-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117317065A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311598404.0
申请日：2023-11-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/268
Abstract: 本申请涉及太阳能电池领域，具体涉及单晶太阳能电池制备，提供一种单晶太阳能电池制备设备，其使用激光设备进行PN结以及选择性发射极的制备，避免使用气相的扩散炉，通过激光的方式，在同一步骤内，形成掺杂的PN结的同时，形成对应选择性发射极位置的重掺杂区，本申请通过激光处理形成PN结和选择性发射极，激光处理包括两种能量的激光，一种激光能量用于扩散形成PN结，使用另外一种激光能量形成重掺杂区域，对应栅线区域形成选择性发射极，该方法中无需使用气体扩散炉，并且通过在一个激光处理腔室内形成电池片结构PN结及重掺杂区，进一步地通过化学气相沉积制备一层，使相关掺杂效率更高。
-
公开(公告)号：CN117317065B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311598404.0
申请日：2023-11-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/268
Abstract: 本申请涉及太阳能电池领域，具体涉及单晶太阳能电池制备，提供一种单晶太阳能电池制备设备，其使用激光设备进行PN结以及选择性发射极的制备，避免使用气相的扩散炉，通过激光的方式，在同一步骤内，形成掺杂的PN结的同时，形成对应选择性发射极位置的重掺杂区，本申请通过激光处理形成PN结和选择性发射极，激光处理包括两种能量的激光，一种激光能量用于扩散形成PN结，使用另外一种激光能量形成重掺杂区域，对应栅线区域形成选择性发射极，该方法中无需使用气体扩散炉，并且通过在一个激光处理腔室内形成电池片结构PN结及重掺杂区，进一步地通过化学气相沉积制备一层，使相关掺杂效率更高。
-
公开(公告)号：CN117276414B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311570625.7
申请日：2023-11-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及P型高效钝化接触电池的制备方法及P型高效钝化接触电池的制造系统，优化了电池片的制备方法，使用铝层以及硅片上下表面不同退火参数，通过对硅片制备方法的优化，背面层的制备过程采用铝层和氧化铝层，实现背面p+层的制备，实现了在链式下流水线生产P型电池片，同时提供了一种用于该制备方法的制造系统，将各个腔室依次排列，该制造系统对电池片可以采用单片方式完成电池片制备，采用紧凑的腔室，实现硅片在产线上运转的稳定性。
-
公开(公告)号：CN117276414A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311570625.7
申请日：2023-11-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及P型高效钝化接触电池的制备方法及P型高效钝化接触电池的制造系统，优化了电池片的制备方法，使用铝层以及硅片上下表面不同退火参数，通过对硅片制备方法的优化，背面层的制备过程采用铝层和氧化铝层，实现背面p+层的制备，实现了在链式下流水线生产P型电池片，同时提供了一种用于该制备方法的制造系统，将各个腔室依次排列，该制造系统对电池片可以采用单片方式完成电池片制备，采用紧凑的腔室，实现硅片在产线上运转的稳定性。
-
公开(公告)号：CN218039272U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202221545619.7
申请日：2022-06-20
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种太阳能电池，包括自下至上设置的导电玻璃衬底、电子传输层、活性层、空穴传输层及电极层，太阳能电池还包括位于所述活性层和所述空穴传输层之间的界面修饰层，界面修饰层包括形成于活性层的上表面上的钙钛矿量子点材料层，空穴传输层形成于界面修饰层的上表面上。本实用新型不影响空穴传输层的的电荷提取性能的前提下，减少复合中心，进一步促进电荷提取，提高电池转换效率。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.024 seconds)
