121,522)。第一电极具有第一表面(115,511),以及第二电极具有第二表面(125,521)。第一和第二电极中的至少一个是多孔硅电极,以及第一和第二表面中的至少一个包括钝化层(535)。
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公开(公告)号:CN104517737A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410616413.2
申请日:2014-09-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor: 陈朝晖
CPC classification number: H01G11/04 , H01G11/28 , H01G11/46 , H01G11/68 , H01G11/70 , Y02E60/13 , H01G11/26 , H01G11/10 , H01G11/84
Abstract: 本发明涉及高电压高功率储能器件、系统及相关联方法。提供了一种具有提高的操作电压的高功率密度储能器件。这种器件可包括在导电衬底上具有结构化表面的阴极,被定位成与该阴极邻近的阳极,其中该阳极包括具有结构化表面的硅衬底,以及其中该阴极的结构化表面被定向成朝向该阳极的结构化表面。该器件还包括施加到阳极的结构化表面的介电材料,施加到阴极的结构化表面的导电材料或者赝电容材料;以及设置在阴极和阳极之间的电解质。
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公开(公告)号:CN105981118A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201480063840.0
申请日:2014-11-20
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本发明公开了混合式电化学电容器、使用此类电容器的电子设备和相关方法。在示例中,混合式电化学电容器可包括:由Mg、Na、Zn、Al、Sn或Li制得的第一电极,由例如多孔碳或经钝化多孔硅的多孔材料制得的第二电极以及电解质。与其它电化学电容器相比,该混合式电化学电容器可具有增强的电压和能量密度,并且与电池相比,其具有增强的功率密度。
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公开(公告)号:CN104025225A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201180074610.0
申请日:2011-11-03
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81B7/0077 , C25F3/02 , C25F3/12 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01M4/00 , H01M4/044 , H01M4/386 , Y02E60/13
Abstract: 一种储能结构包括储能装置,储能装置包括包含多个通道(111、121)的至少一个多孔结构(110、120、510、1010),多个通道(111、121)的每一个具有到多孔结构的表面(115、116、515、516、1015、1116)的开口(112、122),并且进一步包括用于储能装置的支承结构(102、402、502、1002)。在特定的实施例中,多孔结构和支承结构两者都由第一材料形成,并且支承结构物理接触储能装置的第一部分(513、813、1213)并且暴露储能装置的第二部分(514、814、1214)。
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公开(公告)号:CN104813421B
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201380062055.9
申请日:2013-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/24 , G11C13/0002 , G11C13/0016 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/435
Abstract: 在一个实施例中,能量储存设备的结构可以包括具有导电层和在导电层上形成的电介质层的第一纳米结构衬底。第二纳米结构衬底包括另一个导电层。隔离物将第一和第二纳米结构衬底隔离并且允许电解质的离子穿过隔离物。结构可以是纳米结构电解电容器,其中第一纳米结构衬底形成正电极并且第二纳米结构衬底形成电容器的负电极。
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公开(公告)号:CN104025225B
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201180074610.0
申请日:2011-11-03
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81B7/0077 , C25F3/02 , C25F3/12 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01M4/00 , H01M4/044 , H01M4/386 , Y02E60/13
Abstract: 一种储能结构包括储能装置,储能装置包括包含多个通道(111、121)的至少一个多孔结构(110、120、510、1010),多个通道(111、121)的每一个具有到多孔结构的表面(115、116、515、516、1015、1116)的开口(112、122),并且进一步包括用于储能装置的支承结构(102、402、502、1002)。在特定的实施例中,多孔结构和支承结构两者都由第一材料形成,并且支承结构物理接触储能装置的第一部分(513、813、1213)并且暴露储能装置的第二部分(514、814、1214)。
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公开(公告)号:CN104813421A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201380062055.9
申请日:2013-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/24 , G11C13/0002 , G11C13/0016 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/435
Abstract: 在一个实施例中,能量储存设备的结构可以包括具有导电层和在导电层上形成的电介质层的第一纳米结构衬底。第二纳米结构衬底包括另一个导电层。隔离物将第一和第二纳米结构衬底隔离并且允许电解质的离子穿过隔离物。结构可以是纳米结构电解电容器,其中第一纳米结构衬底形成正电极并且第二纳米结构衬底形成电容器的负电极。
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公开(公告)号:CN103988271A
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201180075699.2
申请日:2011-12-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/56 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/54 , H01G11/84 , H01G11/86 , H01G2009/0007 , H01L28/84 , Y02E60/13
Abstract: 在本发明的一个实施例中,描述一种储能器件,其包括一对导电多孔机构,其中该导电多孔结构中每一个包含装填到多个细孔中的电解质。固态或半固态电解质层将此对导电多孔结构分隔,并渗透此对导电多孔结构的多个细孔。在本发明的实施例中,在衬底上形成导电多孔结构,其中导电多孔结构包含多个细孔。然后将电解质装填到多个细孔中,并在导电多孔结构上方形成电解质层。在一个实施例中,电解质层渗透导电多孔结构的多个细孔。
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公开(公告)号:CN104541348B
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201380044088.0
申请日:2013-06-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , H01G9/0029 , H01G11/04 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/417
Abstract: 能量储存装置包括:第一电极(110,510),其包括包含第一电解质(150,514)的第一多个通道(111,512);以及第二电极(120,520),其中包括包含第二电解质(524)的第二多个通道(121,522)。第一电极具有第一表面(115,511),以及第二电极具有第二表面(125,521)。第一和第二电极中的至少一个是多孔硅电极,以及第一和第二表面中的至少一个包括钝化层(535)。
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公开(公告)号:CN103988271B
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201180075699.2
申请日:2011-12-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/56 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/54 , H01G11/84 , H01G11/86 , H01G2009/0007 , H01L28/84 , Y02E60/13
Abstract: 在本发明的一个实施例中,描述一种储能器件,其包括一对导电多孔机构,其中该导电多孔结构中每一个包含装填到多个细孔中的电解质。固态或半固态电解质层将此对导电多孔结构分隔,并渗透此对导电多孔结构的多个细孔。在本发明的实施例中,在衬底上形成导电多孔结构,其中导电多孔结构包含多个细孔。然后将电解质装填到多个细孔中,并在导电多孔结构上方形成电解质层。在一个实施例中,电解质层渗透导电多孔结构的多个细孔。
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