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发明公开
一种负光导晶体管器件及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116828868A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310534145.9

申请日：2023-05-12

Applicant: 苏州大学

Inventor： 黄丽珍 , 迟力峰 , 薛娣 , 王滋 , 龚伟杰 , 张莹莹

IPC: H10K30/00 , H10K30/20 , H10K71/16

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种负光导晶体管器件及其制备方法。该负光导晶体管器件包括依次设置的基底、绝缘层、有机异质结构光敏层以及源漏电极，所述有机异质结构光敏层包括p型半导体光敏层和n型半导体光敏层。本发明提出了利用界面调控构建具有双极输运的异质结构来实现负光导效应的通用器件构型，在该器件构型中通过合适的异质结构材料组合可以在多个材料体系中可控地实现负光导效应。制备方法简单快速、具有普适性。

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