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公开(公告)号：CN104541348B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380044088.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , H01G9/0029 , H01G11/04 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/417
Abstract: 能量储存装置包括：第一电极(110，510)，其包括包含第一电解质(150，514)的第一多个通道(111，512)；以及第二电极(120，520)，其中包括包含第二电解质(524)的第二多个通道(121，522)。第一电极具有第一表面(115，511)，以及第二电极具有第二表面(125，521)。第一和第二电极中的至少一个是多孔硅电极，以及第一和第二表面中的至少一个包括钝化层(535)。
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公开(公告)号：CN103988271B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201180075699.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/56 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/54 , H01G11/84 , H01G11/86 , H01G2009/0007 , H01L28/84 , Y02E60/13
Abstract: 在本发明的一个实施例中，描述一种储能器件，其包括一对导电多孔机构，其中该导电多孔结构中每一个包含装填到多个细孔中的电解质。固态或半固态电解质层将此对导电多孔结构分隔，并渗透此对导电多孔结构的多个细孔。在本发明的实施例中，在衬底上形成导电多孔结构，其中导电多孔结构包含多个细孔。然后将电解质装填到多个细孔中，并在导电多孔结构上方形成电解质层。在一个实施例中，电解质层渗透导电多孔结构的多个细孔。
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公开(公告)号：CN104115246B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201280070312.9
申请日：2012-02-21
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 能量储存装置包括：中间段(610)，包括多个双面多孔结构(500)，其中每个包含其两个相对表面(515，525)中的多个通道(511)；上段(620)，包括单面多孔结构(621)，其中包含其表面(625)中的多个通道(622)；以及下段(630)，包括单面多孔结构(631)，其中包含其表面(635)中的多个通道(632)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104541348A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380044088.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/26 , H01G9/0029 , H01G11/04 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/417
Abstract: 能量储存装置包括：第一电极(110，510)，其包括包含第一电解质(150，514)的第一多个通道(111，512)；以及第二电极(120，520)，其中包括包含第二电解质(524)的第二多个通道(121，522)。第一电极具有第一表面(115，511)，以及第二电极具有第二表面(125，521)。第一和第二电极中的至少一个是多孔硅电极，以及第一和第二表面中的至少一个包括钝化层(535)。
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公开(公告)号：CN104115246A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280070312.9
申请日：2012-02-21
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 能量储存装置包括：中间段(610)，包括多个双面多孔结构(500)，其中每个包含其两个相对表面(515，525)中的多个通道(511)；上段(620)，包括单面多孔结构(621)，其中包含其表面(625)中的多个通道(622)；以及下段(630)，包括单面多孔结构(631)，其中包含其表面(635)中的多个通道(632)。
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公开(公告)号：CN104813421B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201380062055.9
申请日：2013-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/24 , G11C13/0002 , G11C13/0016 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/435
Abstract: 在一个实施例中，能量储存设备的结构可以包括具有导电层和在导电层上形成的电介质层的第一纳米结构衬底。第二纳米结构衬底包括另一个导电层。隔离物将第一和第二纳米结构衬底隔离并且允许电解质的离子穿过隔离物。结构可以是纳米结构电解电容器，其中第一纳米结构衬底形成正电极并且第二纳米结构衬底形成电容器的负电极。
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公开(公告)号：CN104813421A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380062055.9
申请日：2013-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/24 , G11C13/0002 , G11C13/0016 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/435
Abstract: 在一个实施例中，能量储存设备的结构可以包括具有导电层和在导电层上形成的电介质层的第一纳米结构衬底。第二纳米结构衬底包括另一个导电层。隔离物将第一和第二纳米结构衬底隔离并且允许电解质的离子穿过隔离物。结构可以是纳米结构电解电容器，其中第一纳米结构衬底形成正电极并且第二纳米结构衬底形成电容器的负电极。
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公开(公告)号：CN103988271A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201180075699.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/56 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/54 , H01G11/84 , H01G11/86 , H01G2009/0007 , H01L28/84 , Y02E60/13
Abstract: 在本发明的一个实施例中，描述一种储能器件，其包括一对导电多孔机构，其中该导电多孔结构中每一个包含装填到多个细孔中的电解质。固态或半固态电解质层将此对导电多孔结构分隔，并渗透此对导电多孔结构的多个细孔。在本发明的实施例中，在衬底上形成导电多孔结构，其中导电多孔结构包含多个细孔。然后将电解质装填到多个细孔中，并在导电多孔结构上方形成电解质层。在一个实施例中，电解质层渗透导电多孔结构的多个细孔。
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