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公开(公告)号：CN105207620B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201510589669.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 苏州大学张家港工业技术研究院 , 苏州大学
Abstract: 本申请公开了一种科尔皮兹振荡器。该科尔皮兹振荡器在起振时依赖近零阈值MOS管，其设计分别应用衬底偏置或者栅极偏置方法，依据近零阈值NMOS管共栅放大系数的e指数响应特性，确保电路谐振要求的MOS管电压增益远大于4，从而使得本发明能够为在超低直流输入电压条件下实现振荡器的起振和维持振荡，满足脑植入传感器的要求。
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公开(公告)号：CN105099454B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201510590593.6
申请日：2015-09-16
Applicant: 苏州大学张家港工业技术研究院 , 苏州大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本申请公开了一种压频转换电路以及包含该压频转换电路的环振型模数转换器。在本发明中多级CMOS非门电路中的PMOS管和NMOS采用近零阈值MOS管，依据近零阈值MOS管的e指数电流响应工作原理，其漏极电流是关于e指数的栅压幂率，能够获得较大的电压增益，因而采用超低输入电压即可实现振荡电路的起振以及维持振荡电路的持续振荡，且由于近零阈值MOS管具有低通滤波的作用，因而能降低输出信号的频率。
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公开(公告)号：CN105099454A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510590593.6
申请日：2015-09-16
Applicant: 苏州大学张家港工业技术研究院
IPC: H03M1/12
Abstract: 本申请公开了一种压频转换电路以及包含该压频转换电路的环振型模数转换器。在本发明中多级CMOS非门电路中的PMOS管和NMOS采用近零阈值MOS管，依据近零阈值MOS管的e指数电流响应工作原理，其漏极电流是关于e指数的栅压幂率，能够获得较大的电压增益，因而采用超低输入电压即可实现振荡电路的起振以及维持振荡电路的持续振荡，且由于近零阈值MOS管具有低通滤波的作用，因而能降低输出信号的频率。
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公开(公告)号：CN105207620A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510589669.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 苏州大学张家港工业技术研究院
Abstract: 本申请公开了一种科尔皮兹振荡器。该科尔皮兹振荡器在起振时依赖近零阈值MOS管，其设计分别应用衬底偏置或者栅极偏置方法，依据近零阈值NMOS管共栅放大系数的e指数响应特性，确保电路谐振要求的MOS管电压增益远大于4，从而使得本发明能够为在超低直流输入电压条件下实现振荡器的起振和维持振荡，满足脑植入传感器的要求。
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公开(公告)号：CN105743635A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610273972.7
申请日：2016-04-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H04L9/00
CPC classification number: H04L9/001
Abstract: 本申请公开了一种混沌电路。其核心包括一路四管的频率产生电路、一路三管同或门电路以及一路两管的非门电路。与现有技术相比，本发明较大地简化了已知的MOS管实现的混沌电路结构，设计原理充分利用了3管MOS实现同或，也合理选择了超低电压非门进行反馈延迟，同时因为找到了反馈线的合适的馈入点，可以节省一个独立的频率产生电路，就能达到逐步化简电路结构为9管的目的，同时保留了分别实现布尔混沌的时域疏密复杂性和连续带宽频谱特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105743635B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610273972.7
申请日：2016-04-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H04L9/00
Abstract: 本申请公开了一种混沌电路。其核心包括一路四管的频率产生电路、一路三管同或门电路以及一路两管的非门电路。与现有技术相比，本发明较大地简化了已知的MOS管实现的混沌电路结构，设计原理充分利用了3管MOS实现同或，也合理选择了超低电压非门进行反馈延迟，同时因为找到了反馈线的合适的馈入点，可以节省一个独立的频率产生电路，就能达到逐步化简电路结构为9管的目的，同时保留了分别实现布尔混沌的时域疏密复杂性和连续带宽频谱特性。
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公开(公告)号：CN110306243A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810231651.X
申请日：2018-03-20
Applicant: 苏州大学
IPC: C30B33/12 , H01L31/0236 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种硅纳米柱的制备方法，包括如下步骤：在氧化硅片的表面铺设具有预设图案的模板，所述预设图案选择成在按照所述预设图案进行刻蚀时允许刻蚀出柱状体；将所述氧化硅片放置于一刻蚀时所用的基片上，并使其与所述基片成预设夹角；利用反应气体沿着一预设方向向所述氧化硅片的内部进行刻蚀，以在所述氧化硅片内形成以预设倾斜角度倾斜的硅纳米柱。本发明的方法解决了在正上方的入射光照射到硅纳米柱上时，如何减小反射率的技术问题。
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公开(公告)号：CN105978552B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610278918.1
申请日：2016-04-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本申请公开了一种混沌电路。本发明对基于两个频率产生模块和一个非线性模块构造的混沌电路的结构进行简化，其核心包括两路四管的频率产生电路和一路三管的有源分数电容电路作为非线性模块。与现有技术相比，本发明较大地简化了已知的MOS管实现的混沌电路结构，基于11个MOS管、两个电阻以及两个电容即可实现混沌信号的输出，设计原理充分利用了较少管子实现滞回，找到了反馈线的合适馈入点，能达到采用较少MOS管的电路结构产生混沌的目的，同时保留了实现模拟信号混沌的时域复杂性和带宽频谱特性。
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公开(公告)号：CN105490800B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610008811.5
申请日：2016-01-07
Applicant: 苏州大学
IPC: H04L9/00
Abstract: 本申请公开了一种二阶微分平方复杂度的混沌电路。本发明对忆阻器的结构进行简化，所述忆阻器包括：乘法器芯片、运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及第五电阻。与现有技术相比，本发明较大地简化了忆阻器网络实现的结构，设计原理充分利用了乘积项中的差动输入对的反相输入端，也合理组合了乘法器的乘积结果中的和项式端子，通过仅仅改动拓扑内部的一根连线，就能达到分别实现三种高阶混沌或一种二阶混沌的新信号产生效果。
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公开(公告)号：CN105978552A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610278918.1
申请日：2016-04-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/094
CPC classification number: H03K19/094
Abstract: 本申请公开了一种混沌电路。本发明对基于两个频率产生模块和一个非线性模块构造的混沌电路的结构进行简化，其核心包括两路四管的频率产生电路和一路三管的有源分数电容电路作为非线性模块。与现有技术相比，本发明较大地简化了已知的MOS管实现的混沌电路结构，基于11个MOS管、两个电阻以及两个电容即可实现混沌信号的输出，设计原理充分利用了较少管子实现滞回，找到了反馈线的合适馈入点，能达到采用较少MOS管的电路结构产生混沌的目的，同时保留了实现模拟信号混沌的时域复杂性和带宽频谱特性。
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