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公开(公告)号：CN113992118B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202111181104.3
申请日：2021-10-11
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
Abstract: 本发明提供一种具有光伏发电和摩擦发电功能的装置，包括太阳能电池，太阳能电池包括位于其上层的第一透明导电薄膜，装置还包括能够允许光线透过且能够弯曲变形的摩擦层及第二透明导电薄膜，摩擦层位于第一透明导电薄膜的上方，第二透明导电薄膜覆于摩擦层的上表面，装置具有第一状态和第二状态，在第一状态时，摩擦层弯曲并和第一透明导电薄膜接触；在第二状态时，摩擦层脱离第一透明导电薄膜。本发明的一种具有光伏发电和摩擦发电功能的装置在晴天和雨天均能够发电，能够充分利用雨滴的动能，且具有较高的发电功率。
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公开(公告)号：CN109494274B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201811528490.7
申请日：2018-12-13
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池及其制备方法，其中，该晶硅电池包括p型硅基体、位于p型硅基体背面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层背面的n型多晶硅层，隧穿氧化层与n型多晶硅层构成浮动结，浮动结的预设位置处设置有开孔，还包括：位于n型多晶硅层背面且通过开孔与裸露出来的p型硅基体相接触的金属电极；设置在n型多晶硅层与金属电极之间、及开孔内的第一介质层。本申请公开的上述技术方案，由于隧穿氧化层和n型多晶硅均可承受制备金属电极时的高温而不发生变化，且不会因高温而遭到破坏，因此，则可以减少高温烧结过程对浮动结所带来的影响，从而可以提高浮动结对晶硅电池的钝化效果。
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公开(公告)号：CN114695588B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202011643595.4
申请日：2020-12-30
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/20 , H01L21/30
Abstract: 本发明涉及了一种高效异质结电池结构及其制备方法，高效异质结电池结构包括：中间电池结构，设有n型单晶硅层；正面电池结构，包括依次堆叠设置的正面本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层以及p型掺杂非晶硅层；以及背面电池结构，包括相反方向依次堆叠设置的背面本征非晶硅层、n型掺杂氢化氧化硅层以及n型掺杂非晶硅层；其中，p型掺杂非晶硅层、n型掺杂非晶硅层两者的厚度范围均为1～5nm，p型掺杂氢化氧化硅层、n型掺杂氢化氧化硅层两者的厚度范围均为10～20nm。通过上述设置，可解决现有的异质结电池结构中由于掺杂非晶硅层的厚度与性能两者矛盾对立导致的电池转换效率低的问题。
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公开(公告)号：CN109968799B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201910355371.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: B41F15/36 , B41M1/12 , B41M1/26 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法，其中，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案，可以通过所设置的遮挡件中的镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积，相应地，则可以通过遮挡件中的遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积，因此，则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，进而可以提高P型晶硅电池的性能。
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公开(公告)号：CN111850522B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202010772639.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: C23C16/54 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种传输装置，包括承载主体，所述承载主体的两侧对称的设置有多个用于对传输对象进行传输的滚轮，相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件。由于相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件，因此传输对象就不会进入滚轮之间导致无法继续向前移动，从而该方案能够快速、低成本的降低卡框概率，减少卡框引起的产品质量不良的问题，提高设备嫁动率，降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111916528B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010606899.7
申请日：2020-06-29
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷掺杂面，制备选择性发射极；且述P型单晶硅片采用背靠背的方式放置，在背面沉积AlOx层；且在所述正面和背面沉积SiNx层；然后对所述P型单晶硅片进行退火工艺。本发明通过在在SiNx镀膜后，增加退火步骤，调节晶体硅电池内氢浓度，降低由过量氢元素造成的的热辅助光致衰减，进而提高了晶体硅电池封装组件的输出功率。
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公开(公告)号：CN114050204A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111339977.2
申请日：2021-11-12
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供了一种P型IBC电池的制备方法。与现有技术相比，本发明采用双面硼扩散技术正面的P+掺杂硅层可起到表面钝化的作用，背面的P+掺杂硅层可起到提取空穴的作用，两个功能层同时制备一步完成，且无需做边缘绝缘处理，正面和背面的P+掺杂硅层通过边缘连接在一起，不会导致漏电；同时硼扩散生成的硼硅玻璃层可作为阻挡层，使磷掺杂时磷只掺杂入去除硼硅玻璃层的区域，无需额外制备阻挡层；再者，利用磷掺杂浓度比硼掺杂浓度更高的特点，对去除硼硅玻璃层的P+掺杂硅区域进行补偿掺杂，将其转变为N+掺磷硅，从而实现P型IBC电池的制备，制备步骤简单，无需光刻技术，可显著降低电池成本。
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公开(公告)号：CN112701190B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202011606811.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/66 , H01L31/02 , H01L31/0224
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池金属化接触复合电流的测试方法，步骤如下：(1)在半成品蓝膜片的待测面印刷至少4种以上的不同金属化面积的栅线图形，且每种图形的个数不少于3个，并打乱其排布，栅线图形外侧使用闭合的矩形边框作为隔离；(2)在非待测面正常印刷金属化电极并烧结；(3)测试待测面上每个栅线图形的暗饱和电流密度J0；(4)对每种栅线图形的暗饱和电流密度取平均值，以不同金属化面积的栅线图形对应的暗饱和电流密度值的数据进行线性拟合。该方法通过多个相同图形的错位分布减少了样品本身不均匀性带来的测试误差；通过图形边框隔离减少了相邻图形间的影响，能够更加准确地评估金属/半导体接触的复合电流。
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公开(公告)号：CN113555470A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110826671.3
申请日：2021-07-21
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224
Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，该方法包括获得正面依次层叠有钝化层和减反层的硅基体；对钝化层和减反层对应正电极的区域进行开孔；开孔深度等于钝化层和减反层的厚度之和；采用电镀法在开孔区域沉积铝形成铝电极，得到电池结构体；对电池结构体进行退火处理，铝电极和硅基体发生共晶反应，在硅基体对应铝电极的区域形成铝重掺杂区域；在硅基体的背面制备钝化接触结构和背电极，得到太阳能电池。本申请用电镀法在开孔区域沉积铝，通过退火时铝和硅发生共晶反应对硅基体进行局部重掺杂，无需复杂的掩膜工艺、高温扩散、高精度对准，制备过程简单，且不会影响硅基体的体少子寿命；铝电极宽度窄，减小对硅基体正面的遮光面积。
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公开(公告)号：CN110112260B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201910475055.0
申请日：2019-06-02
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种单晶硅基类倒金字塔绒面结构的扩散方法，包括：采用P型单晶硅片做单晶硅基底，在所述单晶硅基底正表面进行各向异性刻蚀，得到分布均匀的类倒金字塔结构；将具有类倒金字塔结构的硅片放入扩散炉中进行分步式扩散；所述分步式扩散包括温度依次升高条件下的磷源沉积和至少两个梯度的降温程序。本发明三步有序沉积的设计有利于磷源较为充分的均匀的沉积到硅片表面；降温分成两步的缓冲式降温方式，减少了硅片表面过多的磷源堆积而形成的“死层”，应用此方法得到的扩散方阻为达到理想方阻值，且均匀性较好。
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