公开(公告)号：CN104813421B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201380062055.9

申请日：2013-06-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 陈朝晖 ,  D.S.贾纳 ,  B.K.孟 ,  C.W.霍尔斯瓦思 ,  C.L.平特 ,  S.B.克伦登宁

IPC: H01G4/005

CPC classification number: H01G11/24 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0016 ,  H01L28/82 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/435

Abstract: 在一个实施例中，能量储存设备的结构可以包括具有导电层和在导电层上形成的电介质层的第一纳米结构衬底。第二纳米结构衬底包括另一个导电层。隔离物将第一和第二纳米结构衬底隔离并且允许电解质的离子穿过隔离物。结构可以是纳米结构电解电容器，其中第一纳米结构衬底形成正电极并且第二纳米结构衬底形成电容器的负电极。

公开(公告)号：CN104813421A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380062055.9

申请日：2013-06-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 陈朝晖 ,  D.S.贾纳 ,  B.K.孟 ,  C.W.霍尔斯瓦思 ,  C.L.平特 ,  S.B.克伦登宁

IPC: H01G4/005

CPC classification number: H01G11/24 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0016 ,  H01L28/82 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/435

Abstract: 在一个实施例中，能量储存设备的结构可以包括具有导电层和在导电层上形成的电介质层的第一纳米结构衬底。第二纳米结构衬底包括另一个导电层。隔离物将第一和第二纳米结构衬底隔离并且允许电解质的离子穿过隔离物。结构可以是纳米结构电解电容器，其中第一纳米结构衬底形成正电极并且第二纳米结构衬底形成电容器的负电极。