公开(公告)号：CN105207620A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510589669.3

申请日：2015-09-16

Applicant: 苏州大学张家港工业技术研究院

Inventor： 李文石 ,  肖鹏 ,  黄于城 ,  宋佳佳

IPC: H03B5/04 ,  H03B5/06

Abstract: 本申请公开了一种科尔皮兹振荡器。该科尔皮兹振荡器在起振时依赖近零阈值MOS管，其设计分别应用衬底偏置或者栅极偏置方法，依据近零阈值NMOS管共栅放大系数的e指数响应特性，确保电路谐振要求的MOS管电压增益远大于4，从而使得本发明能够为在超低直流输入电压条件下实现振荡器的起振和维持振荡，满足脑植入传感器的要求。

公开(公告)号：CN105207620B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201510589669.3

申请日：2015-09-16

Applicant: 苏州大学张家港工业技术研究院 ,  苏州大学

Inventor： 李文石 ,  肖鹏 ,  黄于城 ,  宋佳佳

IPC: H03B5/04 ,  H03B5/06

Abstract: 本申请公开了一种科尔皮兹振荡器。该科尔皮兹振荡器在起振时依赖近零阈值MOS管，其设计分别应用衬底偏置或者栅极偏置方法，依据近零阈值NMOS管共栅放大系数的e指数响应特性，确保电路谐振要求的MOS管电压增益远大于4，从而使得本发明能够为在超低直流输入电压条件下实现振荡器的起振和维持振荡，满足脑植入传感器的要求。