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公开(公告)号：CN119230488A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202310798211.3
申请日：2023-06-30
Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电子器件及其制备方法，该电子器件包括基板，所述基板包括沿第一方向延伸的第一边缘以及沿第二方向延伸的第二边缘，所述第一方向和所述第二方向相交且均与所述基板所在平面平行；所述第一边缘的长度为L1，所述第二边缘的长度为L2；其中，L1≥3*L2；所述电子器件还包括位于所述基板表面的凹槽结构，所述凹槽结构包括至少一个凹槽，沿所述基板的厚度方向，所述凹槽贯穿至少部分所述基板；所述凹槽结构的延伸方向与所述第一方向相交。采用上述技术方案，通过在基板表面设置凹槽结构，能够保证电子器件在凹槽结构位置释放应力，避免基板发生断裂，进而能够保证电子器件的稳定性以及可靠性。
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公开(公告)号：CN109545767B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201710858919.8
申请日：2017-09-21
Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司
IPC: H01L23/49
Abstract: 本发明提供一种封装器件结构和封装器件，该封装器件结构包括基板，围设于该基板上的墙体，墙体与基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在墙体远离基板的一侧的两个第一电极层；与第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层；以及分别与两个第一电极层连接的第一引线以及分别与两个第二电极层连接的第二引线；其中，每个第一引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第一引线段以及第二引线段，该第一引线段位于所述第一电极层上方并与该第一电极层接触；两个第一引线段的之间的中心间距小于或等于两个第二引线段之间的间距。本发明能够解决现有技术中引线间距过小的问题，并提高其适用性，满足不同的电路设计需求。
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公开(公告)号：CN109786349A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810026998.0
申请日：2018-01-11
Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司
IPC: H01L23/488
Abstract: 本发明提供的一种排气式器件以及器件焊接结构，涉及微电子技术领域，排气式器件包括器件主体、镀层以及多个焊料块，镀层贴设在器件主体的一侧表面，多个焊料块设置在镀层远离器件主体的一侧表面并向外凸起，且相邻两个焊料块之间形成第一排气槽，每条第一排气槽在延伸方向上与外界连通。在焊接过程中，由于外来物等杂质的存在，会在杂质位置产生气泡，气泡可以沿着第一排气槽排出到外界，从而减少焊接的空洞率。同时由于第一排气槽的存在使得焊料块融化后能够填充到第一排气槽中。相较于现有技术，本发明提供的一种排气式器件，通过第一排气槽将焊接过程中产生的气泡排出，从而降低了空洞率同时能够使得焊料外溢均匀。
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公开(公告)号：CN106252290B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610524515.0
申请日：2016-07-06
Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司
Inventor： 杨琼
IPC: H01L23/043
Abstract: 本发明涉及微电子、半导体及通信领域，具体而言，涉及一种封装外壳，该封装外壳包括输入引线、输出引线、输入引线金属化电极层、输出引线金属化电极层、墙体及金属基板，该墙体设置在该金属基板上，该输入引线金属化电极层和该输出引线金属化电极层间隔设置在该墙体上，该输入引线与该输入引线金属化电极层电连接，该输出引线与该输出引线金属化电极层电连接，该输入引线金属化电极层和输出引线金属化电极层的至少之一包括多块独立设置的金属化区域，各金属化区域相互之间间隔设置。该封装外壳在使用过程中通过改变输入或输出引线金属化电极层面积，实现了封装外壳电容值可调的目的。
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公开(公告)号：CN119725336A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311264562.2
申请日：2023-09-27
Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种射频器件及其封装方法，射频器件包括封装基板、第一类元器件和第二类元器件，封装基板包括第一区域和第二区域；第一类元器件通过预成型焊片固定于封装基板上，且位于第一区域；第二类元器件，通过导电膜固定于封装基板上，且位于第二区域；第一类元器件的功率大于第二类元器件的功率。本发明实施例的技术方案可以改善射频器件的微间距封装效果，进一步缩小产品尺寸，降低封装成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108807299B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201710692251.4
申请日：2017-08-14
Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明实施例提供一种引线框架结构、引线框架和封装器件，其中，该引线框架结构包括第一引线框架，所述第一引线框架设置有用于放置芯片以及填充灌封胶的容置槽。本发明通过对引线框架结构的巧妙设计，能够有效避免在对所述芯片进行封装时灌封胶外溢的问题，提高封装后的成品率。
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公开(公告)号：CN110967529A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811138843.2
申请日：2018-09-28
Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司
Inventor： 杨琼
Abstract: 本发明提供了一种驱动压接测试夹具以及功放管性能测试系统，涉及测试夹具领域，该驱动压接测试夹具包括测试基台、驱动机构、承载机架和弹性压接机构，承载机架设置在测试基台上，测试基台上设置有装夹位，驱动机构连接在承载机架上，弹性压接机构与驱动机构传动连接并能够在驱动机构的带动下作往复运动，且弹性压接机构与装夹位相对设置。相较于现有技术，本发明提供的一种驱动压接测试夹具，利用驱动机构带动弹性压接机构自动对产品进行压接，且压接力稳定，避免了在夹持产品时手动操作，大大提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN109994432A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711472642.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种器件封装壳体及封装器件，在墙体与热沉底座之间设置热膨胀系数小于所述热沉底座的热膨胀系数的金属导热层，这样使得低热膨胀系数的墙体与高热膨胀系数的热沉底座之间有一层与墙体的热膨胀系数接近的过渡金属导热层，从而解决墙体与热沉底座之间热失配的问题。在确保墙体不会因热失配问题开裂的前提下，提高整个器件封装壳体的散热能力，同时采用铜材料做热沉底座还可以降低器件封装壳体的生产成本。
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公开(公告)号：CN108807299A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710692251.4
申请日：2017-08-14
Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本发明实施例提供一种引线框架结构、引线框架和封装器件，其中，该引线框架结构包括第一引线框架，所述第一引线框架设置有用于放置芯片以及填充灌封胶的容置槽。本发明通过对引线框架结构的巧妙设计，能够有效避免在对所述芯片进行封装时灌封胶外溢的问题，提高封装后的成品率。
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公开(公告)号：CN106252293A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610004781.0
申请日：2016-01-06
Applicant: 苏州能讯高能半导体有限公司
IPC: H01L23/057 , H01L23/06
CPC classification number: H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L23/057 , H01L23/06
Abstract: 本发明涉及微电子、半导体及通信领域，具体而言，涉及一种封装外壳，该封装外壳包括输入引线、输出引线、输入引线金属化电极层、输出引线金属化电极层、第一墙体、金属化电极层、第二墙体及金属基板，该输入引线金属化电极层设置于该输入引线与该第一墙体之间，该输出引线金属化电极层设置于该输出引线与该第一墙体之间，该第一墙体设置在该第二墙体上，该第二墙体设置在该金属基板上，该金属化电极层设置在该第二墙体与该第一墙体之间，并通过该第二墙体与该金属基板电连接。该封装外壳通过改变电极层之间的墙体厚度，不改变封装外壳尺寸以及陶瓷介质材料，实现了封装外壳电容值增大的目的。
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