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公开(公告)号：CN104246808A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280071836.X
申请日：2012-03-30
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F21/577 , G06Q20/3224 , G06Q20/4016
Abstract: 用于安全评估的方法、装置和技术。评估客户端设备的安全简档。安全简档基于客户端设备的硬件和软件安全机制利用。基于安全简档产生安全分数。向服务提供商提供安全分数。
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公开(公告)号：CN104025225B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201180074610.0
申请日：2011-11-03
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81B7/0077 , C25F3/02 , C25F3/12 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01M4/00 , H01M4/044 , H01M4/386 , Y02E60/13
Abstract: 一种储能结构包括储能装置，储能装置包括包含多个通道(111、121)的至少一个多孔结构(110、120、510、1010)，多个通道(111、121)的每一个具有到多孔结构的表面(115、116、515、516、1015、1116)的开口(112、122)，并且进一步包括用于储能装置的支承结构(102、402、502、1002)。在特定的实施例中，多孔结构和支承结构两者都由第一材料形成，并且支承结构物理接触储能装置的第一部分(513、813、1213)并且暴露储能装置的第二部分(514、814、1214)。
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公开(公告)号：CN101242171B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200710300200.9
申请日：2007-12-19
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本发明涉及脉宽调制器领域。根据一些实施例，提供了一种具有比较器的脉宽调制器电路，所述比较器利用所施加的可调波形生成具有可控可调占空比的比特流。所述脉宽调制器电路包括：比较器，其具有相关联的基准电平；以及可调波形发生器，其耦合到所述比较器，用于为所述比较器提供周期性波形，所述比较器生成具有可控可调占空比的比特流，其中所述可控可调占空比与对所述周期性波形的位置的调整相对应。
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公开(公告)号：CN103415840B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180068583.6
申请日：2011-12-21
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F11/0781 , G06F11/0772 , G06F11/0793 , G06F11/1425 , G06F11/1428
Abstract: 通常，本公开提供了跨硬件层和软件层的错误管理，以使得硬件和软件在面对因老化、制造容差等引起的错误和硬件改变时能够传递可靠的操作。在一个实施例中，提供了错误管理模块，其收集来自硬件层和软件层的信息，并且检测和诊断错误。可以选择硬件或软件恢复技术来提供有效的操作，并且，在一些实施例中，尽管存在永久错误，但硬件装置可以被重新配置以防止将来的错误并允许硬件装置进行操作。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105247638A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480030809.7
申请日：2014-06-24
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01G11/24 , H01G11/30 , H01G11/32 , H01G11/50 , H01G11/86 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/362 , H01M4/386 , H01M4/624 , H01M10/05 , H01M10/0567 , Y02E60/13 , Y10T29/49117
Abstract: 公开了电极、使用这样的电极的能量储存装置以及相关联的方法。在一个示例中，用于能量储存装置的电极可以包括多孔硅，多孔硅具有多个通道和表面，多个通道向表面开口；以及沉积在通道内的结构材料；其中结构材料在使用过程中向电极提供结构稳定性。
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公开(公告)号：CN104025225A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201180074610.0
申请日：2011-11-03
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81B7/0077 , C25F3/02 , C25F3/12 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01M4/00 , H01M4/044 , H01M4/386 , Y02E60/13
Abstract: 一种储能结构包括储能装置，储能装置包括包含多个通道(111、121)的至少一个多孔结构(110、120、510、1010)，多个通道(111、121)的每一个具有到多孔结构的表面(115、116、515、516、1015、1116)的开口(112、122)，并且进一步包括用于储能装置的支承结构(102、402、502、1002)。在特定的实施例中，多孔结构和支承结构两者都由第一材料形成，并且支承结构物理接触储能装置的第一部分(513、813、1213)并且暴露储能装置的第二部分(514、814、1214)。
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公开(公告)号：CN103415840A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201180068583.6
申请日：2011-12-21
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F11/0781 , G06F11/0772 , G06F11/0793 , G06F11/1425 , G06F11/1428
Abstract: 通常，本发明提供了跨硬件层和软件层的错误管理，以使得硬件和软件在面对因老化、制造容差等引起的错误和硬件改变时能够传递可靠的操作。在一个实施例中，提供了错误管理模块，其收集来自硬件层和软件层的信息，并且检测和诊断错误。可以选择硬件或软件恢复技术来提供有效的操作，并且，在一些实施例中，尽管存在永久错误，但硬件装置可以被重新配置以防止将来的错误并允许硬件装置进行操作。
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公开(公告)号：CN102906834A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201080066031.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/86 , H01G2/02 , H01G9/048 , H01G11/24 , H01G11/26 , H01G11/36 , H01G11/52 , H01G11/54 , H01L28/82 , Y02E60/13
Abstract: 在一个实施例中，电荷存储设备包括通过分离器(130)相互分离的第一(110)和第二(120)导电结构。所述第一和第二导电结构中的至少一个包括包含多个通道(111、121)的多孔结构。所述通道中的每一个具有位于所述多孔结构的表面(115，125)上的开口(112、122)。在另一实施例中，所述电荷存储设备包括多个纳米结构(610)和与至少一些纳米结构物理接触的电解质(650)。介电常数至少为3.9的材料(615)可以设置在所述电解质与所述纳米结构之间。
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