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公开(公告)号：CN110109204B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910404907.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于塔姆结构的彩色辐射降温器，包括基底，基底自下而上依次设置有金属膜层和电介质层A至电介质层G，其中金属膜层与电介质层A至电介质层D组成塔姆结构，电介质层A至电介质层D组成分布式布拉格反射镜，选择性发射器由电介质层E至电介质层G组成。本发明的有益效果是：与传统的辐射降温器相比，显色的辐射降温器不仅具有降温功能，而且带有颜色使其在美学和装饰性等方面具有广泛应用。本发明提供了一种简化的色差计算方法来寻找与三补色最接近的三种颜色，设计颜色纯度较高，使其组合能得到更多的颜色，并且由于器件的降温效果主要与选择性发射器相关，所以颜色的调控对降温效果影响不大，显色和降温不冲突。
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公开(公告)号：CN110137300A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910401930.0
申请日：2019-05-15
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: H01L31/108 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种超薄膜红外宽带热电子光电探测器，超薄膜红外宽带热电子光电探测器由硅基底、金属薄膜、顶部导电电极和底部导电电极组成，硅基底上端为金属薄膜，金属薄膜与硅基底一侧分别设有顶部导电电极和底部导电电极。本发明的有益效果是：利用具有红外宽带吸收性质的金属材料作为吸光层，只需要几十纳米厚的平面薄膜即可吸收大于20％的光；采用的金属薄膜极薄，和热电子的平均自由程相当，极大地提高了热电子的输运效率和光电探测器的响应度；金属和半导体的肖特基势垒可以通过接触界面和器件工艺来调节，实现红外波段的宽带探测。所设计的光电探测器只有金属薄膜和半导体基底构成，结构相当简单，所以制备容易、适合量产、成品率高。
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公开(公告)号：CN110109204A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910404907.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于塔姆结构的彩色辐射降温器，包括基底，基底自下而上依次设置有金属膜层和电介质层A至电介质层G，其中金属膜层与电介质层A至电介质层D组成塔姆结构，电介质层A至电介质层D组成分布式布拉格反射镜，选择性发射器由电介质层E至电介质层G组成。本发明的有益效果是：与传统的辐射降温器相比，显色的辐射降温器不仅具有降温功能，而且带有颜色使其在美学和装饰性等方面具有广泛应用。本发明提供了一种简化的色差计算方法来寻找与三补色最接近的三种颜色，设计颜色纯度较高，使其组合能得到更多的颜色，并且由于器件的降温效果主要与选择性发射器相关，所以颜色的调控对降温效果影响不大，显色和降温不冲突。
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公开(公告)号：CN113049542B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110491003.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明属光学传感技术领域，提出一种基于反射干涉光谱技术的硅基光学传感器及制备方法，沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底；每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔；无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时，小分子可以渗透到无序多孔硅层，而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层；与双层无序多孔硅结构相比，本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度，还降低了响应时间；与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比，具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。
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公开(公告)号：CN110429144B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910739592.1
申请日：2019-08-12
Applicant: 苏州大学 , 苏州斯特科光电科技有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器，包含二氧化硅基底、布拉格反射器和金属薄膜；布拉格反射器和金属薄膜依次设于二氧化硅基底上；布拉格反射器由高折射率薄膜层和低折射率薄膜层由上至下交替设置而成，布拉格反射器与金属薄膜的接触面为高折射率薄膜层且设置为二氧化钛；金属薄膜的顶部设有顶部导电电极，位于顶层的高折射率薄膜层的底部设有栅状底部导电电极。提高了光子吸收率、热电子的输运效率和光电探测器的响应度；并能够通过与金属薄膜相邻的二氧化钛的厚度调节可改变探测器的响应波长和实现多窄带的光电探测；且本发明结构简单，便于生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111477701B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202010328770.4
申请日：2020-04-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种平面双微腔热电子光探测器及其制备方法，包括从下至上依次设置的基底、第一金属层、第一半导体介质层、第二金属层、第二半导体中间层和第三金属层；所述第二金属层与第三金属层的膜厚相同，所述第二金属层与第三金属层的材料和结构皆一致；所述第一半导体介质层与第二半导体介质层的膜厚相同，所述第二半导体介质层和第二半导体介质层的材料和结构皆一致。其具有很高的光响应度，降低金属层的厚度，提高热电子输运效率的同时不损失光学吸收，结构简单，价格低廉，便于大规模制备。
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公开(公告)号：CN111477700B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202010327903.6
申请日：2020-04-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于完美吸收超材料的热电子光探测器及其制备方法，包括基底，在所述基底上由下向上依次设置有第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、超材料介质层和周期性介质点阵；所述第一金属薄膜与第二金属薄膜的材质一致；所述第一金属薄膜作为底电极，所述第二金属薄膜作为顶电极；其中，所述第一金属薄膜为光学阻挡层和电学输运层。其光学吸收好，电学输运效率高，光探测器的响应度好。
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公开(公告)号：CN112331737B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011197948.2
申请日：2020-10-30
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明属光电领域，公开了一种紫外‑可见‑近红外硅基光电探测器及其制备方法，所述的光电探测器为复合层式结构，沿着光入射方向依次包括透明保护层、粘结剂、正面金属薄膜层、无序纳米碗阵列化硅基底、背面金属薄膜层和底板。正面金属薄膜和无序纳米碗阵列层的复合结构可以显著抑制200～2500nm波段范围内的光反射，硅基底背面的金属薄膜近乎完全反射到达硅基底界面的光子，使得器件整体的透射率接近零。利用无序纳米碗阵列化硅基底及沉积于上的金属薄膜对入射光子的高效吸收和光生载流子的有效收集，本方案可以在室温、无外加偏压下对紫外‑可见‑近红外波段的光子实现显著光电响应和有效探测，且对光子的偏振和入射角度不敏感。
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公开(公告)号：CN112331737A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011197948.2
申请日：2020-10-30
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明属光电领域，公开了一种紫外‑可见‑近红外硅基光电探测器及其制备方法，所述的光电探测器为复合层式结构，沿着光入射方向依次包括透明保护层、粘结剂、正面金属薄膜层、无序纳米碗阵列化硅基底、背面金属薄膜层和底板。正面金属薄膜和无序纳米碗阵列层的复合结构可以显著抑制200～2500nm波段范围内的光反射，硅基底背面的金属薄膜近乎完全反射到达硅基底界面的光子，使得器件整体的透射率接近零。利用无序纳米碗阵列化硅基底及沉积于上的金属薄膜对入射光子的高效吸收和光生载流子的有效收集，本方案可以在室温、无外加偏压下对紫外‑可见‑近红外波段的光子实现显著光电响应和有效探测，且对光子的偏振和入射角度不敏感。
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公开(公告)号：CN111477700A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010327903.6
申请日：2020-04-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于完美吸收超材料的热电子光探测器及其制备方法，包括基底，在所述基底上由下向上依次设置有第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、超材料介质层和周期性介质点阵；所述第一金属薄膜与第二金属薄膜的材质一致；所述第一金属薄膜作为底电极，所述第二金属薄膜作为顶电极；其中，所述第一金属薄膜为光学阻挡层和电学输运层。其光学吸收好，电学输运效率高，光探测器的响应度好。
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