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公开(公告)号：CN111477695A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010265140.7
申请日：2020-04-07
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种正面无电极的太阳能电池片及其制备方法，简化了制备工艺且太阳能电池片具有较高的转换效率。该太阳能电池片，包括：P型硅基体；氧化物膜，其形成于所述P型硅基体的背面之上；多晶/非晶硅层，其形成于所述氧化物膜之上；背面钝化层，其形成于所述多晶/非晶硅层之上；N型掺杂氮化硅层，其形成于所述背面钝化层之上；P型电极；及N型电极；其中，P型硅基体具有重掺杂P型区域，P型电极依次穿过所述N型掺杂氮化硅层、所述背面钝化层、所述多晶/非晶硅层及所述氧化物膜以和所述P型硅基体的所述重掺杂P型区域形成欧姆接触，N型电极依次透过所述N型掺杂氮化硅层及所述背面钝化层以和所述多晶/非晶硅层形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN111850522B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202010772639.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: C23C16/54 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种传输装置，包括承载主体，所述承载主体的两侧对称的设置有多个用于对传输对象进行传输的滚轮，相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件。由于相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件，因此传输对象就不会进入滚轮之间导致无法继续向前移动，从而该方案能够快速、低成本的降低卡框概率，减少卡框引起的产品质量不良的问题，提高设备嫁动率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN111850522A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010772639.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: C23C16/54 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种传输装置，包括承载主体，所述承载主体的两侧对称的设置有多个用于对传输对象进行传输的滚轮，相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件。由于相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件，因此传输对象就不会进入滚轮之间导致无法继续向前移动，从而该方案能够快速、低成本的降低卡框概率，减少卡框引起的产品质量不良的问题，提高设备嫁动率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN111477695B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010265140.7
申请日：2020-04-07
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种正面无电极的太阳能电池片及其制备方法，简化了制备工艺且太阳能电池片具有较高的转换效率。该太阳能电池片，包括：P型硅基体；氧化物膜，其形成于所述P型硅基体的背面之上；多晶/非晶硅层，其形成于所述氧化物膜之上；背面钝化层，其形成于所述多晶/非晶硅层之上；N型掺杂氮化硅层，其形成于所述背面钝化层之上；P型电极；及N型电极；其中，P型硅基体具有重掺杂P型区域，P型电极依次穿过所述N型掺杂氮化硅层、所述背面钝化层、所述多晶/非晶硅层及所述氧化物膜以和所述P型硅基体的所述重掺杂P型区域形成欧姆接触，N型电极依次透过所述N型掺杂氮化硅层及所述背面钝化层以和所述多晶/非晶硅层形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN111559161A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010265988.X
申请日：2020-04-07
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种选择性发射极太阳能电池片的正面电极网版，减弱或消除网版使用次数累积后所产生的印刷图形外扩的影响。一种选择性发射极太阳能电池片的正面电极网版，包括网框及设置于所述网框内的网布，所述网布上设置有多个相互并列的主栅线及多个相互并列副栅线，所述网布沿中心辐射方向取小于8微米的内缩量预先进行内缩处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111477696B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010265825.1
申请日：2020-04-07
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种基于钝化接触的太阳能电池片及其制备方法，简化了制备工艺。一种基于钝化接触的太阳能电池片，包括硅基体，所述太阳能电池片还包括：第一钝化层，其形成于所述硅基体的正面之上；第一多晶/非晶硅层，其形成于所述正面钝化层之上；第一掺杂氮化硅层，其形成于所述第一多晶/非晶硅层之上；第二钝化层，其形成于所述硅基体的背面之上；第二多晶/非晶硅层，其形成于所述第二钝化层之上；及第二掺杂氮化硅层，其形成于所述第二多晶/非晶硅层之上；其中，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层中的一者为P型掺杂氮化硅层，另一者为N型掺杂氮化硅层。
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公开(公告)号：CN111477696A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010265825.1
申请日：2020-04-07
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种基于钝化接触的太阳能电池片及其制备方法，简化了制备工艺。一种基于钝化接触的太阳能电池片，包括硅基体，所述太阳能电池片还包括：第一钝化层，其形成于所述硅基体的正面之上；第一多晶/非晶硅层，其形成于所述正面钝化层之上；第一掺杂氮化硅层，其形成于所述第一多晶/非晶硅层之上；第二钝化层，其形成于所述硅基体的背面之上；第二多晶/非晶硅层，其形成于所述第二钝化层之上；及第二掺杂氮化硅层，其形成于所述第二多晶/非晶硅层之上；其中，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层中的一者为P型掺杂氮化硅层，另一者为N型掺杂氮化硅层。
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公开(公告)号：CN213013168U
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202021598849.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: C30B31/16 , C30B29/06 , H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/06
Abstract: 本申请公开了一种扩散炉，包括扩散炉本体，所述扩散炉本体的两侧分别为炉门和炉尾，所述扩散炉本体的位于所述炉尾一侧底部的内侧面位置开设有容纳延伸管的孔，所述延伸管的一端连接至进气管道，另一端位于所述扩散炉本体内部的靠近所述炉门的位置，且所述扩散炉本体炉尾的出口依次连接至出气管道和抽真空装置。本申请提供的上述扩散炉，能够避免炉口累积酸液产生腐蚀，提高石英管的使用寿命，降低保养的频率，避免积液进入真空泵造成损坏，提高真空泵的使用寿命。
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公开(公告)号：CN211789034U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202020490147.4
申请日：2020-04-07
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本实用新型公开了一种基于钝化接触的太阳能电池片法，其制备工艺较为简单。一种基于钝化接触的太阳能电池片，包括硅基体，所述太阳能电池片还包括：第一钝化层，其形成于所述硅基体的正面之上；第一多晶/非晶硅层，其形成于所述正面钝化层之上；第一掺杂氮化硅层，其形成于所述第一多晶/非晶硅层之上；第二钝化层，其形成于所述硅基体的背面之上；第二多晶/非晶硅层，其形成于所述第二钝化层之上；及第二掺杂氮化硅层，其形成于所述第二多晶/非晶硅层之上；其中，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层中的一者为P型掺杂氮化硅层，另一者为N型掺杂氮化硅层。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212426244U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202020490166.7
申请日：2020-04-07
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种改进的扩散炉，包括具有腔体的炉体，所述炉体具有相对的头部和尾部，所述头部设置有炉门，所述尾部上开设与所述腔体连通的通气口；所述扩散炉还包括气管，所述炉体的尾部上开设有供所述气管插入所述腔体的安装孔，所述气管插设于所述炉体中并伸至所述尾部外的第一端及位于所述腔体内的第二端，所述第二端伸至邻近所述炉门的位置；所述扩散炉还包括用于向所述腔体通入气体的进气管道及用于抽出所述腔体内的尾气的真空泵；所述进气管道和所述气管的第一端连接，所述真空泵和所述通气口连接。该扩散炉可以减少偏磷酸累积。
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