-
公开(公告)号：CN110518089B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201910671194.0
申请日：2019-07-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种P型晶体硅电池的制备方法，解决了P型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其包括如下步骤：B、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；C、在氧化物薄层上沉积多晶硅层，并掺杂III族元素；D、在P型晶体硅片上的III族元素掺杂面上单面沉积氧化物膜；E、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理；F、对P型晶体硅片的非掺杂面单面进行制绒；G、在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂；H、将P型晶体硅片的磷掺杂面向上，以漂浮的方式放入第二溶液中处理；I、将经第二溶液处理后的P型晶体硅片放入碱性溶液中处理；J、将经碱性溶液处理后的P型晶体硅片放入HF溶液中。
-
公开(公告)号：CN110444635B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910733644.4
申请日：2019-08-09
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池的断栅修复方法，可以有效地将断栅处连接起来，形成良好的通路。一种太阳能电池的断栅修复方法，依次包括如下步骤：A、在太阳能电池的断栅处开槽，以去除所述断栅处的钝化层，露出硅表面；B、对所述太阳能电池进行电镀，在开槽处的硅表面和栅线上沉积导电金属膜，以使所述断栅处连通；C、清洗所述太阳能电池上残留的电镀液；D、将所述太阳能电池烘干。
-
公开(公告)号：CN110571303A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910671203.6
申请日：2019-07-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种P型晶体硅电池的制备方法，解决了P型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其依次包括如下步骤：A、对制绒后的P型晶体硅片进行背面刻蚀或抛光；B、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；C、在氧化物薄层上沉积多晶硅层；D、利用离子注入技术对P型晶体硅片背面进行III族元素掺杂；E、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理，所述第一溶液包括HF、HNO3、H2SO4中的至少一种；F、利用离子注入技术对P型晶体硅片正面进行磷掺杂；G、对离子注入后的P型晶体硅片进行清洗；H、对P型晶体硅片进行退火；I、对P型晶体硅片进行清洗。
-
公开(公告)号：CN110444635A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910733644.4
申请日：2019-08-09
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池的断栅修复方法，可以有效地将断栅处连接起来，形成良好的通路。一种太阳能电池的断栅修复方法，依次包括如下步骤：A、在太阳能电池的断栅处开槽，以去除所述断栅处的钝化层，露出硅表面；B、对所述太阳能电池进行电镀，在开槽处的硅表面和栅线上沉积导电金属膜，以使所述断栅处连通；C、清洗所述太阳能电池上残留的电镀液；D、将所述太阳能电池烘干。
-
公开(公告)号：CN110534614B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910671610.7
申请日：2019-07-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种P型晶体硅电池的制备方法，解决了P型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其依次包括如下步骤：A、对制绒后的P型晶体硅片进行背面刻蚀或抛光；B、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；C、在氧化物薄层上沉积多晶硅层，并掺杂III族元素；D、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理，所述第一溶液包括HF、HNO3、H2SO4、NaOH、KOH、TMAH、氨水中的至少一种；E、将经第一溶液处理后的P型晶体硅片的正面进行磷掺杂；F、将P型晶体硅片的磷掺杂面向上，以漂浮的方式放入第二溶液中处理，所述第二溶液包括HF、HNO3、H2SO4中的至少一种；G、将经第二溶液处理后的P型晶体硅片放入碱性溶液中处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110212057B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910474322.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括提供P型硅片；在硅片的背面生成氧化硅层；在氧化硅层上沉积非晶硅层；在非晶硅层上涂覆硼浆并烘干，以在非晶硅层上形成含硼阻挡层；对硅片进行热处理，热处理包括依次连续进行的第一热处理、第二热处理和第三热处理；对硅片进行蚀刻处理；在硅片正面沉积第一钝化膜，并在硅片背面沉积第二钝化膜；在硅片正面和背面设置金属电极。通过将非晶硅晶化、硼扩散和磷扩散三个独立进行的高温处理工序整合为一个工序，简化了制备工艺，能够提高电池良率，缩短生产周期，提高产能。由于简化电池高温处理工艺，从而减小对少子寿命的影响，有助于提高电池效率。
-
公开(公告)号：CN110580969A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910699786.3
申请日：2019-07-31
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01B1/22 , H01L31/0224 , H01L31/0368 , H01L31/04
Abstract: 本发明公开了一种晶体硅电池及其导电浆料，该导电浆料能够匹配晶体硅电池的P型摻杂面的浅结工艺。一种晶体硅电池的导电浆料，按质量百分比计，所述导电浆料包括如下组分：银粉30～90％；有机物载体20～40％；含III族元素的粉末0.5～30％；玻璃粉1～10％。所述含III族元素的粉末为硼粉、镓粉、铟粉、铊粉中的一种或几种的混合物；或，所述含III族元素的粉末为III族元素粉末和铜粉的混合物，所述III族元素粉末为硼粉、镓粉、铟粉、铊粉中的一种或几种的混合物。
-
公开(公告)号：CN110571302A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910671184.7
申请日：2019-07-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种N型晶体硅电池的制备方法，解决了N型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其依次包括如下步骤：A、对制绒后的N型晶体硅片进行单面硼掺杂；B、将硼掺杂后的N型晶体硅片的硼掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理；C、在N型晶体硅片的另一面生长氧化物薄层；D、在氧化物薄层上沉积多晶硅层，并掺杂磷元素；E、将N型晶体硅片上的磷掺杂面向上，以漂浮的方式放入第二溶液中处理；F、将经第二溶液处理后的N型晶体硅片放入碱性溶液中处理；G、将N型晶体硅片的表面上的磷硅玻璃和硼硅玻璃去除；H、将N型晶体硅片的表面氧化；I、在N型晶体硅片上沉积钝化减反射层及钝化层；J、进行金属化工艺。
-
公开(公告)号：CN110534614A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910671610.7
申请日：2019-07-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种P型晶体硅电池的制备方法，解决了P型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其依次包括如下步骤：A、对制绒后的P型晶体硅片进行背面刻蚀或抛光；B、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；C、在氧化物薄层上沉积多晶硅层，并掺杂III族元素；D、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理，所述第一溶液包括HF、HNO3、H2SO4、NaOH、KOH、TMAH、氨水中的至少一种；E、将经第一溶液处理后的P型晶体硅片的正面进行磷掺杂；F、将P型晶体硅片的磷掺杂面向上，以漂浮的方式放入第二溶液中处理，所述第二溶液包括HF、HNO3、H2SO4中的至少一种；G、将经第二溶液处理后的P型晶体硅片放入碱性溶液中处理。
-
公开(公告)号：CN110518089A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910671194.0
申请日：2019-07-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种P型晶体硅电池的制备方法，解决了P型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其包括如下步骤：B、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；C、在氧化物薄层上沉积多晶硅层，并掺杂III族元素；D、在P型晶体硅片上的III族元素掺杂面上单面沉积氧化物膜；E、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理；F、对P型晶体硅片的非掺杂面单面进行制绒；G、在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂；H、将P型晶体硅片的磷掺杂面向上，以漂浮的方式放入第二溶液中处理；I、将经第二溶液处理后的P型晶体硅片放入碱性溶液中处理；J、将经碱性溶液处理后的P型晶体硅片放入HF溶液中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.029 seconds)
