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公开(公告)号：CN117317065B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311598404.0
申请日：2023-11-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/268
Abstract: 本申请涉及太阳能电池领域，具体涉及单晶太阳能电池制备，提供一种单晶太阳能电池制备设备，其使用激光设备进行PN结以及选择性发射极的制备，避免使用气相的扩散炉，通过激光的方式，在同一步骤内，形成掺杂的PN结的同时，形成对应选择性发射极位置的重掺杂区，本申请通过激光处理形成PN结和选择性发射极，激光处理包括两种能量的激光，一种激光能量用于扩散形成PN结，使用另外一种激光能量形成重掺杂区域，对应栅线区域形成选择性发射极，该方法中无需使用气体扩散炉，并且通过在一个激光处理腔室内形成电池片结构PN结及重掺杂区，进一步地通过化学气相沉积制备一层，使相关掺杂效率更高。
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公开(公告)号：CN117276414B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311570625.7
申请日：2023-11-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及P型高效钝化接触电池的制备方法及P型高效钝化接触电池的制造系统，优化了电池片的制备方法，使用铝层以及硅片上下表面不同退火参数，通过对硅片制备方法的优化，背面层的制备过程采用铝层和氧化铝层，实现背面p+层的制备，实现了在链式下流水线生产P型电池片，同时提供了一种用于该制备方法的制造系统，将各个腔室依次排列，该制造系统对电池片可以采用单片方式完成电池片制备，采用紧凑的腔室，实现硅片在产线上运转的稳定性。
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公开(公告)号：CN117117043A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311360809.0
申请日：2023-10-20
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/06
Abstract: 本申请涉及N型钝化接触电池的形成方法及其制造系统，通过喷涂包括氧化硼的浆料，在形成浆料后通过激光的方式进行掺杂，激光处理包括两种能量的激光，一种激光能量用于扩散形成PN结，使用另外一种激光能量形成重掺杂区域，对应栅线区域形成选择性发射极，该方法中无需使用气体扩散炉，并且通过在一个激光处理腔室内形成电池片结构PN结及重掺杂区，另外本申请还提供了一种用于制造N型钝化接触电池的制造系统，通过该系统实现了电池片的链式制备，使该方法能够商业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114050189A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111327578.4
申请日：2021-11-10
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0445 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种具有3D结构的硒硫化锑薄膜太阳电池及其制备方法，属于电池制备技术领域。本申请的薄膜太阳电池包括从下至上的依次层叠设置的衬底玻璃、TiO2层、BaTiO3薄膜层、Sb2(S,Se)3薄膜层、空穴传输层和电极层。还包括一种Sb2(S,Se)3薄膜太阳电池的制备方法，制备出的Sb2(S,Se)3薄膜太阳电池其中TiO2层为3D‑TiO2阵列结构，与Sb2(S,Se)3薄膜层形成pn结，BaTiO3薄膜作为钝化层插入到pn结之间，减少异质结在界面处的复合。BaTiO3薄膜层与TiO2层形成双缓冲层结构，增加了耗尽层宽度可以有效提升电池的开路电压。利用BaTiO3自身的铁电性，提高了载流子的分离能力和电池的开路电压。且BaTiO3薄膜厚度较小，基于量子隧穿效应解决了BaTiO3导电性差，导致电池内阻高的问题。
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公开(公告)号：CN117276414A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311570625.7
申请日：2023-11-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及P型高效钝化接触电池的制备方法及P型高效钝化接触电池的制造系统，优化了电池片的制备方法，使用铝层以及硅片上下表面不同退火参数，通过对硅片制备方法的优化，背面层的制备过程采用铝层和氧化铝层，实现背面p+层的制备，实现了在链式下流水线生产P型电池片，同时提供了一种用于该制备方法的制造系统，将各个腔室依次排列，该制造系统对电池片可以采用单片方式完成电池片制备，采用紧凑的腔室，实现硅片在产线上运转的稳定性。
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公开(公告)号：CN117637913A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311598946.8
申请日：2023-11-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/385 , H01L31/032 , H01L31/0445
Abstract: 本发明提供了一种通过Sb掺杂缓解柔性CZTSSe吸收层的残余应力的方法，通过在CZTS金属预制层中蒸发Sb薄膜并结合后硒化，实现柔性CZTSSe吸收层的Sb掺杂，从而缓解柔性CZTSSe吸收层的残余应力。通过本发明，可以有效地增加薄膜晶粒尺寸，抑制薄膜内部缺陷的产生，提高薄膜的结晶质量。经过Sb掺杂之后，太阳能电池的内应力从最初的‑3.93GPa减小到‑2.19GPa。得益于内应力的减小，电池的光电转换效率提高了116％。在弯曲性能测试中，经过Sb掺杂的柔性CZTSSe薄膜太阳能电池PCE衰减幅度相比于没有Sb掺杂的衰减幅度明显降低。
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公开(公告)号：CN117317065A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311598404.0
申请日：2023-11-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/268
Abstract: 本申请涉及太阳能电池领域，具体涉及单晶太阳能电池制备，提供一种单晶太阳能电池制备设备，其使用激光设备进行PN结以及选择性发射极的制备，避免使用气相的扩散炉，通过激光的方式，在同一步骤内，形成掺杂的PN结的同时，形成对应选择性发射极位置的重掺杂区，本申请通过激光处理形成PN结和选择性发射极，激光处理包括两种能量的激光，一种激光能量用于扩散形成PN结，使用另外一种激光能量形成重掺杂区域，对应栅线区域形成选择性发射极，该方法中无需使用气体扩散炉，并且通过在一个激光处理腔室内形成电池片结构PN结及重掺杂区，进一步地通过化学气相沉积制备一层，使相关掺杂效率更高。
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公开(公告)号：CN117117043B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311360809.0
申请日：2023-10-20
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/06
Abstract: 本申请涉及N型钝化接触电池的形成方法及其制造系统，通过喷涂包括氧化硼的浆料，在形成浆料后通过激光的方式进行掺杂，激光处理包括两种能量的激光，一种激光能量用于扩散形成PN结，使用另外一种激光能量形成重掺杂区域，对应栅线区域形成选择性发射极，该方法中无需使用气体扩散炉，并且通过在一个激光处理腔室内形成电池片结构PN结及重掺杂区，另外本申请还提供了一种用于制造N型钝化接触电池的制造系统，通过该系统实现了电池片的链式制备，使该方法能够商业化应用。
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